[發(fā)明專利]硅基超高壓電阻器

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201280036481.0
• 申請(qǐng)日: 2012-05-11
• 公開（公告）號(hào): CN103718294A
• 公開（公告）日: 2014-04-09
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: S·蘇塔德加;R·克里施納穆爾蒂;徐兆揚(yáng)
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 馬維爾國際貿(mào)易有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/06
• 分類號(hào): H01L27/06;H01L49/02
• 代理公司: 北京市金杜律師事務(wù)所 11256
• 代理人: 酆迅;張臻賢

1.一種集成電路(IC)，包括：

導(dǎo)電材料的第一層；

絕緣材料的第二層，其中所述第二層具有第一側(cè)面和第二側(cè)面，所述第一側(cè)面與所述第一層相鄰布置；

襯底，與所述第二層的所述第二側(cè)面相鄰布置；以及

布置在所述襯底中的第一阱部，

其中所述第一阱部與所述第二層的所述第二側(cè)面相鄰，并且

其中所述襯底和所述第一阱部具有相對(duì)的摻雜。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的IC，其中所述第二層具有額定擊穿電壓，并且其中所述第二層在跨所述第一層施加的第一電壓大于或等于所述第二層的額定擊穿電壓時(shí)并不被擊穿。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的IC，其中所述襯底進(jìn)一步包括：

所述導(dǎo)電材料的第三層，其中所述第三層連接至所述第一層；

所述絕緣材料的第四層，其中所述第四層具有與所述第三層相鄰布置的第一側(cè)面、以及第二側(cè)面；以及

布置在所述襯底之中的第二阱部，

其中所述第二阱部與所述第四層的所述第二側(cè)面相鄰，并且

其中所述襯底和所述第二阱部具有相對(duì)的摻雜。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的IC，其中所述第一阱部連接至所述第一層。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的IC，其中所述第一阱部連接至第一電壓，所述第一電壓具有小于跨所述第一層和所述第三層施加的第二電壓的數(shù)值。

6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的IC，其中所述第一阱部連接至第一電壓，其中所述第二阱部連接至第二電壓，并且其中所述第一電壓和所述第二電壓中的每一個(gè)電壓小于跨所述第一層和所述第三層施加的第三電壓。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的IC，其中所述第一電壓和所述第二電壓相等。

8.根據(jù)權(quán)利要求3所述的IC，其中所述第一阱部和所述第二阱部中的至少一個(gè)阱部連接至所述IC內(nèi)部的電壓點(diǎn)。

9.根據(jù)權(quán)利要求2所述的IC，其中跨所述第一層施加的所述第一電壓處于數(shù)百伏特的量級(jí)。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的IC，其中：

所述第一層是多晶硅層，

所述第二層是氧化物層，并且

所述第一阱部是超高壓阱部。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的IC，其中所述第一阱部連接至偏置電壓。

12.一種集成電路(IC)，包括：

多個(gè)串聯(lián)連接的電阻器；

其中所述多個(gè)電阻器分享共用襯底；

其中所述多個(gè)電阻器中的每一個(gè)電阻器包括導(dǎo)電層、絕緣層和超高壓阱部；并且

其中所述絕緣層設(shè)置在所述導(dǎo)電層和所述超高壓阱部之間。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的IC，其中：

所述絕緣層具有第一側(cè)面和第二側(cè)面，所述第一側(cè)面與所述導(dǎo)電層相鄰布置；

所述襯底與所述絕緣層的所述第二側(cè)面相鄰布置；

所述超高壓阱部被布置在所述襯底中；

所述超高壓阱部與所述絕緣層的所述第二側(cè)面相鄰；并且

所述襯底和所述超高壓阱部具有相對(duì)的摻雜。

14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的IC，其中所述絕緣層具有額定擊穿電壓，并且其中所述絕緣層在跨所述導(dǎo)電層施加的第一電壓大于或等于所述絕緣層的額定擊穿電壓時(shí)并不被擊穿。

15.根據(jù)權(quán)利要求12所述的IC，其中：

所述多個(gè)電阻器中的第一電阻器包括第一導(dǎo)電層、第一絕緣層和第一超高壓阱部；

所述多個(gè)電阻器中的第二電阻器包括第二導(dǎo)電層、第二絕緣層和第二超高壓阱部；并且

所述第二導(dǎo)電層連接至所述第一導(dǎo)電層。

16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的IC，其中所述第一超高壓阱部連接至所述第一導(dǎo)電層。

17.根據(jù)權(quán)利要求15所述的IC，其中所述第一超高壓阱部連接至第一電壓，所述第一電壓具有小于跨所述第一導(dǎo)電層和所述第二導(dǎo)電層施加的第二電壓的數(shù)值。

18.根據(jù)權(quán)利要求15所述的IC，其中所述第一超高壓阱部連接至第一電壓，其中所述第二超高壓阱部連接至第二電壓，并且其中所述第一電壓和所述第二電壓中的每一個(gè)電壓小于跨所述第一導(dǎo)電層和所述第二導(dǎo)電層施加的第三電壓。