[發明專利]具有多個層疊的半導體設備及方法

有效

• 申請號: 201280028890.6
• 申請日: 2012-04-27
• 公開（公告）號: CN103620781B
• 公開（公告）日: 2017-02-15
• 發明（設計）人: 丹沢徹
• 申請（專利權）人: 美光科技公司
• 主分類號: H01L27/115
• 分類號: H01L27/115;H01L21/8247
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司11287
• 代理人: 孫寶成

優先權申請案

本申請案主張來自2011年4月28日提出申請的第13／096,822號美國申請案的優先權權益，所述美國申請案以全文引用的方式并入本文中。

技術領域

背景技術

已在許多電子裝置(例如個人數字助理(PDA)、膝上型計算機、移動電話及數碼相機)中使用具有多層疊的半導體構造。這些半導體構造中的一些半導體構造具有電荷存儲晶體管的陣列。

發明內容

附圖說明

在隨附圖式的圖中通過實例而非限制方式圖解說明一些實施例，其中：

圖1是根據本發明的各種實施例的半導體存儲器裝置的三維視圖；

圖2是根據本發明的各種實施例的半導體構造的前視圖；

圖3是根據本發明的各種實施例的半導體構造的前視圖；

圖4是根據本發明的各種實施例的半導體構造的前視圖；

圖5是根據本發明的各種實施例的半導體構造的俯視圖；

圖6是根據本發明的各種實施例的半導體構造的俯視圖；

圖7是根據本發明的各種實施例的半導體構造的俯視圖；

圖8是根據本發明的各種實施例的半導體構造的俯視圖；

圖9是根據本發明的各種實施例的半導體構造的俯視圖；

圖10是根據本發明的各種實施例的半導體構造的俯視圖；

圖11是根據本發明的各種實施例的解碼器晶體管的三維視圖；

圖12是根據本發明的各種實施例的存儲器單元的三維視圖；

圖13是根據本發明的各種實施例的半導體構造的示意圖；

圖14是根據本發明的各種實施例的半導體構造的俯視圖。

圖15是根據本發明的各種實施例的半導體構造的截面圖。

圖16是根據本發明的各種實施例的半導體構造的截面圖。

圖17是根據本發明的各種實施例的半導體存儲器裝置的透視圖。

圖18是根據本發明的各種實施例的半導體構造的示意圖。

圖19是根據本發明的各種實施例的半導體構造的截面圖。

圖20是根據本發明的各種實施例的半導體構造的截面圖。

圖21是根據本發明的各種實施例的半導體存儲器裝置的截面圖。

圖22是根據本發明的各種實施例的半導體存儲器裝置的截面圖。

圖23是根據本發明的各種實施例的方法的流程圖；且

圖24是圖解說明根據本發明的各種實施例的系統的圖式。

具體實施方式

三維半導體裝置中的組件密度隨競爭而不斷增加以增加裝置的銷售。本發明人已發現，可通過在多個半導體材料層疊中的每一層疊中制作相應第一裝置的至少相應部分及相應第二裝置的至少一部分而解決上文所提及的挑戰以及其它挑戰。舉例來說，在存儲器裝置的同一半導體材料層疊中制作外圍電路(例如存取線解碼器電路或數據線多路復用電路)的三維晶體管的一部分及三維存儲器單元的一部分。所得存儲器裝置可在無需用以制作至少一個外圍電路的晶體管的顯著額外處理事件的情況下提供增加的存儲器單元密度。