[發(fā)明專利]近場噪聲抑制薄膜有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201280032039.0 | 申請日: | 2012-06-27 |
| 公開(公告)號: | CN103636299A | 公開(公告)日: | 2014-03-12 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 加川清二 | 申請(專利權(quán))人: | 加川清二 |
| 主分類號: | H05K9/00 | 分類號: | H05K9/00;B32B15/08 |
| 代理公司: | 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021 | 代理人: | 雒運樸 |
| 地址: | 日本國*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 近場 噪聲 抑制 薄膜 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種廉價的噪聲抑制薄膜,其能夠吸收移動電話、智能手機(jī)等移動信息終端、個人計算機(jī)等電子儀器等中的近場的數(shù)百MHz至數(shù)GHz的電磁波。
背景技術(shù)
近年來,移動通信終端、電子儀器等在實現(xiàn)多功能化以及高性能化之外,還謀求小型化以及輕型化,在狹小的空間內(nèi)高密度地配置有電子元件,并且也謀求高速化。因此,電路或部件間的電磁波噪聲、尤其是是數(shù)百MHz至數(shù)GHz的高頻噪聲成為較大問題。為了抑制這樣的近場的電磁波噪聲,提出各種噪聲抑制薄膜的方案,并將其實用化。
這樣的噪聲抑制薄膜大多含有磁性材料以及/或者導(dǎo)電材料。例如,日本特開2010-153542號公開了一種電磁波噪聲抑制薄膜,其具有:基材;由含有Cu等金屬或者碳的顆粒、鱗片或者細(xì)線的導(dǎo)電性涂敷材料構(gòu)成的導(dǎo)電層;以及含有鐵酸鹽、山達(dá)斯特合金、高導(dǎo)磁鐵鎳合金等軟磁性材料的磁性涂敷材料構(gòu)成的磁性層。另外,日本特開2006-278433號公開有一種復(fù)合電磁波噪聲抑制薄膜,其例如將由具有Febal-Cu1-Si12.5-Nb3-Cr1-B12(原子%)的組成的非晶體薄片那樣的軟磁性體粉末與樹脂構(gòu)成的砑光加工后的兩枚以上的片進(jìn)行層疊,進(jìn)一步利用砑光加工實現(xiàn)一體化。然而,日本特開2010-153542號或者日本特開2006-278433號所公開的噪聲抑制薄膜皆不具有足夠的近場噪聲的吸收能力,且由于將磁性材料以及/或者導(dǎo)電材料煉入樹脂而成形為片,因此存在薄壁化困難且制造成本高這樣的問題。
日本特開2006-279912號公開有AlO、CoAlO、CoSiO等濺射薄膜,其作為近場電磁波噪聲抑制薄膜,相對于準(zhǔn)微波帶域所產(chǎn)生的電磁波噪聲,為了將其反射系數(shù)(S11)設(shè)為-10dB以下,并且將噪聲抑制效果(ΔPloss/Pin)設(shè)為0.5以上,將電阻值控制為與空間的特性阻抗Z(377Ω)整合的10~1000Ω/單位面積。然而,該近場電磁波噪聲抑制薄膜的電磁波吸收能力并不足夠。
日本特開2008-53383號公開有散熱特性優(yōu)異的電波吸收·密封薄膜,其包括:在面方向與厚度方向上導(dǎo)熱率不同的石墨薄膜;包含形成在其上的Fe、Co、FeSi、FeNi、FeCo、FeSiAl、FeCrSi、FeBSiC等軟磁性體;Mn-Zn系、Ba-Fe系、Ni-Zn系等鐵酸鹽;以及碳顆粒的軟磁性層。然而,該電波吸收·密封薄膜的電磁波吸收能力也并不足夠。
日本特開平05-226873號在實施例1中公開有一種電波吸收體,其在厚度為50μm的聚酰亞胺薄膜上蒸鍍有厚度為12nm的鎳之后,在空氣中以200℃加熱1小時,將獲得的熱處理鎳蒸鍍薄膜借助粘合劑進(jìn)行層疊而成。然而,在日本特開平05-226873號的技術(shù)方案中存在如下問題:(1)當(dāng)在聚對苯二甲酸乙二醇酯薄膜上利用蒸鍍法來形成的Ni薄膜的表面電阻為數(shù)十Ω/單位面積左右時,相對于近場電磁波噪聲具有優(yōu)異的吸收能力,但精度良好地形成這樣薄的Ni薄膜是非常困難的,實際上形成的Ni薄膜的表面電阻存在較大不均,以及(2)這樣薄的Ni薄膜的表面電阻受到較大經(jīng)時變化,為了完全穩(wěn)定而不僅需要長時間,通過其間的環(huán)境條件(溫度、濕度等)使表面電阻的經(jīng)時變化不同。
因而,在日本特開平05-226873號中并不具有減弱電磁波吸收能力的不均以及經(jīng)時變化且穩(wěn)定具有優(yōu)異的電磁波吸收能力這樣的目的。因此,日本特開平05-226873號中的熱處理條件擴(kuò)大為50~400℃以及30分鐘~5小時,在實施例1中為200℃以及1小時。另外,日本特開平05-226873號中沒有對Ni薄膜的熱處理時的薄膜的熱收縮問題進(jìn)行任何研究。因此,日本特開平05-226873號中,作為Ni薄膜的基材,舉出了聚酰亞胺、聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚苯硫醚、聚氯乙烯等塑料薄板、黃銅、銅、鐵、不銹鋼、鋁等金屬,在實施例1中使用了聚酰亞胺薄膜這樣的在熱處理溫度下不進(jìn)行熱收縮的耐熱性樹脂。
日本特開2006-295101號公開了一種平均厚度為2~100nm的噪聲抑制體,其具有支承體、形成在所述支承體上的鎳薄膜,從鎳薄膜的表面電阻的實測值換算出的體積電阻率R1(Ω·cm)與鎳的體積電阻率R0(Ω·cm)滿足0.5≤logR1-logR0≤3的條件。在薄膜中鎳形成微小的組(cluster)。但是,日本特開2006-295101號對熱處理沒有進(jìn)行任何記載。
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