[發明專利]體III族氮化物晶體的生長無效
| 申請號: | 201280034619.3 | 申請日: | 2012-07-13 |
| 公開(公告)號: | CN103703558A | 公開(公告)日: | 2014-04-02 |
| 發明(設計)人: | S·皮姆普特卡;J·S·斯派克 | 申請(專利權)人: | 加利福尼亞大學董事會 |
| 主分類號: | H01L23/00 | 分類號: | H01L23/00 |
| 代理公司: | 北京紀凱知識產權代理有限公司 11245 | 代理人: | 趙蓉民;張全信 |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 美國;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | iii 氮化物 晶體 生長 | ||
相關申請的交叉引用
本申請根據35U.S.C.119(e)章節要求下述共同未決和共同轉讓的申請的權益:
美國臨時申請系列號61/507,182,于2011年7月13日由Siddha?Pimputkar和James?S.Speck提交,題目為“用III族金屬和堿金屬涂布體III族氮化物晶體之后它們的生長(GROWTH?OF?BULK?GROUP-III?NITRIDE?CRYSTALS?AFTER?COATING?THEM?WITH?A?GROUP-III?METAL?AND?AN?ALKALI?METAL)”,律師案卷號30794.420-US-P1(2012-021-1);
該申請通過引用并入本文。
本申請涉及下列共同未決和共同轉讓的美國專利申請:
美國實用新型專利申請系列號13/128,092,于2011年5月6日,由Siddha?Pimputkar、Derrick?S.Kamber、James?S.Speck和Shuji?Nakamura提交的,題目為“III族氮化物晶體的氨熱生長期間使用含硼化合物、氣體和流體(USING?BORON-CONTAINING?COMPOUNDS,GASSES?AND?FLUIDS?DURING?AMMONOTHERMAL?GROWTH?OF?GROUP-III?NITRIDE?CRYSTALS)”,律師案卷號30794.300-US-WO(2009-288-2),該申請是國家階段申請,其要求P.C.T.國際專利申請系列號PCT/US09/063233的權益或優先權,后者于2009年11月4日,由Siddha?Pimputkar、Derrick?S.Kamber、James?S.Speck和Shuji?Nakamura提交,題目為“III族氮化物晶體的氨熱生長期間使用含硼化合物、氣體和流體(USING?BORON-CONGTANIING?COMPOUNDS,GASSES?AND?FLUIDS?DURING?AMMONOTHERMAL?GROWTH?OF?GROUP-III?NITRIDE?CRYSTAL)”,律師案卷號30794.300-WO-U1(2009-288-2),該申請根據35U.S.C.119(e)章節要求美國臨時專利申請系列號61/112,550的權益,后者于2008年11月7日,由Siddha?Pimputkar、Derrick?S.Kamber、James?S.Speck和Shuji?Nakamura提交,題目為“III族氮化物晶體的氨熱生長期間使用含硼化合物、氣體和流體(USING?BORON-CONGTANIING?COMPOUNDS,GASSES?AND?FLUIDS?DURING?AMMONOTHERMAL?GROWTH?OF?GROUP-III?NITRIDE?CRYSTALS)”,律師案卷號30794.300-US-P1(2009-288-1);
美國實用新型專利申請系列號13/048,179,于2011年3月15日,由Siddha?Pimputkar、James?S.Speck和Shuji?Nakamura提交,并且題目為“使用III族氮化物晶種的初始偏取向非極性或半極性生長表面的III族氮化物晶體氨熱生長(GROUP-III?NITRIDE?CRYSTAL?AMMONOTHERMALLY?GROWN?USING?AN?INITIALLY?OFF-ORIENTED?NONPOLAR?OR?SEMIPOLAR?GROWTH?SURFACE?OF?A?GROUP-III?NITRIDE?SEED?CRYSTAL)”,律師案卷號30794.376-US-U1(2010-585-1),該申請根據35U.S.C.119(e)章節要求美國臨時專利申請系列號61/314,095的權益,后者于2010年3月15日由Siddha?Pimputkar、James?S.Speck和Shuji?Nakamura提交,并且題目為“使用初始偏取向的非極性和/或半極性III族氮化物生長的作為使用氨熱法的籽晶的III族氮化物晶體和生產其的方法(GROUP-III?NITRIDE?CRYSTAL?GROWN?USING?AN?INITIALLY?OFF-ORIENTED?NONPOLAR?AND/OR?SEMIPOLAR?GROUP-III?NITRIDE?AS?SEED?CRYSTAL?USING?THE?AMMONOTHERMAL?METHOD?AND?METHOD?OF?PRODUCING?THE?SAME)”,律師案卷號30794.376-US-P1(2010-585-1);和
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