[發明專利]清洗方法和處理裝置以及存儲介質

有效

• 申請號: 201280033416.2
• 申請日: 2012-07-12
• 公開（公告）號: CN103650117A
• 公開（公告）日: 2014-03-19
• 發明（設計）人: 井內健介;土橋和也
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創株式會社
• 主分類號: H01L21/304
• 分類號: H01L21/304;H01L21/3065
• 代理公司: 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇;張會華

技術領域

本發明涉及用于將附著于被處理體的表面上的微粒等附著物去除的清洗方法和處理裝置以及存儲有上述方法的存儲介質。

背景技術

作為用于將附著于半導體晶圓等作為被處理體的基板（以下稱作“晶圓”）的表面上的微粒、污垢等附著物去除的技術，公知有例如專利文獻1、2所記載的方法。在上述專利文獻1、2中，向晶圓的表面照射氣體團簇離子束（日文：ガスクラスターイオンビーム）。在這樣的技術中，為了克服附著物附著于晶圓的附著力，例如，在使用氣體團簇離子束時，通過加速電壓、離子化的量來調整氣體團簇離子束的物理性剪切力。

但是，隨著形成在晶圓上的器件構造的精細化，上述器件構造變得容易因氣體團簇離子束而受到損傷。即，例如，若對由形成在晶圓上的槽和線構成的圖案照射氣體團簇離子束，則在上述線的寬度尺寸為例如幾十nm數量級時，存在該線因氣體團簇離子束的照射而塌陷的風險。另外，即使在沒有形成圖案的情況下，在照射氣體團簇離子束之后，晶圓的表面形狀也會變差。

在專利文獻3中，記載有在使用藥液去除基板9上的自然氧化膜之后噴出被施加了超聲波振動的空氣的技術，另外，在專利文獻4中記載有向基板的表面照射脈沖激光的技術。但是，在上述專利文獻3、4中，均沒有涉及精細的器件構造中的微粒的去除、晶圓受到的損傷。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開2009-43975

專利文獻2：日本特開2008-304737

專利文獻3：日本特開2006-278387

專利文獻4：日本特開2009-224721

發明內容

本發明是考慮這樣的情況而做成的，其目的在于提供能夠在抑制對被處理體造成的損傷的同時易于將附著于被處理體的表面的微粒等附著物去除的清洗方法和處理裝置以及存儲有上述方法的存儲介質。

本發明的清洗方法自附著有附著物的被處理體的表面去除附著物，其特征在于，該清洗方法包括以下工序：對被處理體的表面和附著物中的至少一者進行包括蝕刻處理的前處理；自壓力比被處理體所處的處理氣氛的壓力高的區域向處理氣氛噴射與暴露于上述被處理體的表面的膜之間不具有反應性的清洗用氣體，通過絕熱膨脹生成上述清洗用氣體的作為原子的聚集體的氣體團簇或上述清洗用氣體的作為分子的聚集體的氣體團簇；以及向進行了上述前處理后的被處理體的表面照射清洗用氣體的氣體團簇而去除附著物。

上述前處理也可以包括對被處理體的表面和附著物中的至少一者進行的改性處理和對通過上述改性處理而被改性了的改性層進行的蝕刻處理。

也可以同時進行上述前處理的工序和去除上述附著物的工序。

上述前處理也可以包括為了進行上述蝕刻處理而照射氣體團簇的工序。

在為了進行上述蝕刻處理而照射氣體團簇的工序中，既可以使用與在照射上述清洗用氣體的氣體團簇而去除附著物的工序中用于照射氣體團簇的生成機構相同的生成機構，也可以使用不同的生成機構。

照射上述清洗用氣體的氣體團簇而去除附著物的工序和為了進行上述蝕刻處理而照射氣體團簇的工序也可以為配置多個用于照射氣體團簇的生成機構并自上述生成機構照射氣體團簇的工序。

照射上述清洗用氣體的氣體團簇而去除附著物的工序和為了進行上述蝕刻處理而照射氣體團簇的工序也可以在用于照射氣體團簇的生成機構相對于被處理體的角度可變的狀態下進行。

本發明的處理裝置是用于自附著有附著物的被處理體的表面去除附著物的被處理體的處理裝置，其特征在于，該處理裝置包括：前處理室，其用于在內部載置被處理體；前處理模塊，其具有前處理機構，該前處理機構用于對載置于上述前處理室內的被處理體的表面或附著物中的至少一者進行包括蝕刻處理在內的前處理；清洗處理室，其用于在內部載置被處理體；氣體團簇噴嘴，其設于上述清洗處理室，用于自壓力比上述清洗處理室的內部的處理氣氛的壓力高的區域向處理氣氛噴射與暴露于上述被處理體的表面上的膜之間不具有反應性的清洗用氣體，通過絕熱膨脹生成上述清洗用氣體的作為原子的聚集體的氣體團簇或上述清洗用氣體的作為分子的聚集體的氣體團簇，并向前處理后的被處理體供給上述氣體團簇，以便去除上述附著物；以及輸送機構，其用于相對于上述前處理室及上述清洗處理室進行被處理體的交接。