[發明專利]液晶顯示裝置和液晶顯示裝置的制造方法有效
| 申請號: | 201280037025.8 | 申請日: | 2012-08-03 |
| 公開(公告)號: | CN103765306A | 公開(公告)日: | 2014-04-30 |
| 發明(設計)人: | 內田誠一;金子誠二;小川康行;山本薰;田中耕平;高丸泰;森重恭 | 申請(專利權)人: | 夏普株式會社 |
| 主分類號: | G02F1/1343 | 分類號: | G02F1/1343;G02F1/1368 |
| 代理公司: | 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322 | 代理人: | 龍淳 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 液晶 顯示裝置 制造 方法 | ||
技術領域
本發明涉及一種有源矩陣型液晶顯示裝置,特別是涉及一種具備輔助電容電極的液晶顯示裝置。
背景技術
在有源矩陣型的液晶顯示裝置中,為了提高亮度和對比度而希望提高開口率。因此,已知有通過使像素電極的邊緣和用于施加圖像信號電壓的源極線重疊,使到源極線的最邊緣為止均成為有效的像素區域,從而提高開口率的技術。
另外,若如上述那樣使像素電極的邊緣和源極線重疊,則會由于串擾導致像素電極的電位發生變動,進而亮度變動,容易產生閃爍。因此,已知有在像素電極與源極線重疊的部分,在這些像素電極與源極線之間設置輔助電容電極來進行屏蔽,由此抑制串擾從而實現閃爍減少的技術(例如,參照專利文獻1)。
現有技術文獻
專利文獻
專利文獻1:日本特開2004-20687號公報
發明內容
發明所要解決的技術問題
為了可靠地抑制像素電極與源極線之間的串擾,可以考慮不僅在像素電極與源極線重疊的部分形成輔助電容電極,而且在其周圍的足夠的范圍形成輔助電容電極。
但是,若在寬的范圍形成輔助電容電極,則輔助電容增大,因此,在經源極線向像素電極施加圖像信號電壓時,在像素電極中充分蓄積電荷變得困難。
因此,可形成輔助電容電極的范圍存在制約,因而,實際上,存在如下問題:將專利文獻1所記載的輔助電容電極設置在足夠廣泛的范圍以可靠地減少串擾和閃爍是困難的。
本發明正是鑒于該技術問題而完成的,其目的在于,可靠地抑制像素電極和源極線之間的串擾從而減少閃爍。
解決技術問題的技術方案
本發明的第一方面提供一種液晶顯示裝置,其特征在于,包括:
設置成格子狀的柵極線和源極線;
與所述柵極線和源極線的交叉位置對應地設置成矩陣狀的像素電極;
透明輔助電容電極,在該透明輔助電容電極與所述像素電極之間形成輔助電容;
開關元件,其根據從所述柵極線賦予的掃描信號,將從所述源極線供給的圖像信號電壓施加至所述像素電極,
所述開關元件使用氧化物半導體構成,并且,
所述透明輔助電容電極設置于所述源極線與所述像素電極之間。
由此,透明輔助電容電極設置于源極線與像素電極之間,因此,作為透明屏蔽電極起作用,能夠抑制串擾從而減少閃爍。在該情況下,開關元件由于使用氧化物半導體構成而具有較大驅動能力,在像素電極中充分蓄積電荷變得容易,因此,透明輔助電容電極的形狀及大小的自由度變大。因此,能夠容易將透明輔助電容電極形成在廣泛范圍等從而得到較大的屏蔽效果。因此,能夠大幅且可靠地降低寄生電容,從而可靠地抑制串擾、減少閃爍。
本發明的第二方面的液晶顯示裝置在本發明第一方面的基礎上,其特征在于,
所述透明輔助電容電極遍及除設置有所述開關元件的區域以及所述開關元件與所述像素電極連接的區域以外的、各像素區域的整個區域設置。
另外,本發明的第三方面的液晶顯示裝置在本發明第一方面和第二方面中任一方面的基礎上,其特征在于,
所述透明輔助電容電極遍及縱橫相鄰的像素區域連續設置。
由此,通過透明輔助電容電極能夠容易地充分覆蓋源極線,因此,如上所述,能夠容易地使寄生電容降低且可靠地抑制串擾,從而大幅且可靠地減少閃爍。另外,通過將所述透明輔助電容電極遍及縱橫相鄰的像素區域連續設置,能夠減少透明輔助電容電極的配線電阻,因此,能夠減少面板驅動的負荷。
本發明第四方面的液晶顯示裝置在本發明第一方面至第三方面中任一方面的基礎上,其特征在于,
所述透明輔助電容電極使用低電阻化后的氧化物半導體構成。
本發明第五方面的液晶顯示裝置在本發明第四方面的基礎上,其特征在于,
所述透明輔助電容電極與構成所述開關元件的氧化物半導體形成于同一層。
由此,能夠將為了構成開關元件而形成的氧化物半導體層作為透明輔助電容電極使用,不需要另外形成導電體層,能夠容易地實現結構及制造工序的簡化。
本發明第六方面的液晶顯示裝置在本發明第五方面的基礎上,其特征在于,
所述開關元件還具有柵極絕緣膜和柵極電極,通過構成所述開關元件的氧化物半導體、所述柵極絕緣膜和所述柵極電極在基板上依次層疊而構成。
另外,本發明第七方面的液晶顯示裝置在本發明第六方面的基礎上,其特征在于,
構成所述透明輔助電容電極的氧化物半導體,通過沒有被所述開關元件的柵極電極掩蔽的區域被低電阻化處理而形成。
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