[發(fā)明專利]III族氮化物半導(dǎo)體元件及III族氮化物半導(dǎo)體元件的制造方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201280032130.2
• 申請日: 2012-06-29
• 公開（公告）號: CN103650263A
• 公開（公告）日: 2014-03-19
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 鹽谷陽平;善積祐介;京野孝史;住友隆道;上野昌紀;梁島克典;田才邦彥;中島博
• 申請（專利權(quán)）人: 住友電氣工業(yè)株式會社;索尼株式會社
• 主分類號: H01S5/042
• 分類號: H01S5/042;H01S5/343
• 代理公司: 中原信達知識產(chǎn)權(quán)代理有限責任公司 11219
• 代理人: 權(quán)太白;謝麗娜

1.一種III族氮化物半導(dǎo)體元件，其特征在于，

包括：氮化鎵系半導(dǎo)體的發(fā)光層；

第1接觸層，其設(shè)置于上述發(fā)光層上；

第2接觸層，其設(shè)置于上述第1接觸層上，與上述第1接觸層直接接觸；以及

金屬電極，其設(shè)置于上述第2接觸層上，與上述第2接觸層直接接觸，

上述第1接觸層及上述第2接觸層由p型的同一氮化鎵系半導(dǎo)體構(gòu)成，

上述第1接觸層的p型摻雜劑的濃度低于上述第2接觸層的p型摻雜劑的濃度，

上述第1接觸層與上述第2接觸層的界面自與沿c軸延伸的基準軸正交的面以50度以上且小于130度的角度傾斜，

上述發(fā)光層的發(fā)光波長為480nm以上600nm以下，

上述第2接觸層的膜厚為1nm以上50nm以下。

2.如權(quán)利要求1所述的III族氮化物半導(dǎo)體元件，其特征在于，上述第2接觸層的膜厚為1nm以上20nm以下。

3.如權(quán)利要求1或2所述的III族氮化物半導(dǎo)體元件，其特征在于，

還包括p型氮化鎵系半導(dǎo)體的包覆層，

上述包覆層設(shè)置于上述發(fā)光層與上述第1接觸層之間，

上述包覆層的帶隙大于上述第1接觸層的帶隙，

上述第1接觸層與上述包覆層直接接觸。

4.如權(quán)利要求3所述的III族氮化物半導(dǎo)體元件，其特征在于，

還包括由氮化鎵系半導(dǎo)體構(gòu)成的基板，

在上述基板的主面上依次設(shè)置有上述發(fā)光層、上述包覆層、上述第1及第2接觸層以及上述金屬電極，

上述主面自與上述基準軸正交的面以50度以上且小于130度的角度傾斜。

5.如權(quán)利要求1至4中任一項所述的III族氮化物半導(dǎo)體元件，其特征在于，上述第1接觸層的p型摻雜劑的濃度為5×10²⁰cm^-3以下。

6.如權(quán)利要求1至5中任一項所述的III族氮化物半導(dǎo)體元件，其特征在于，上述第2接觸層的p型摻雜劑的濃度為1×10²⁰cm^-3以上1×10²¹cm^-3以下。

7.如權(quán)利要求1至6中任一項所述的III族氮化物半導(dǎo)體元件，其特征在于，上述第1接觸層的p型摻雜劑的濃度為5×10¹⁸cm^-3以上5×10¹⁹cm^-3以下。

8.如權(quán)利要求5至7中任一項所述的III族氮化物半導(dǎo)體元件，其特征在于，上述p型摻雜劑為鎂。

9.如權(quán)利要求1至8中任一項所述的III族氮化物半導(dǎo)體元件，其特征在于，上述第1及第2接觸層由氮化鎵構(gòu)成。

10.如權(quán)利要求1至8中任一項所述的III族氮化物半導(dǎo)體元件，其特征在于，上述第1及第2接觸層為In_xAl_yGa_1-x-yN，其中，0≤x≤1，0≤y≤1，0≤1-x-y。

11.如權(quán)利要求1至10中任一項所述的III族氮化物半導(dǎo)體元件，其特征在于，上述發(fā)光層為In_xGa_1-xN，其中，0.15≤x<0.50。

12.如權(quán)利要求1至11中任一項所述的III族氮化物半導(dǎo)體元件，其特征在于，上述金屬電極由Pd、Au、或者Ni及Au構(gòu)成。