[發明專利]在成像式曝光于光化輻射下之后形成構圖層的聚合物及其組合物

有效

• 申請號: 201280034811.2
• 申請日: 2012-07-16
• 公開（公告）號: CN103649220A
• 公開（公告）日: 2014-03-19
• 發明（設計）人: 大西治;池田治生;田頭宣雄;L·羅德斯;P·坎達納拉什切
• 申請（專利權）人: 住友電木株式會社;普羅米魯斯有限責任公司
• 主分類號: C08L65/00
• 分類號: C08L65/00
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 陳季壯

相關專利申請的交叉參考?

根據35U.S.C.§119，本專利申請有資格獲得且要求于2011年7月14日提交的美國臨時專利申請序列No.61/507685和2011年10月19日提交的美國臨時專利申請序列No.61/548832的優先權，這兩篇在此通過參考全文引入。?

技術領域

本發明一般地涉及包括降冰片烯-型重復單元和非-降冰片烯-型重復單元這二者的共聚物及其組合物，它們可用于形成可自成像的層，和更具體地，涉及包含由降冰片烯-型單體衍生的重復單元和由馬來酸酐-型單體衍生的重復單元二者的這些共聚物及其組合物以便提供由其制造的層以成像式曝光于光化輻射下時可自成像性。?

背景技術

微電子工業，例如半導體和光電子工業在過去若干年一直要求越來越小的器件幾何結構。雖然在器件制造的一些領域中亞微米器件幾何結構多年來處于常規位置，但是在其它領域中，例如液晶顯示器(LCD)、有機發光二極管(OLED)和各種射頻(Rf)和微波器件(例如RFIC/MMIC、轉換器、耦合器、移相器、SAW過濾器和SAW雙工器)，此類器件幾何結構僅最近接近亞10微米的水平。?

采用這種較小的幾何結構要求具有低介電常數的介電材料，以減少或消除因電容耦合導致的在相鄰信號線之間或者在信號線與器件特征(例如像素電極)之間的任何串音(cross-talk)。盡管可獲得許多低介電(低-K)材料用于微電子器件，光電器件，但這些材料在可見光譜內必須還廣泛地透明，不要求高溫加工(大于300℃)，所述高溫加工與這一光電器件中的其他元件不相容，且對于大規模的光電器件制造?來說，既成本低，又可行。?

因此，期望具有能形成可自成像層的材料，以避免對沉積單獨的成像層的需求。這一材料還應當容易施加到基底上，具有低的介電常數(小于或等于3.9)且對超過250℃的溫度具有熱穩定性。?

附圖簡述?

參考下述附圖和/或圖像，以下描述本發明的實施方案。當提供附圖時，它是僅僅為了闡述目的而提供的器件的簡化部分的附圖。?

圖1是描繪根據本發明制造(DRM)ROMA共聚物實施方案的流程圖。?

圖2a,2b,2c和2d是根據本發明，顯示對于進行過溶解速率改性工藝實施方案的共聚物來說，在羰基拉伸頻率之前和之后的一部分紅外光譜；?

圖3是根據本發明，對于進行過溶解速率改性工藝實施方案的ROMA共聚物來說，溶解速率/反應時間變化的圖表。?

圖4a和4b是根據本發明，由(DRM)ROMA共聚物薄膜實施方案形成的薄膜的成像式曝光之后獲得的10μm和5μm線與空間的顯微照片。?

詳細說明?

本發明的實施方案涉及包括由降冰片烯-型單體衍生的至少一個重復單元和由馬來酸酐-型單體衍生的至少一個重復單元的共聚物(它們將在下文中定義)和含這些共聚物的組合物。這些共聚物組合物能形成可用于在制造微電子和光電器件中的層的可自成像的薄膜。也就是說，在成像式曝光于光化輻射下之后，可顯影這些層(或薄膜)，形成構圖的層(或薄膜)，其中這一圖案反映所述層(或薄膜)穿過它而曝光的圖像。按照這一方式，可提供下述結構體，所述結構體是或者將成為這種微電子和/或光電器件的一部分。?

本文所使用的冠詞一個(a)、一種(an)和該(所述)包括復數個參考物，除非另外特意且明確地限于一個參考物。?

因為本文中和所附權利要求中所使用的與成分、反應條件等的量有關的所有數字、數值和/或表述經歷在獲得這些數值中遇到的各種測?量不確定性，所以除非另有說明，都應理解為在一切情況下由術語“大約”修飾。?

當本文公開數值范圍時，此種范圍是連續的，包括該范圍的最小值和最大值以及在此種最小和最大值之間的每個值。更進一步，當范圍是指整數時，包括在此種范圍的最小和最大值之間的每個整數。另外，當提供多個范圍以描述特征或特性時，此種范圍可以組合。就是說，除非另有說明，本文公開的所有范圍應當理解為涵蓋包含在其中的任何以及所有子范圍。例如，給定的范圍1到10應該認為包括介于最小值1和最大值10間的任何以及所有子范圍；范圍1-10的示例性的子范圍包括，但不限于，1-6.1，3.5-7.8和5.5-10。?