[發(fā)明專利]投射設(shè)備

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201280030365.8
• 申請日: 2012-06-19
• 公開（公告）號: CN103620500B
• 公開（公告）日: 2018-09-18
• 發(fā)明（設(shè)計）人: R.弗賴曼;B.比特納
• 申請（專利權(quán)）人: 卡爾蔡司SMT有限責任公司
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20;G02B26/06
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 邱軍

1.一種投射設(shè)備(1)，包含：

光學元件(2)；

包括連續(xù)區(qū)域的涂層，由所述光學元件支撐，所述涂層包括從由石墨烯、鉻和MoS₂構(gòu)成的組中選擇的導電材料；以及

耦合單元(3)，構(gòu)造成在設(shè)備使用期間將能量耦合進所述導電材料中，使得所述導電材料將耦合的能量轉(zhuǎn)變?yōu)闊崮?，從而在連續(xù)區(qū)域中產(chǎn)生期望的幾何溫度分布，

其中，

所述投射設(shè)備是光刻投射設(shè)備，其構(gòu)造成在設(shè)備使用期間，投射光完全在所述涂層的連續(xù)區(qū)域內(nèi)照在所述涂層上；

所述涂層的連續(xù)區(qū)域不具有在設(shè)備使用期間遮擋投射光的元件；

取決于溫度變化，從由導電材料和光學元件構(gòu)成的組中選擇的至少一個成員改變光學特性；

光學元件的整個光學使用區(qū)域由導電材料覆蓋，

其中，所述連續(xù)區(qū)域直接在光學元件上借助化學氣相沉積而產(chǎn)生。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的投射設(shè)備(1)，其中，耦合單元(3)橫向地布置在所述連續(xù)區(qū)域(100)外部。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的投射設(shè)備(1)，其中，所述導電材料具有線性電阻。

4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項所述的投射設(shè)備(1)，其中，所述導電材料僅包含單層和/或多層石墨烯。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的投射設(shè)備(1)，其中，所述導電材料包含摻雜的傳導石墨烯。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的投射設(shè)備(1)，其中，所述石墨烯通過化學氣相沉積制造。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的投射設(shè)備(1)，其中，所述涂層具有凹槽(46)，該凹槽的寬度小于所用投射光的波長。

8.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項所述的投射設(shè)備(1)，其中，所述單元(3)適于耦合電能、磁能和/或電磁能。

9.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項所述的投射設(shè)備，其中，所述耦合單元(3)實施為位于所述連續(xù)區(qū)域的邊緣處的電接觸部(15-20，26-33)，具有多個電極。

10.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項所述的投射設(shè)備(1)，其中，所述耦合單元(3)包含線圈裝置(34-41)。

11.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項所述的投射設(shè)備，還包含用于冷卻所述涂層(14)的裝置(21，55)。

12.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項所述的投射設(shè)備(1)，其中，所述連續(xù)區(qū)域(100)包含至少20mm²的面積。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的投射設(shè)備(1)，其中，所述連續(xù)區(qū)域(100)包含至少24mm²的面積。

14.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項所述的投射設(shè)備(1)，其中，所述涂層(14)具有對波長為193nm的投射光至少80％的透明度。

15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的投射設(shè)備(1)，其中，所述涂層(14)具有對波長為193nm的投射光至少95％的透明度。

16.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項所述的投射設(shè)備(1)，其中，所述投射設(shè)備(1)被適配為使得借助于所述耦合單元(3)對所述導電材料的加熱大于所述光學元件(2)通過吸收投射光的加熱。

17.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項所述的投射設(shè)備(1)，其中，所述光學元件(2)是折射元件。

18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的投射設(shè)備(1)，其中，所述光學元件(2)是透鏡元件。