[發明專利]關于包括多存儲器裸片的半導體封裝體的布置和方法

有效

• 申請號: 201280031853.0
• 申請日: 2012-06-26
• 公開（公告）號: CN103620777A
• 公開（公告）日: 2014-03-05
• 發明（設計）人: S·蘇塔德加
• 申請（專利權）人: 馬維爾國際貿易有限公司
• 主分類號: H01L25/065
• 分類號: H01L25/065
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 酆迅;張寧

1.一種方法，包括：

提供多存儲器裸片，所述多存儲器裸片包括多個單獨存儲器裸片，其中

所述單獨存儲器裸片中的每一個限定為在存儲器裸片生產過程中的半導體材料晶片內的單獨存儲器裸片，以及

所述多存儲器裸片是通過將所述半導體材料晶片單片化為存儲器裸片來創建的，其中所述存儲器裸片中的至少一個為多存儲器裸片，所述多存儲器裸片包括仍物理連接在一起的多個單獨存儲器裸片；以及

將半導體裸片耦合到所述多存儲器裸片。

2.根據權利要求1所述的方法，其中所述半導體裸片包括片上系統。

3.根據權利要求1所述的方法，其中：

經由粘附劑將所述半導體裸片耦合到所述多存儲器裸片，使得所述半導體裸片位于定位在所述單獨存儲器裸片中的兩個單獨存儲器裸片上的輸入/輸出焊盤之間；以及

所述方法進一步包括：經由導線鍵合工藝將所述半導體裸片耦合到所述多存儲器裸片，所述導線鍵合工藝將所述半導體裸片耦合到所述輸入/輸出焊盤。

4.根據權利要求3所述的方法，進一步包括：經由倒裝芯片工藝或導線鍵合工藝中的一種，將所述多存儲器裸片耦合到襯底。

5.根據權利要求1所述的方法，其中經由倒裝芯片工藝將所述半導體裸片耦合到所述多存儲器裸片。

6.根據權利要求5所述的方法，進一步包括：經由倒裝芯片工藝或導線鍵合工藝中的一種，將所述多存儲器裸片耦合到襯底。

7.根據權利要求6所述的方法，其中：

經由倒裝芯片工藝將所述多存儲器裸片耦合到所述襯底；以及

所述方法進一步包括：經由在所述多存儲器裸片內限定的硅通孔，將所述半導體裸片耦合到所述襯底。

8.根據權利要求7所述的方法，進一步包括：在所述多存儲器裸片與所述襯底之間提供鈍化材料。

9.根據權利要求8所述的方法，進一步包括：在(i)所述半導體裸片的頂表面、(ii)所述多存儲器裸片的頂表面和(iii)所述襯底的頂表面中的至少一部分之上提供模制體。

10.根據權利要求1所述的方法，其中所述半導體裸片包括另一多存儲器裸片。

11.一種裝置，包括：

多存儲器裸片，所述多存儲器裸片包括多個單獨存儲器裸片，其中

所述單獨存儲器裸片中的每一個限定為在存儲器裸片生產過程中的半導體材料晶片內的單獨存儲器裸片，并且

所述多存儲器裸片是通過將所述半導體材料晶片單片化為存儲器裸片來創建的，其中所述存儲器裸片中的至少一個為多存儲器裸片，所述多存儲器裸片包括仍物理連接在一起的多個單獨存儲器裸片；以及

耦合到所述多存儲器裸片的半導體裸片。

12.根據權利要求11所述的裝置，其中所述半導體裸片包括片上系統。

13.根據權利要求11所述的裝置，其中：

所述半導體裸片經由粘附劑耦合到所述多存儲器裸片，使得所述半導體裸片位于定位在所述單獨存儲器裸片中的兩個單獨存儲器裸片上的輸入/輸出焊盤之間；以及

所述半導體裸片經由導線鍵合工藝耦合到所述多存儲器裸片，所述導線鍵合工藝將所述半導體裸片耦合到所述輸入/輸出焊盤。

14.根據權利要求13所述的裝置，進一步包括：襯底，所述襯底經由倒裝芯片工藝或導線鍵合工藝中的一種耦合到所述多存儲器裸片。

15.根據權利要求11所述的裝置，其中所述半導體裸片經由倒裝芯片工藝耦合到所述多存儲器裸片。

16.根據權利要求15所述的裝置，進一步包括：襯底，所述襯底經由倒裝芯片工藝或導線鍵合工藝中的一種耦合到所述多存儲器裸片。

17.根據權利要求16所述的裝置，其中：

所述多存儲器裸片經由倒裝芯片工藝耦合到所述襯底；以及

所述半導體裸片經由限定在所述多存儲器裸片內的硅通孔耦合到所述襯底。

18.根據權利要求17所述的裝置，進一步包括：在所述多存儲器裸片與所述襯底之間的鈍化材料。