[發明專利]電子導電的層壓供體元件無效
| 申請號: | 201280032238.1 | 申請日: | 2012-06-15 |
| 公開(公告)號: | CN103828083A | 公開(公告)日: | 2014-05-28 |
| 發明(設計)人: | D.馬朱姆達;R.L.克勞斯;M.J.科里根 | 申請(專利權)人: | 伊斯曼柯達公司 |
| 主分類號: | H01L51/00 | 分類號: | H01L51/00 |
| 代理公司: | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 張萍;李炳愛 |
| 地址: | 美國*** | 國省代碼: | 美國;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 電子 導電 層壓 供體 元件 | ||
1.層壓供體元件,其按順序包含:
供體基底,
金屬網柵,其包含2條或更多條的金屬線,所述金屬線僅與部分所述供體基底直接接觸,從而使部分所述供體基底不被金屬網柵覆蓋,和
電子導電的聚合物層,其直接地覆蓋所述供體基底未被所述金屬網柵覆蓋的所述部分,并且任選地直接覆蓋至少一些所述金屬網柵,由此形成金屬網柵金屬與電子導電的聚合物的復合材料,
其中所述金屬網柵與電子導電的聚合物的復合材料在室溫下顯示出小于或等于40g/cm的從所述供體基底分離的剝離力。
2.權利要求1所述的層壓供體元件,其中所述金屬網柵與電子導電的聚合物層的復合材料在室溫下顯示出至少0.1?g/cm和高達并包括40?g/cm的從所述供體基底分離的剝離力。
3.權利要求1或2所述的層壓供體元件,其中所述金屬網柵包含銀。
4.權利要求1至3中任意項所述的層壓供體元件,其中將所述金屬網柵僅設置在部分的所述供體基底上。
5.權利要求1至4中任意項所述的層壓供體元件,其中將所述金屬網柵以預定的圖案僅設置在部分所述供體基底上,其中平行的金屬線平均以至少10nm分開。
6.權利要求1至5中任意項所述的層壓供體元件,其中所述金屬網柵與電子導電的聚合物的復合材料包含含取代或未取代的噻吩的聚合物和基本上由銀金屬線組成的金屬網柵。
7.權利要求1至6中任意項所述的層壓供體元件,其中所述供體基底是透明的并包含柔性材料。
8.權利要求1至7中任意項所述的層壓供體元件,其中所述金屬網柵覆蓋至少0.01%和高達并包括90%的所述供體基底表面積。
9.權利要求1至8中任意項所述的層壓供體元件,其中所述金屬網柵的各金屬線具有至少0.01μm和高達并包括?500μm的平均寬度、和至少0.01μm和高達并包括10μm的平均高度。
10.權利要求1、2、4、5以及7至9中任意項所述的層壓供體元件,其中所述金屬網柵是由選自銀、金、銅、鉑、鈀、錫、銦、鋁、及其混合物的至少一種金屬構成。
11.權利要求1至10中任意項所述的層壓供體元件,其中在其上設置有所述金屬網柵與導電聚合物復合材料的所述供體基底的所述表面是釋放表面。
12.權利要求1至11中任意項所述的層壓供體元件,其中所述金屬網柵與導電聚合物的復合材料中的所述電子導電的聚合物具有至少?0.01μm和高達并包括10μm的平均厚度。
13.權利要求1至12中任意項所述的層壓供體元件,其還包含在所述金屬網柵與導電聚合物復合材料上的粘合劑。
14.權利要求1至13中任意項所述的層壓供體元件,其中所述電子導電聚合物至少部分地覆蓋所述金屬網柵。
15.權利要求1至13中任意項所述的層壓供體元件,其中所述電子導電的聚合物完全地覆蓋所述金屬網柵。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發射的,如有機發光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇





