[發(fā)明專利]清洗方法和處理裝置以及存儲介質(zhì)有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201280033416.2 | 申請日: | 2012-07-12 |
| 公開(公告)號: | CN103650117A | 公開(公告)日: | 2014-03-19 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 井內(nèi)健介;土橋和也 | 申請(專利權(quán))人: | 東京毅力科創(chuàng)株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/304 | 分類號: | H01L21/304;H01L21/3065 |
| 代理公司: | 北京林達劉知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 劉新宇;張會華 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 清洗 方法 處理 裝置 以及 存儲 介質(zhì) | ||
1.一種清洗方法,在該清洗方法中,自附著有附著物的被處理體的表面去除附著物,其特征在于,
該清洗方法包括以下工序:
對被處理體的表面和附著物中的至少一者進行包括蝕刻處理的前處理;
自壓力比被處理體所處的處理氣氛的壓力高的區(qū)域向處理氣氛噴射與暴露于上述被處理體的表面的膜之間不具有反應(yīng)性的清洗用氣體,通過絕熱膨脹生成上述清洗用氣體的作為原子的聚集體的氣體團簇或上述清洗用氣體的作為分子的聚集體的氣體團簇;以及
向進行了上述前處理后的被處理體的表面照射清洗用氣體的氣體團簇而去除附著物。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的清洗方法,其特征在于,
上述前處理包括對被處理體的表面和附著物中的至少一者進行的改性處理和對通過上述改性處理而被改性了的改性層進行的蝕刻處理。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的清洗方法,其特征在于,
同時進行上述前處理的工序和去除上述附著物的工序。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的清洗方法,其特征在于,
上述前處理包括為了進行上述蝕刻處理而照射氣體團簇的工序。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的清洗方法,其特征在于,
為了進行上述蝕刻處理而照射氣體團簇的工序是使用與在照射上述清洗用氣體的氣體團簇而去除附著物的工序中用于照射氣體團簇的生成機構(gòu)相同的生成機構(gòu)來進行照射的工序。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的清洗方法,其特征在于,
為了進行上述蝕刻處理而照射氣體團簇的工序是使用與在照射上述清洗用氣體的氣體團簇而去除附著物的工序中用于照射氣體團簇的生成機構(gòu)不同的生成機構(gòu)來進行照射的工序。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的清洗方法,其特征在于,
照射上述清洗用氣體的氣體團簇而去除附著物的工序是配置多個用于照射氣體團簇的生成機構(gòu)并自上述生成機構(gòu)照射氣體團簇的工序。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的清洗方法,其特征在于,
為了進行上述蝕刻處理而照射氣體團簇的工序是配置多個用于照射氣體團簇的生成機構(gòu)并自上述生成機構(gòu)照射氣體團簇的工序。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的清洗方法,其特征在于,
照射上述清洗用氣體的氣體團簇而去除附著物的工序在用于照射氣體團簇的生成機構(gòu)相對于被處理體的角度可變的狀態(tài)下進行。
10.根據(jù)權(quán)利要求4所述的清洗方法,其特征在于,
為了進行上述蝕刻處理而照射氣體團簇的工序在用于照射氣體團簇的生成機構(gòu)相對于被處理體的角度可變的狀態(tài)下進行。
11.一種處理裝置,其是用于自附著有附著物的被處理體的表面去除附著物的被處理體的處理裝置,其特征在于,
該處理裝置包括:
前處理室,其用于在內(nèi)部載置被處理體;
前處理模塊,其具有前處理機構(gòu),該前處理機構(gòu)用于對載置于上述前處理室內(nèi)的被處理體的表面或附著物中的至少一者進行包括蝕刻處理在內(nèi)的前處理;
清洗處理室,其用于在內(nèi)部載置被處理體;
氣體團簇噴嘴,其設(shè)于上述清洗處理室,用于自壓力比上述清洗處理室的內(nèi)部的處理氣氛的壓力高的區(qū)域向處理氣氛噴射與暴露于上述被處理體的表面上的膜之間不具有反應(yīng)性的清洗用氣體,通過絕熱膨脹生成上述清洗用氣體的作為原子的聚集體的氣體團簇或上述清洗用氣體的作為分子的聚集體的氣體團簇,并向前處理后的被處理體供給上述氣體團簇,以便去除上述附著物;以及
輸送機構(gòu),其用于相對于上述前處理室及上述清洗處理室進行被處理體的交接。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的處理裝置,其特征在于,
上述前處理室是內(nèi)部被保持為常壓氣氛的常壓處理室,其與在常壓氣氛下輸送被處理體的常壓輸送室相連接,
上述清洗處理室是內(nèi)部被保持為真空氣氛的真空處理室,其與在真空氣氛下輸送被處理體的真空輸送室氣密地連接,
在上述常壓輸送室與上述真空輸送室之間設(shè)有用于切換內(nèi)部的氣氛的加載互鎖室,
在上述常壓輸送室中設(shè)有作為上述輸送機構(gòu)的常壓輸送機構(gòu),在上述真空輸送室中設(shè)有作為上述輸送機構(gòu)的真空輸送機構(gòu)。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





