[發明專利]太陽能電池及其制造方法

無效

• 申請號: 201280034187.6
• 申請日: 2012-02-03
• 公開（公告）號: CN103688371A
• 公開（公告）日: 2014-03-26
• 發明（設計）人: 鮫島俊之;安東靖典
• 申請（專利權）人: 國立大學法人東京農工大學;日新電機株式會社
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01L31/075;H01L31/0368
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205
• 代理人: 張洋

1.一種太陽能電池的制造方法，所述太陽能電池具有在結晶硅基板上形成有硅薄膜的結構，其特征在于，包括：

薄膜形成工序，其通過由電感耦合生成等離子體的電感耦合型等離子體CVD法，在所述結晶硅基板上，形成包含微小的硅結晶的微晶硅薄膜，以作為所述硅薄膜；以及

水蒸氣熱處理工序，其在5×10⁵Pa以上壓力的水蒸氣環境中，對形成有所述微晶硅薄膜的所述結晶硅基板實施熱處理。

2.根據權利要求1所述的太陽能電池的制造方法，其特征在于，

將所述薄膜形成工序中的所述結晶硅基板的溫度設為100℃～300℃。

3.根據權利要求1或2所述的太陽能電池的制造方法，其特征在于，

將所述水蒸氣熱處理工序中的溫度設為150℃～300℃，水蒸氣壓力設為5×10⁵Pa～1.5×10⁶Pa，處理時間設為0.5小時～3小時。

4.根據權利要求1、2或3所述的太陽能電池的制造方法，其特征在于，

所述太陽能電池具有如下結構：在結晶硅基板的兩面形成有i型硅薄膜，且在其中之一的i型硅薄膜的表面形成有p型硅薄膜，而在另一i型硅薄膜的表面形成有n型硅薄膜；

通過所述薄膜形成工序，形成i型的所述微晶硅薄膜，以作為所述i型硅薄膜，

隨后執行所述水蒸氣熱處理工序。

5.根據權利要求1、2或3所述的太陽能電池的制造方法，其特征在于，

所述太陽能電池具有如下結構：在結晶硅基板的兩面形成有i型硅薄膜，且在其中之一的i型硅薄膜的表面形成有p型硅薄膜，而在另一i型硅薄膜的表面形成有n型硅薄膜；

通過所述薄膜形成工序，分別形成p型的所述微晶硅薄膜及n型的所述微晶硅薄膜，以作為所述p型硅薄膜及所述n型硅薄膜，

隨后執行所述水蒸氣熱處理工序。

6.根據權利要求1、2或3所述的太陽能電池的制造方法，其特征在于，

所述太陽能電池具有如下結構：在結晶硅基板的兩面形成有i型硅薄膜，且在其中之一的i型硅薄膜的表面形成有p型硅薄膜，而在另一i型硅薄膜的表面形成有n型硅薄膜；

通過所述薄膜形成工序，形成i型的所述微晶硅薄膜，以作為所述i型硅薄膜，且分別形成p型的所述微晶硅薄膜及n型的所述微晶硅薄膜，以作為所述p型硅薄膜及所述n型硅薄膜，

隨后執行所述水蒸氣熱處理工序。

7.根據權利要求1、2或3所述的太陽能電池的制造方法，其特征在于，

所述太陽能電池具有如下結構：在結晶硅基板上形成有i型硅薄膜，且在所述硅薄膜上形成功函數互不相同的第1電極及第2電極；

通過所述薄膜形成工序，形成i型的所述微晶硅薄膜，以作為所述i型硅薄膜，

隨后執行所述水蒸氣熱處理工序。

8.一種太陽能電池，其特征在于，所述太陽能電池是通過如權利要求1至7中任一所述的太陽能電池的制造方法而制造。