[發明專利]關于包括多存儲器裸片的半導體封裝體的布置和方法有效

申請號：	201280031853.0	申請日：	2012-06-26
公開（公告）號：	CN103620777A	公開（公告）日：	2014-03-05
發明（設計）人：	S·蘇塔德加	申請（專利權）人：	馬維爾國際貿易有限公司
主分類號：	H01L25/065	分類號：	H01L25/065
代理公司：	北京市金杜律師事務所 11256	代理人：	酆迅;張寧
地址：	巴巴多斯***	國省代碼：	巴巴多斯;BB
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摘要：
搜索關鍵詞：	關于包括存儲器半導體封裝布置方法
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【說明書】：

相關申請的交叉引用

本公開要求2012年6月25日提交的美國專利申請No.13/532,444的優先權，該美國專利申請要求2011年6月27日提交的美國臨時專利申請No.61/501，672和2012年5月3日提交的美國臨時專利申請No.61/642，364的優先權，這里通過引用將它們的除了與本公開不一致的那些部分(如果存在的話)以外的整個內容并入本文。

技術領域

本公開的實施例涉及集成電路的領域，并且更特別地涉及半導體芯片封裝的技術、結構和配置。

背景技術

這里提供的背景技術描述用于一般性地呈現本公開的上下文的目的。就在本背景技術部分中描述當前所稱的發明人的工作以及在提交時可能不會被另外稱為現有技術的描述的方面而言，當前所稱的發明人的工作既不明確也不隱含地承認為本公開的現有技術。

半導體裸片的尺寸持續減小。更具體而言，包括片上系統(SOC)配置的半導體裸片和被配置為諸如例如動態隨機存取存儲器(DRAM)之類的存儲器裸片的半導體裸片變得越來越小。半導體裸片的尺寸的這種減小會帶來各種半導體封裝布置內的裸片疊置中的問題。

發明內容

在各種實施例中，提供有一種方法，該方法包括提供多存儲器裸片，該多存儲器裸片包括多個單獨存儲器裸片。每個單獨存儲器裸片限定為存儲器裸片的生產過程中的半導體材料的晶片內的單獨存儲器裸片。多存儲器裸片是通過將半導體材料的晶片單片化為存儲器裸片來創建的，其中存儲器裸片中的至少一個是包括仍物理連接在一起的多個單獨存儲器裸片的多存儲器裸片。該方法進一步包括將半導體裸片耦合到多存儲器裸片。

本公開還提供一種裝置，該裝置包括多存儲器裸片，該多存儲器裸片包括多個單獨存儲器裸片。每個單獨存儲器裸片限定為在存儲器裸片的生產過程中的半導體材料的晶片內的單獨存儲器裸片。多存儲器裸片是通過將半導體材料的晶片單片化為存儲器裸片來創建的，其中存儲器裸片中的至少一個是包括仍物理連接在一起的多個單獨存儲器裸片的多存儲器裸片。該裝置進一步包括耦合到多存儲器裸片的半導體裸片。

附圖說明

通過以下結合附圖作出的詳細描述將容易地理解實施例。在附圖的圖中是通過示例的方式而不是通過限制的方式來圖示實施例的。

圖1A和圖1B示意性地圖示了配置有存儲器裸片的半導體材料的晶片的示例。

圖2A和圖2B示意性地圖示了耦合到多存儲器裸片的半導體裸片，該多存儲器裸片包括多個單獨動態隨機存取存儲器(DRAM)裸片。

圖2C和圖2D示意性地圖示了耦合到多存儲器裸片的半導體裸片的示例的頂視圖，該多存儲器裸片包括多個單獨存儲器裸片。

圖3A和圖3B示意性地圖示了耦合到多存儲器裸片的半導體裸片的封裝布置的示例，該多存儲器裸片包括多個單獨存儲器裸片。

圖4A和圖4B示意性地圖示了耦合到多存儲器裸片的半導體裸片的封裝布置的其它示例，該多存儲器裸片包括多個單獨存儲器裸片。

圖5A至圖5C示意性地圖示了耦合到多存儲器裸片的半導體裸片的封裝布置的其它示例，該多存儲器裸片包括多個單獨存儲器裸片。

圖6A和圖6B示意性地圖示了耦合到多存儲器裸片的半導體裸片的封裝布置的其它示例，該多存儲器裸片包括多個單獨存儲器裸片。

圖7示意性地圖示了包括多個單獨存儲器裸片的多存儲器裸片的封裝布置的示例。

圖8A示意性地圖示了包括兩個多存儲器裸片的封裝布置的示例的頂視圖，這兩個多存儲器裸片中的每一個都包括兩個單獨存儲器裸片。

圖8B示意性地圖示了圖8A所示封裝布置的透視圖。