[發(fā)明專利]用于OLED封裝的屏蔽管理系統(tǒng)和方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201280033772.4
• 申請日: 2012-06-18
• 公開（公告）號: CN103703584B
• 公開（公告）日: 2019-10-15
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 栗田真一;B·S·金
• 申請（專利權(quán)）人: 應(yīng)用材料公司
• 主分類號: H01L51/56
• 分類號: H01L51/56;H05B33/04
• 代理公司: 北京律誠同業(yè)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國

一種用于封裝有機(jī)發(fā)光二極管（OLED）器件的系統(tǒng)和方法，允許：將基板和多個遮罩有效地接收至真空處理環(huán)境中、在一或更多個工藝腔室間傳輸基板和多個遮罩以沉積封裝層，并且從處理系統(tǒng)中移除基板和多個遮罩。一種封裝有機(jī)發(fā)光二極管（OLED）器件的方法，包括：將一或更多個遮罩置于基板上以將封裝層沉積于設(shè)置在基板上的OLED器件之上。一種封裝有機(jī)發(fā)光二極管（OLED）器件的處理系統(tǒng)，包括：一或更多個傳輸腔室；一或更多個負(fù)載鎖定腔室，耦接至每個傳輸腔室并可操作以將遮罩接收至真空環(huán)境中；以及一或更多個工藝腔室，耦接至每個傳輸腔室并可操作以將封裝層沉積于基板上。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明的實(shí)施例關(guān)于一種用于對基板上形成的有機(jī)發(fā)光器件進(jìn)行封裝的系統(tǒng)和方法。

背景技術(shù)

有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)被使用于電視屏幕、計(jì)算機(jī)顯示器、移動電話及其他手持裝置等的制造上，以顯示信息。一個典型的OLED可包含位于兩個電極間的有機(jī)材料層，而電極與有機(jī)材料層皆以一種形成具有可個別加電的像素的矩陣顯示面板的形式沉積于一基板上。OLED通常被置于兩個玻璃平板之間，玻璃平板的邊緣密封而將OLED封裝于內(nèi)。

在制造這類顯示裝置的過程中會遇到許多挑戰(zhàn)。舉一個例子，為避免可能發(fā)生的裝置污染，將OLED封裝于兩個玻璃平板之間，在此過程中必須有很多勞力密集的步驟。再舉一例，不同尺寸的顯示屏幕與連帶的不同尺寸的玻璃平板，可能需要實(shí)質(zhì)地重新配置用以形成顯示裝置的工藝及工藝硬件。

因此，一直以來皆存在著對于用以形成OLED顯示裝置的新的及改良的裝置及方法的需求。

發(fā)明內(nèi)容

在一實(shí)施例中，一種封裝有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)器件的方法包括：將第一屏蔽置于基板上，所述第一屏蔽具有第一尺寸；以及用所述第一屏蔽將第一封裝層沉積于設(shè)置在所述基板上的OLED器件之上。所述方法還包括：將第二屏蔽置于所述基板上，所述第二屏蔽具有第二尺寸；以及用所述第二屏蔽將緩沖層沉積于所述第一封裝層和所述OLED器件之上。所述方法還包括：將第三屏蔽置于所述基板上，所述第三屏蔽具有與所述第一尺寸相等的尺寸；以及用所述第一屏蔽將第二封裝層沉積于所述緩沖層、所述第一封裝層和所述OLED器件之上。

在另一實(shí)施例中，一種在處理系統(tǒng)中封裝有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)器件的方法包括：將基板和第一屏蔽接收至第一傳輸腔室中；在第一工藝腔室中將所述第一屏蔽置于所述基板之上；以及在所述第一工藝腔室中將第一封裝層沉積到設(shè)置在所述基板上的OLED器件之上。所述方法還包括：將所述基板和第二屏蔽接收至第二傳輸腔室中；在第二工藝腔室中將所述第二屏蔽置于所述基板之上；以及在所述第二工藝腔室中將緩沖層沉積于所述第一封裝層和所述OLED器件之上。所述方法還包括：將所述基板和第三屏蔽接收至第三傳輸腔室中，所述第三屏蔽與所述第一屏蔽具有實(shí)質(zhì)相同的屏蔽圖案；在第三工藝腔室中將所述第三屏蔽置于所述基板之上；以及在所述第三工藝腔室中將第二封裝層沉積于所述緩沖層、所述第一封裝層和所述OLED器件之上。

在還有一個實(shí)施例中，一種用于封裝有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)器件的處理系統(tǒng)包括：第一傳輸腔室；第一負(fù)載鎖定腔室，所述第一負(fù)載鎖定腔室與所述第一傳輸腔室耦接，并且所述第一負(fù)載鎖定腔室可操作以將一或更多個第一屏蔽接收至真空環(huán)境中；以及第一工藝腔室，所述第一工藝腔室與所述第一傳輸腔室耦接，并且所述第一工藝腔室可操作以將第一封裝層沉積于基板上。所述處理系統(tǒng)還包括：第二傳輸腔室，所述第二傳輸腔室可與所述第一傳輸腔室可傳輸連通；第二負(fù)載鎖定腔室，所述第二負(fù)載鎖定腔室與所述第二傳輸腔室耦接，并且所述第二負(fù)載鎖定腔室可操作以將一或更多個第二屏蔽接收至真空環(huán)境中；以及第二工藝腔室，所述第二工藝腔室與所述第二傳輸腔室耦接，并且所述第二工藝腔室可操作以將緩沖層沉積于所述基板上。所述處理系統(tǒng)還包括：第三傳輸腔室，所述第三傳輸腔室可與所述第二傳輸腔室可傳輸連通；第三負(fù)載鎖定腔室，所述第三負(fù)載鎖定腔室與所述第三傳輸腔室耦接，并且所述第三負(fù)載鎖定腔室可操作以將一或更多個第三屏蔽接收至真空環(huán)境中；以及第三工藝腔室，所述第三工藝腔室與所述第三傳輸腔室耦接，并且所述第三工藝腔室可操作以將第二封裝層沉積于所述基板上。