[發明專利]具有使公差被最優化的互連的圖像傳感器

有效

• 申請號: 201280032777.5
• 申請日: 2012-05-14
• 公開（公告）號: CN103636000B
• 公開（公告）日: 2017-11-17
• 發明（設計）人: 洛朗·布朗卡爾
• 申請（專利權）人: 德普伊辛迪斯制品公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司72001
• 代理人: 張金金,姜甜

1.一種成像傳感器，包括:

多個基板，所述多個基板包括第一基板和至少一個第二后續支持基板；

像素陣列；

多個互連；以及

支持電路；

其中，所述多個基板的第一基板包括像素陣列；

其中，所述支持電路設置在相對于所述第一基板遠距離設置的所述至少一個第二后續支持基板上；

其中，所述支持電路經由在所述第一基板和所述至少一個第二后續支持基板之間設置的多個互連而與所述像素陣列電連接并且電通信；

其中，所述第二后續支持基板被設置為相對于待成像物體而在所述像素陣列的后面；

其中，所述多個互連以大于所述像素陣列的像素間距的距離而相對于彼此隔開；

其中，所述像素陣列包括多個像素列，其中，每個像素列包括多個像素，并且所述支持電路包括多個電路列，每個電路列包括用于支持對應的像素列的電路。

2.根據權利要求1所述的成像傳感器，其中，所述成像傳感器是背面照明的。

3.根據權利要求1所述的成像傳感器，其中，所述多個基板還包括多個第二后續支持基板。

4.根據權利要求1所述的成像傳感器，其中，所述像素陣列覆蓋所述第一基板的表面的大部分。

5.根據權利要求1所述的成像傳感器，其中，所述像素陣列覆蓋超過所述第一基板的表面的百分之二十五。

6.根據權利要求1所述的成像傳感器，其中，所述像素陣列覆蓋超過所述第一基板的表面的百分之四十。

7.根據權利要求1所述的成像傳感器，其中，所述像素陣列覆蓋超過所述第一基板的表面的百分之七十。

8.根據權利要求1所述的成像傳感器，其中，所述像素陣列覆蓋超過所述第一基板的表面的百分之九十。

9.根據權利要求1所述的成像傳感器，其中，所述支持電路中的一個支持電路是模數轉換器。

10.根據權利要求1所述的成像傳感器，其中，所述支持電路中的一個支持電路是放大器電路。

11.根據權利要求1所述的成像傳感器，其中，所述至少一個第二后續支持基板與所述第一基板以堆疊構造在Z維上對齊。

12.根據權利要求1所述的成像傳感器，其中，所述第二后續支持基板設置在所述第一基板后面并且從所述第一基板橫向地移位。

13.根據權利要求2所述的成像傳感器，其中，所述第一基板主要由硅材料制成。

14.根據權利要求2所述的成像傳感器，其中，所述第一基板主要由“高阻抗”半導體材料制成。

15.根據權利要求2所述的成像傳感器，其中，所述第一基板主要由碲化鎘制成。

16.根據權利要求2所述的成像傳感器，其中，所述第一基板由III-V半導體材料制成。

17.根據權利要求2所述的成像傳感器，其中，所述第一基板由砷化鎵制成。

18.根據權利要求3所述的成像傳感器，其中，所述第一基板和所述多個第二后續支持基板對齊地堆疊，以使得在多層堆疊中形成多個通信列。

19.根據權利要求1所述的成像傳感器，其中，所述多個互連中的每個互連是凸塊，并且包括大于兩個像素寬的凸塊與凸塊距離。

20.根據權利要求19所述的成像傳感器，其中，凸塊與凸塊距離大于四個像素寬。

21.根據權利要求19所述的成像傳感器，其中，凸塊與凸塊距離大于八個像素寬。

22.根據權利要求19所述的成像傳感器，其中，凸塊間距大于

23.根據權利要求1所述的成像傳感器，其中，所述像素陣列包括多個像素列，其中，每個像素列包括多個像素；

其中，在所述像素陣列之內的所述多個像素列中的每個像素列從讀取自公共原點的第一列開始被讀取給總線，其中，第二列從第一行讀取，所述第一行不同于關于該第二列先前讀取的像素列并且不同于關于該第二列后續讀取的像素列。