[發明專利]用于多晶硅反應器的清潔工具

有效

• 申請號: 201280032284.1
• 申請日: 2012-06-29
• 公開（公告）號: CN103619498A
• 公開（公告）日: 2014-03-05
• 發明（設計）人: E·博維奧;P·莫里諾;D·加瓦
• 申請（專利權）人: MEMC電子材料有限公司
• 主分類號: B08B9/08
• 分類號: B08B9/08
• 代理公司: 北京市中咨律師事務所 11247
• 代理人: 秘鳳華;吳鵬

相關申請的交叉引用

本申請要求于2011年6月29日提交的美國臨時專利申請No.61/502,614的優先權，該申請的公開內容通過引用全部結合在本文中

技術領域

本文公開的內容總地涉及一種用于清潔多晶硅反應器的系統和方法，較具體地，涉及一種用于清潔多晶硅反應器內部的清潔工具。

背景技術

用在電子和太陽能工業中的超純多晶硅通常是通過在反應器中進行的化學氣相沉積（CVD）過程由氣態反應物的沉積生成的。

一種用于在CVD反應器中生產超純多晶硅的方法被稱為Siemens方法。設置在反應器中的硅棒用作開始該方法的籽晶。氣態的含硅反應物流經反應器并且使硅沉積在硅棒的表面上。該氣態反應物（即，氣態前體）為含硅烷化合物，例如鹵代硅烷（halosilanes）或甲硅烷（monosilanes）。反應物被加熱至1000℃以上的溫度，并且在這些條件下在硅棒的表面上分解。因此，硅根據下面的總反應式沉積在硅棒上：

2HSiCl₃→Si+2HCl+SiCl₄

在硅棒的表面上已沉積了一層預定厚度的硅以后，停止該過程。然后從CVD反應器中拔出硅棒100，并從該硅棒上收獲硅以進行下一步處理。

在拔出硅棒后，清潔反應器以去除沉積在反應器內表面上的硅和其他材料。在已知的系統中，該反應器通常由技術人員人工清潔。該技術人員通過朝內表面噴射去離子水來清潔反應器。

此背景技術部分用于向讀者介紹可能與下面將描述和/或要求保護的本申請的各方面相關的本領域的各方面。此部分內容相信有助于向讀者提供背景信息，以便于他們更好地理解本申請的各個方面。因此，應該理解的是，應該基于這種考慮來閱讀這些內容，而不能將其視為對現有技術的認可。

發明內容

一方面是提供一種用于清潔化學氣相沉積反應器鐘形殼（bell）的內表面的系統。該系統包括：用于連接到該反應器鐘形殼的凸緣上的框架；連接到該框架上的致動機構，該致動機構構造成在該反應器鐘形殼連接到該框架上時，在該反應器鐘形殼的內部空間內作垂直及轉動運動；至少一個與該致動機構連接的刷子，該刷子構造成與該反應器鐘形殼的內表面接觸；以及至少一個連接到該致動機構上的噴嘴，該噴嘴構造成朝該反應器鐘形殼的內表面引導液體流。

另一方面是提供一種利用刷子清潔化學氣相沉積反應器鐘形殼的內表面的方法。該方法包括：將該反應器鐘形殼定位在一框架上；操作第一致動器，以使刷子與該反應器鐘形殼的內表面接合；從一噴嘴朝該反應器鐘形殼的內表面引導液體流；以及操作第二致動器以轉動該刷子。

與上述各方面相關的特征包含有各種改進。上述各方面中也可以結合其他特征。這些改進和附加特征可以單獨存在或者以任意組合存在。例如，下面討論的任一示意性實施例中的各種特征都可以單獨或以任意組合結合在任何上述方面中。

附圖說明

圖1為用于清潔化學氣相沉積反應器的內表面的系統的立體圖；

圖2為圖1的系統的正視圖；

圖3為圖1的系統的俯視圖；

圖4為圖1中的虛線圓指示的圖1的系統的一部分的放大視圖；

圖5為圖1中的虛線圓指示的圖1的系統的一部分的放大視圖；以及

圖6為圖1中的虛線圓指示的圖1的系統的一部分的放大視圖。

各視圖中同樣的參考標號指代相同的元件。

具體實施方式

本文中描述的實施例總地涉及用于清潔化學氣相沉積（CVD）多晶硅反應器的內表面的系統和方法。該系統可被操作以便用液體沖洗內表面并用刷子擦洗內表面。該系統還可被操作以便用氣體流干燥內表面。

用于清潔CVD反應器的內表面的一種示例性系統在圖1-6中整體上由參考標號100表示。在使用過程中，系統100設置在CVD反應器的反應器鐘形殼102（概括地說，外殼）中。反應器鐘形殼102在圖1和2中以虛線示出。系統100可以可選地基本上是固定的，而鐘形殼可以通過升降器或其他合適的結構被降低或者圍繞該系統設置。