[發明專利]投射設備

有效

• 申請號: 201280030365.8
• 申請日: 2012-06-19
• 公開（公告）號: CN103620500B
• 公開（公告）日: 2018-09-18
• 發明（設計）人: R.弗賴曼;B.比特納
• 申請（專利權）人: 卡爾蔡司SMT有限責任公司
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20;G02B26/06
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 邱軍

一種用于使光刻結構信息成像的投射設備(1)，包含：光學元件(2)，其至少部分具有由導電層材料構成的涂層(14)。涂層(14)包含連續區域(100)，該連續區域不具有遮擋投射光的元件。在該情況下，取決于溫度變化，層材料和/或光學元件(2)改變光學特性，尤其是折射率或光學路徑長度。提供至少一個單元(3)，用于將能量耦合進層材料中，該至少一個單元耦合能量使得層材料將耦合的能量轉變為熱能。層材料可包含石墨烯、鉻和硫化鉬(MoS₂)。

相關申請的交叉引用

本申請要求于2011年6月20日提交的德國專利申請No.10 2011 077784.9的優先權。通過引用，將該專利申請的全文并入本申請。

技術領域

本發明涉及一種投射設備，例如用于使光刻結構成像。

背景技術

集成電路以及其他微結構化或納米結構化部件的工業制造通常利用光刻方法實現。在該情況中，多個圖案化層施加至適當的基板上，例如半導體晶片。為了圖案化該層，該層首先覆蓋有對特定波長范圍內的輻射敏感的光刻膠。有利的是，使用具有盡可能短的波長的光用于曝光，因為待制造的結果的橫向分辨率直接取決于光的波長。目前，特別的是，使用深紫外(DUV：深紫外，VUV：真空紫外)，或遠紫外、極紫外光譜范圍內的光或輻射。這還稱為EUV＝極紫外。

DUV或VUV系統的慣用光波長通常為248nm、193nm，有時為157nm。為了獲得甚至更高的光刻分辨率，使用直到具有幾個納米波長的軟X射線輻射(EUV)的輻射。對于具有13.5nm的波長的光，例如可制造用于光刻目的的輻射源和光學單元。

因此，涂覆有光刻膠的相應晶片通過曝光設備曝光。在該情況中，借助于投射透鏡，在掩模或掩模母版上制造的結構圖案成像在光刻膠上。因為EUV輻射被物質大大地吸收，所以日益使用反射光學單元和掩模。折射光學單元通常用于大約為193nm的輻射。

在光刻膠顯影后，晶片經受化學處理，因此，晶片的表面根據掩模上的圖案而被圖案化。然后，將未被處理的殘留光刻膠從層的剩余部分沖洗掉。用于半導體制造或處理的其他已知方法，例如摻雜等可隨后進行。重復該工藝直到所有層都已施加至晶片以形成半導體結構為止。

在光刻微結構或納米結構成像在晶片表面上期間，通常不曝光整個晶片，而是僅曝光窄的區域。通常逐塊地或逐槽地曝光晶片表面。在該情況中，晶片和掩模母版或掩模二者被逐步掃描且相對于彼此反平行移動。在該情況中，曝光區域常常為矩形區域。

由于在形成光學系統的透鏡元件或反射鏡中對投射光的吸收，可出現成像像差。例如非均勻加熱的光致效應可引起透鏡元件或反射鏡的光學特性的局部變化。特別地，為了可將微光刻結構盡可能無瑕疵地成像在晶片上，設想用于補償這種成像像差的機構。

舉例而言，EP 1921505提出在光瞳平面附近施加加熱線至單獨可驅動的光學元件的表面。WO 2007/0 333 964 A1提出反射鏡形式的自適應光學元件，該光學元件在反射層下方具有可被熱操縱的校正層。

然而，可期望具有這樣的措施，尤其在透射光操作中，這些措施使得可補償由投射光導致的成像像差，并且優選在不引起遮擋的情況下實現該作用。

發明內容

因此，本發明的目的是提供改進的投射設備。

該目的利用包含專利權利要求1的特征的投射設備來實現。

從而，提出用于使光刻結構信息成像的投射設備，其包含：光學元件，其至少部分具有由導電層材料構成的涂層，其中該涂層包含連續區域，該連續區域不具有遮擋投射光的元件，并且層材料和/或光學元件根據溫度變化改變光學特性，尤其是折射率或光學路徑長度。該投射設備還包含用于將能量耦合進層材料中使得層材料將耦合的能量轉變為熱能的至少一個單元。