[發(fā)明專利]多層陶瓷基板及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201280032117.7
• 申請日: 2012-06-28
• 公開（公告）號: CN103650648B
• 公開（公告）日: 2017-06-09
• 發(fā)明（設計）人: 番場真一郎;福田寬
• 申請（專利權）人: 株式會社村田制作所
• 主分類號: H05K3/46
• 分類號: H05K3/46;H05K1/16
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司31100
• 代理人: 張鑫

技術領域

本發(fā)明涉及多層陶瓷基板及其制造方法，尤其涉及內置有電阻膜的多層陶瓷基板及其制造方法。

背景技術

例如在電池余量檢測電路的電池余量測定中，需要100ｍΩ以下的超低電阻的電流檢測用電阻體。此外，要求該電流檢測用電阻體具有例如不足100ppm/℃的TCR（電阻溫度系數(shù)）。

例如在日本專利特開2004-356306號公報（專利文獻1）中，公開了使用電阻體糊料來與陶瓷基板同時燒成而形成的帶電阻的陶瓷基板。該專利文獻1中，使用例如以氧化釕為主成分的糊料來作為電阻體糊料。然而，如果是氧化釕類的電阻體糊料，則存在無法以優(yōu)異TCR特性來實現(xiàn)100ｍΩ以下的超低電阻。

此外，在如專利文獻1所記載的技術那樣，將電阻膜內置于基板的情況下，在電阻膜的兩端連接引出電極以作為導體膜。然而，在該情況下，若電阻膜與導體膜的連接部的面積較大，則存在連接部上的合金化無法忽視、且對TCR特性產(chǎn)生影響的問題。因此，即使為了在低電阻的同時實現(xiàn)優(yōu)異的TCR特性而選擇包含例如Ni和Cu的材料來作為電阻材料，由于TCR特性會受到電阻膜與導體膜的連接部上的合金化的影響，導致難以獲得所期望的特性。

為解決上述問題，考慮利用過孔導體來引出電阻膜。據(jù)此，由于過孔導體的截面積與電阻膜的面積相比足夠小，因此能使電阻膜與過孔導體的連接部的面積與上述電阻膜與連接部的面積相比進一步地縮小，因而，能降低連接部上的合金化對TCR特性所造成的影響。例如在日本專利特開2009-147157號公報（專利文獻2）中，公開了將內置于多層陶瓷基板中的內部布線與過孔導體相連接的結構，此外還公開了利用與內部布線相同的方式來形成電阻。

然而，如上所述，若注重實現(xiàn)優(yōu)異的TCR特性而采用利用過孔導體來引出電阻膜的結構，則連接部的面積會變小，因此，之后會遇到電阻膜與過孔導體的連接可靠性下降的問題。

現(xiàn)有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本專利特開2004－356306號公報

專利文獻2：日本專利特開2009－147157號公報

發(fā)明內容

發(fā)明所要解決的技術問題

因此，本發(fā)明的目的在于解決上述問題，即，提供一種多層陶瓷基板及其制造方法，能以優(yōu)異的TCR特性來實現(xiàn)100ｍΩ以下的超低電阻，而且即使采用利用過孔導體來引出電阻膜的結構，也能在電阻膜與過孔導體之間獲得優(yōu)異的連接可靠性。

解決技術問題所采用的技術方案

本發(fā)明首先針對多層陶瓷基板。

本發(fā)明所涉及的多層陶瓷基板，包括：由被層疊的多個陶瓷層構成的陶瓷素域，包括形成在陶瓷層之間的電阻膜的電阻體，以及形成為在厚度方向上貫穿陶瓷層、且第一端部與電阻膜相連接的引出用過孔導體。并且，為了解決上述技術問題，具有如下特征，電阻膜和引出用過孔導體均至少包含構成合金類電阻材料的第一金屬成分和第二金屬成分，引出用過孔導體中的第二金屬成分的濃度具有在與電阻膜相連接的第一端部中較高、且從該第一端部向著相反的第二端部側逐漸變低的傾斜結構。

優(yōu)選為，所述第一金屬成分為Cu，所述第二金屬成分為Ni。

優(yōu)選為，所述電阻體包括分別形成在多個陶瓷層之間的多個電阻膜，以及用于對多個電阻膜進行并聯(lián)連接、且形成為在厚度方向上貫穿導體層并配置在互不相同的位置的多個并聯(lián)連接用過孔導體。由此，能減小電阻體的電阻值的偏差。就能夠進一步地減小電阻值的偏差這一點而言，優(yōu)選為電阻體包括三個以上的并聯(lián)連接用過孔導體。

優(yōu)選為，并聯(lián)連接用過孔導體由與所述電阻膜相同的材料制成。由此，能使電阻膜與并聯(lián)連接用能過孔導體之間難以產(chǎn)生各成分的擴散。其結果是，能降低電阻值的偏差，還能獲得優(yōu)異的TCR特性。

優(yōu)選為陶瓷層以BaO、SiO₂以及Al₂O₃為主要成分。特別是在電阻膜和引出用過孔導體包含Cu的情況下，以BaO、SiO₂以及Al₂O₃為主要成分的陶瓷層適用于在還原氣氛中與電阻膜以及過孔導體同時進行燒成的情況。