[發明專利]近場噪聲抑制薄膜

有效

• 申請號: 201280032039.0
• 申請日: 2012-06-27
• 公開（公告）號: CN103636299A
• 公開（公告）日: 2014-03-12
• 發明（設計）人: 加川清二
• 申請（專利權）人: 加川清二
• 主分類號: H05K9/00
• 分類號: H05K9/00;B32B15/08
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 雒運樸

1.一種噪聲抑制薄膜，該噪聲抑制薄膜降低電磁波噪聲吸收能力的不均，其特征在于，

利用蒸鍍法在由聚對苯二甲酸乙二醇酯構成的延伸塑料薄膜的一方的面上形成有Ni薄膜，然后在能夠引起熱收縮的110～170℃的范圍內的溫度下進行10分鐘～1小時熱處理，由此形成所述噪聲抑制薄膜，(a)所述Ni薄膜的透光率(波長為660nm的激光)為3～50％，(b)在所述Ni薄膜的10cm×10cm的正方形的試驗片TP的對置邊部配置具有覆蓋邊整體的長度的一對電極，通過平坦的加壓板施加3.85kg的載荷而測定出的表面電阻為10～200Ω/單位面積。

2.根據權利要求1所述的噪聲抑制薄膜，其特征在于，

所述Ni薄膜的熱處理溫度為130～160℃。

3.根據權利要求1或2所述的噪聲抑制薄膜，其特征在于，

所述Ni薄膜的熱處理時間為20～40分鐘。

4.根據權利要求1至3中的任一項所述的噪聲抑制薄膜，其特征在于，

在所述Ni薄膜的表面上層疊有保護薄膜。