[發(fā)明專利]借助磁性通流測(cè)量的單個(gè)分析物采集

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201280037334.5
• 申請(qǐng)日: 2012-08-01
• 公開（公告）號(hào): CN103733042A
• 公開（公告）日: 2014-04-16
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: M.J.赫洛;O.海登;S.F.特德;M.賴斯貝克
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 西門子公司
• 主分類號(hào): G01N15/10
• 分類號(hào): G01N15/10;B03C1/02;G01R33/09;G01N33/543
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105
• 代理人: 謝強(qiáng)

1.一種用于分析物的磁性通流測(cè)量的方法，其中所述方法包括以下步驟：

-對(duì)樣本中的分析物（1）進(jìn)行磁性標(biāo)記，

-生成所述分析物（1）經(jīng)過(guò)傳感器裝置的流動(dòng)，其中，所述分析物（1）的流動(dòng)（40）至少被引導(dǎo)經(jīng)過(guò)磁阻部件（20），

-生成磁性梯度場(chǎng)以及生成均勻磁場(chǎng)（220），借助所述磁性梯度場(chǎng)，所標(biāo)記的分析物（1）在所述磁阻部件（20）上方積聚，其中，所述均勻磁場(chǎng)（220）和所述磁阻部件（20）相對(duì)于彼此布置為使得所述均勻磁場(chǎng)（220）不被所述磁阻部件（20）采集，

-采集各個(gè)所標(biāo)記的分析物（1），

-其中，所述磁性標(biāo)記進(jìn)行為使得所標(biāo)記的分析物（1）分別具有磁性雜散場(chǎng)，所述雜散場(chǎng)的能夠由所述磁阻部件（20）采集的最大值與分析物中心（r_mag）的距離小于流體動(dòng)力學(xué)的分析物半徑（r_opt）。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述磁性標(biāo)記借助磁性納米珠，尤其是超順磁性納米珠進(jìn)行。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其中，所述磁性標(biāo)記借助這樣的納米珠進(jìn)行，該納米珠的流體動(dòng)力學(xué)的直徑介于10nm和500nm之間。

4.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，其中，所述磁性標(biāo)記借助具有磁鐵礦或磁赤鐵礦材料的納米珠進(jìn)行。

5.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，其中，所述磁性標(biāo)記借助具有介于10（A·m²）/Kg和60（A·m²）/Kg之間的磁化的納米珠進(jìn)行。

6.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，其中，各個(gè)所標(biāo)記的分析物（1）借助所述磁性梯度場(chǎng)在所述磁阻部件（20）上方積聚，從而所述分析物在那里局部地以高濃度存在，該濃度從每μl0.1至10⁴個(gè)分析物的樣本濃度開始，在積聚后達(dá)到100倍到10000倍。

7.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，其中各個(gè)所述分析物（1）在流過(guò)所述磁阻部件（20）的情況下相互直接接觸。

8.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，其中，將通流速度調(diào)節(jié)為使得所述分析物（1）以恒定的速度被引導(dǎo)經(jīng)過(guò)所述磁阻部件（20），尤其在其上滾過(guò)。