[發(fā)明專利]具有多個(gè)層疊的半導(dǎo)體設(shè)備及方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201280028890.6
• 申請(qǐng)日: 2012-04-27
• 公開（公告）號(hào): CN103620781B
• 公開（公告）日: 2017-02-15
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 丹沢徹
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 美光科技公司
• 主分類號(hào): H01L27/115
• 分類號(hào): H01L27/115;H01L21/8247
• 代理公司: 北京律盟知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司11287
• 代理人: 孫寶成

1.一種設(shè)備，其包括多個(gè)半導(dǎo)體材料層疊：

存儲(chǔ)器單元的一部分，其在所述半導(dǎo)體材料層疊中的特定一者中；及

外圍晶體管的一部分，其在所述半導(dǎo)體材料層疊中的所述特定一者中。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中：

所述存儲(chǔ)器單元的所述部分包括存取線；且

所述晶體管的所述部分包括解碼器晶體管的源極、溝道及／或漏極。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中：

所述存儲(chǔ)器單元的所述部分包括存儲(chǔ)器單元晶體管的主體；且

所述晶體管的所述部分包括外圍晶體管的主體。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其進(jìn)一步包括：

第一半導(dǎo)體材料柱，其鄰近于所述半導(dǎo)體材料層疊中的所述特定一者，在所述第一柱中具有所述存儲(chǔ)器單元的另一部分；及

第二半導(dǎo)體材料柱，其鄰近于所述半導(dǎo)體材料層疊中的所述特定一者，在所述第二柱中具有所述外圍晶體管的另一部分。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的設(shè)備，其中所述第一柱與所述第二柱由所述相同半導(dǎo)體材料形成。

6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的設(shè)備，其中：

所述存儲(chǔ)器單元的所述另一部分包括所述存儲(chǔ)器單元的源極、溝道及／或漏極；且

所述解碼器晶體管的所述另一部分包括所述外圍晶體管的柵極。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中所述存儲(chǔ)器單元的所述部分耦合到所述外圍晶體管的所述部分。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中所述存儲(chǔ)器單元的所述部分耦合到形成于所述層疊中的不同層疊中的另一外圍晶體管的一部分。

9.一種設(shè)備，其包括：

多個(gè)半導(dǎo)體材料層疊；及

狹槽，其穿過所述半導(dǎo)體材料層疊以將所述半導(dǎo)體材料層疊的第一部分與所述半導(dǎo)體材料層疊的第二部分分離，

其中每一半導(dǎo)體材料層疊包括在所述半導(dǎo)體材料層疊的所述第一部分中的相應(yīng)存儲(chǔ)器單元的相應(yīng)部分及在所述半導(dǎo)體材料層疊的所述第二部分中的相應(yīng)外圍晶體管的相應(yīng)部分。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的設(shè)備，其中所述半導(dǎo)體材料層疊的所述第一部分中的存儲(chǔ)器單元的每一部分耦合到所述半導(dǎo)體材料層疊的所述第二部分中的相應(yīng)外圍晶體管的所述部分中的相應(yīng)一者。

11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的設(shè)備，其中所述存儲(chǔ)器單元的所述部分包括所述存儲(chǔ)器單元的存取線，且其中所述外圍晶體管的所述部分包括解碼器晶體管的源極、溝道及／或漏極。

12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的設(shè)備，其進(jìn)一步包括延伸穿過多個(gè)所述半導(dǎo)體材料層疊的第一半導(dǎo)體材料柱，所述第一半導(dǎo)體材料柱包括所述存儲(chǔ)器單元中的至少一者的源極、溝道及／或漏極。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的設(shè)備，其進(jìn)一步包括延伸穿過所述多個(gè)所述半導(dǎo)體材料層疊的第二半導(dǎo)體材料柱，所述第二半導(dǎo)體材料柱包括所述外圍晶體管中的至少一者的柵極。

14.根據(jù)權(quán)利要求9所述的設(shè)備，其中所述半導(dǎo)體材料包括n型多晶硅。

15.一種設(shè)備，其包括：

第一半導(dǎo)體材料的多個(gè)層疊，每一層疊包括相應(yīng)存儲(chǔ)器單元的存取線以及相應(yīng)外圍晶體管的源極、溝道及／或漏極；及

第二半導(dǎo)體材料的多個(gè)柱，其延伸穿過所述第一半導(dǎo)體材料的所述層疊，所述柱中的第一者包括所述存儲(chǔ)器單元中的至少一者的源極、溝道及／或漏極，且所述柱中的第二者包括所述外圍晶體管中的至少一者的柵極。

16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的設(shè)備，其中每一存取線耦合到所述外圍晶體管中的相應(yīng)一者的所述源極及所述漏極中的一者。

17.根據(jù)權(quán)利要求15所述的設(shè)備，其中：

所述第一半導(dǎo)體材料包括n型硅；且

所述第二半導(dǎo)體材料包括多晶硅。

18.根據(jù)權(quán)利要求15所述的設(shè)備，其中所述外圍晶體管中的每一者包括多個(gè)柵極。