[發明專利]液晶顯示裝置和液晶顯示裝置的制造方法

有效

• 申請號: 201280037025.8
• 申請日: 2012-08-03
• 公開（公告）號: CN103765306A
• 公開（公告）日: 2014-04-30
• 發明（設計）人: 內田誠一;金子誠二;小川康行;山本薰;田中耕平;高丸泰;森重恭
• 申請（專利權）人: 夏普株式會社
• 主分類號: G02F1/1343
• 分類號: G02F1/1343;G02F1/1368
• 代理公司: 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322
• 代理人: 龍淳

1.一種液晶顯示裝置，其特征在于，包括：

設置成格子狀的柵極線和源極線；

與所述柵極線和源極線的交叉位置對應地設置成矩陣狀的像素電極；

透明輔助電容電極，在該透明輔助電容電極與所述像素電極之間形成輔助電容；和

開關元件，其根據從所述柵極線賦予的掃描信號，將從所述源極線供給的圖像信號電壓施加至所述像素電極，

所述開關元件使用氧化物半導體構成，并且，

所述透明輔助電容電極設置于所述源極線與所述像素電極之間。

2.如權利要求1所述的液晶顯示裝置，其特征在于：

所述透明輔助電容電極遍及除設置有所述開關元件的區域以及所述開關元件與所述像素電極連接的區域以外的、各像素區域的整個區域設置。

3.如權利要求1和2中任一項所述的液晶顯示裝置，其特征在于：

所述透明輔助電容電極遍及縱橫相鄰的像素區域連續設置。

4.如權利要求1至3中任一項所述的液晶顯示裝置，其特征在于：

所述透明輔助電容電極使用低電阻化后的氧化物半導體構成。

5.如權利要求4所述的液晶顯示裝置，其特征在于：

所述透明輔助電容電極與構成所述開關元件的氧化物半導體形成于同一層。

6.如權利要求5所述的液晶顯示裝置，其特征在于：

所述開關元件還具有柵極絕緣膜和柵極電極，通過構成所述開關元件的氧化物半導體、所述柵極絕緣膜和所述柵極電極在基板上依次層疊而構成。

7.如權利要求6所述的液晶顯示裝置，其特征在于：

構成所述透明輔助電容電極的氧化物半導體，通過沒有被所述開關元件的柵極電極掩蔽的區域被低電阻化處理而形成。

8.如權利要求1至7中任一項所述的液晶顯示裝置，其特征在于：

在所述像素電極形成有相互平行的多個狹縫。

9.如權利要求1至8中任一項所述的液晶顯示裝置，其特征在于：

所述像素電極以邊緣部與所述源極線重疊的方式設置。

10.一種液晶顯示裝置的制造方法，該液晶顯示裝置包括：

設置成格子狀的柵極線和源極線；

與所述柵極線和源極線的交叉位置對應地設置成矩陣狀的像素電極；

輔助電容電極，在該輔助電容電極與所述像素電極之間形成輔助電容；和

開關元件，其根據從所述柵極線賦予的掃描信號，將從所述源極線供給的圖像信號電壓施加至所述像素電極，

所述開關元件使用氧化物半導體構成，并且，

所述輔助電容電極設置于所述源極線與所述像素電極之間，且使用低電阻化后的氧化物半導體構成，

所述液晶顯示裝置的制造方法的特征在于，包括以下工序：

在基板上形成導電體層，并進行圖案化，從而形成源極線；

在源極線的上層形成氧化物半導體層，并在成為開關元件的源極電極、漏極電極和溝道區域的區域以及成為輔助電容電極的區域進行圖案化；

在所述氧化物半導體層上依次形成絕緣膜層和導電體層，并進行圖案化，從而形成柵極絕緣膜、柵極線和柵極電極；

以柵極電極作為掩模，對所述氧化物半導體層進行低電阻化，形成開關元件的源極電極、漏極電極和輔助電容電極；和

在開關元件的漏極電極和輔助電容電極的上層形成導電體層，并進行圖案化，從而形成像素電極。