[發明專利]電子照相感光構件、處理盒和電子照相設備

有效

• 申請號: 201280026647.0
• 申請日: 2012-05-28
• 公開（公告）號: CN103562798B
• 公開（公告）日: 2016-10-12
• 發明（設計）人: 高橋孝治;植松弘規;滿居隆浩;川井康裕;西田孟;小川英紀
• 申請（專利權）人: 佳能株式會社
• 主分類號: G03G5/147
• 分類號: G03G5/147;G03G21/00
• 代理公司: 北京魏啟學律師事務所 11398
• 代理人: 魏啟學

技術領域

本發明涉及電子照相感光構件、處理盒和電子照相設備。

背景技術

將如充電和清潔等的電的外力和機械的外力施加至電子照相感光構件的表面。因此，要求電子照相感光構件對這些外力的耐久性(如耐磨耗性)。

為了滿足該要求，在相關領域中使用例如在電子照相感光構件的表面層中使用耐磨耗性高的樹脂(如固化性樹脂)的改進技術。

另一方面，由提高電子照相感光構件表面的耐磨耗性引起的問題的實例包括圖像缺失。認為圖像缺失通過如下引起：通過將電子照相感光構件表面充電產生的氧化性氣體如臭氧和氮氧化物使電子照相感光構件的表面層用材料劣化，或者由于水分吸附引起的電子照相感光構件表面的低電阻化。電子照相感光構件表面的耐磨耗性越高，越難以恢復電子照相感光構件的表面(除去引起圖像缺失的物質如劣化材料和吸附的水分)，更可能產生圖像缺失。

作為圖像缺失的改進技術，專利文獻1公開了通過干式噴射(dry?blasting)或濕式珩磨(wet?honing)在電子照相感光構件表面上形成淺凹狀凹部的技術。根據專利文獻1，在電子照相感光構件表面上設置多個淺凹狀凹部；由此，從初始階段至約5000張可抑制圖像缺失。

專利文獻2公開了抑制圖像缺失的技術，其中在電子照相感光構件表面上設置基于每100μm×100μm正方形為76個以上且1,000個以下的具有開口部平均長徑為不小于3.0μm且不大于14.0μm的凹部，從而即使在高溫高濕環境下也保持從初始階段至約50000張的高的點再現性。

專利文獻3公開了具有圖案化表面的成像構件。

引文列表

專利文獻

專利文獻1：日本專利3938209

專利文獻2：日本專利申請特開2007-233355

專利文獻3：日本專利申請特開2011-22578

發明內容

發明要解決的問題

然而，專利文獻1中公開的技術僅抑制相對初始階段時的圖像缺失。另外，在充電設備附近顯著產生的圖像缺失方面的技術存在改進余地。此外，在高溫高濕環境下電子照相設備放置數天的情況下經常產生的電子照相設備啟動后即刻的圖像缺失方面的技術存在改進余地。

專利文獻2中公開的技術在如下方面也存在改進余地：在充電設備附近顯著產生的圖像缺失，和在高溫高濕環境下電子照相設備放置數天的情況下經常產生的電子照相設備啟動后即刻的圖像缺失。

即使通過使用專利文獻3中公開的技術，也沒有獲得抑制如下方面的充分效果：在充電設備附近產生的圖像缺失，和在高溫高濕環境下電子照相設備放置數天的情況下經常產生的電子照相設備啟動后即刻的圖像缺失。

本發明的目的在于提供難以產生圖像缺失的電子照相感光構件，以及具有該電子照相感光構件的處理盒和電子照相設備。

用于解決問題的方案

本發明為包括支承體和在支承體上形成的感光層的電子照相感光構件，其中電子照相感光構件的表面包括多個凹部和除凹部以外的部分，各凹部具有深度為0.5至5μm和開口部最長徑為20至80μm，當在電子照相感光構件表面的任意位置中配置500μm×500μm正方形區域時，500μm×500μm正方形區域中的凹部的面積為10000至90000μm²，除凹部以外的部分中包含的平坦部的面積為80000至240000μm²。

此外，本發明為包括支承體和在支承體上形成的感光層的電子照相感光構件，其中至少與清潔構件的接觸區域包括多個凹部和除凹部以外的部分，各凹部具有深度為0.5至5μm和開口部最長徑為20至80μm，當在與清潔構件的接觸區域的任意位置中配置500μm×500μm正方形區域時，500μm×500μm正方形區域中的凹部的面積為10000至90000μm²，除凹部以外的部分中包含的平坦部的面積為80000至240000μm²。

此外，本發明為可拆卸地安裝至電子照相設備主體的處理盒，其包括電子照相感光構件，以及具有與電子照相感光構件接觸配置的清潔構件的清潔單元。

此外，本發明為電子照相設備，其包括：電子照相感光構件、充電單元、曝光單元、顯影單元、轉印單元和具有與電子照相感光構件接觸配置的清潔構件的清潔單元。

發明的效果