[發明專利]體III族氮化物晶體的生長

無效

• 申請號: 201280034619.3
• 申請日: 2012-07-13
• 公開（公告）號: CN103703558A
• 公開（公告）日: 2014-04-02
• 發明（設計）人: S·皮姆普特卡;J·S·斯派克
• 申請（專利權）人: 加利福尼亞大學董事會
• 主分類號: H01L23/00
• 分類號: H01L23/00
• 代理公司: 北京紀凱知識產權代理有限公司 11245
• 代理人: 趙蓉民;張全信

1.使用由一種或更多種III族金屬和一種或更多種堿金屬組成的助熔劑生長III族氮化物晶體的方法，包括：

用由一種或更多種III族金屬和一種或更多種堿金屬組成的薄濕潤層涂布種子的至少一個表面；和

通過使所述助熔劑接觸所述種子或通過使所述種子接觸所述助熔劑，在生長氣氛中在所述種子上生長所述III族氮化物晶體，其中所述種子或助熔劑至少部分暴露于所述生長氣氛。

2.根據權利要求1所述的方法，其中所述種子是III族氮化物晶體。

3.根據權利要求1所述的方法，其中所述III族金屬是Al、Ga或In的一種或多種，和所述堿金屬是Na。

4.根據權利要求1所述的方法，其中所述涂布步驟間歇地或連續地進行。

5.根據權利要求1所述的方法，其中所述涂布步驟通過將所述助熔劑滴落在所述種子的一個或更多個表面上或在其上流動而進行。

6.根據權利要求1所述的方法，其中所述涂布步驟通過將所述種子淹沒或浸入所述助熔劑中并且將所述種子的一個小面放置在所述助熔劑和所述氣氛之間的界面的一些特定距離內而進行。

7.根據權利要求1所述的方法，進一步包括使所述種子、所述III族氮化物晶體或所述助熔劑經歷機械運動，比如攪拌或攪動，以縮短氮與所述種子或所述III族氮化物晶體整合需要的距離。

8.根據權利要求1所述的方法，其中所述生長步驟進一步包括在所述III族氮化物晶體的生長期間在所述III族氮化物晶體上保持所述薄濕潤層。

9.根據權利要求1所述的方法，其中所述III族氮化物晶體具有一個或更多個暴露的極性、非極性或半極性小面。

10.III族氮化物晶體，其使用根據權利要求1所述的方法生長。

11.使用由一種或更多種III族金屬和一種或更多種堿金屬組成的助熔劑生長III族氮化物晶體的裝置，包括：

用于涂布的工具，其使用由一種或更多種III族金屬和一種或更多種堿金屬組成的薄濕潤層涂布種子的至少一個表面；和

用于生長的腔，其通過使所述助熔劑接觸所述種子或通過使所述種子接觸所述助熔劑，在生長氣氛中在所述種子上生長所述III族氮化物晶體，其中所述種子或助熔劑至少部分暴露于所述生長氣氛。

12.根據權利要求11所述的裝置，其中所述種子是III族氮化物晶體。

13.根據權利要求11所述的裝置，其中所述III族金屬是Al、Ga或In的一種或多種，和所述堿金屬是Na。

14.根據權利要求11所述的裝置，其中所述用于涂布的工具間歇地或連續地進行。

15.根據權利要求11所述的裝置，其中所述用于涂布的工具通過使所述助熔劑滴落在所述種子的一個或更多個表面上或在其上流動而進行。

16.根據權利要求11所述的裝置，其中所述用于涂布的工具通過將所述種子淹沒或浸入所述助熔劑中并且將所述種子的一個小面放置在所述助熔劑和所述氣氛之間的界面的一些特定距離內而進行。

17.根據權利要求11所述的裝置，進一步包括使所述種子、所述III族氮化物晶體或所述助熔劑經歷機械運動比如攪拌或攪動的工具，以縮短氮與所述種子或所述III族氮化物晶體整合需要的距離。

18.根據權利要求11所述的裝置，其中所述腔進一步包括在所述III族氮化物晶體的生長期間在所述III族氮化物晶體上保持所述薄濕潤層的工具。

19.根據權利要求11所述的裝置，其中III族氮化物晶體具有一個或更多個暴露的極性、非極性或半極性小面。