[發明專利]可編程邏輯裝置

在審

• 申請號: 201280024149.2
• 申請日: 2012-05-08
• 公開（公告）號: CN103563254A
• 公開（公告）日: 2014-02-05
• 發明（設計）人: 米田誠一;西島辰司
• 申請（專利權）人: 株式會社半導體能源研究所
• 主分類號: H03K19/177
• 分類號: H03K19/177
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 葉曉勇;湯春龍

1.?一種半導體裝置，包括：

第一布線和第二布線；

與所述第一布線及所述第二布線電連接的邏輯塊；以及

設置在所述第一布線與所述第二布線的交叉處的布線選擇電路，

其中所述布線選擇電路包括配置成控制所述第一布線與所述第二布線之間的連接的開關，

并且所述開關包括含有氧化物半導體的晶體管。

2.?根據權利要求1所述的半導體裝置，其中所述氧化物半導體包括銦和氧。

3.?根據權利要求1所述的半導體裝置，其中所述氧化物半導體包括c軸取向結晶。

4.?根據權利要求1所述的半導體裝置，其中所述氧化物半導體包括化學計量過高的氧。

5.?一種包括根據權利要求1所述的半導體裝置的電子設備。

6.?一種半導體裝置，包括：

在列方向上的多個第一布線和在行方向上的多個第二布線；

多個邏輯塊，各個邏輯塊至少與所述多個第一布線中的一個及所述多個第二布線中的一個電連接；以及

設置在所述多個第一布線與所述多個第二布線的交叉處的多個布線選擇電路，

其中所述多個布線選擇電路中的至少一個包括配置成控制所述多個第一布線中的一個與所述多個第二布線中的一個之間的連接的開關，

并且所述開關包括含有氧化物半導體的晶體管。

7.?根據權利要求6所述的半導體裝置，其中所述氧化物半導體包括銦和氧。

8.?根據權利要求6所述的半導體裝置，其中所述氧化物半導體包括c軸取向結晶。

9.?根據權利要求6所述的半導體裝置，其中所述氧化物半導體包括化學計量過高的氧。

10.?一種包括根據權利要求6所述的半導體裝置的電子設備。

11.?一種半導體裝置，包括：

第一布線和第二布線；

與所述第一布線及所述第二布線電連接的邏輯塊；以及

設置在所述第一布線與所述第二布線的交叉處的布線選擇電路，

其中所述布線選擇電路包括開關，該開關包括：

包括第一端子、第二端子及柵極的第一晶體管；以及

包括第一端子、第二端子及柵極的第二晶體管，

其中所述第一晶體管的所述第一端子及所述第二端子各自與所述第一布線及所述第二布線電連接，

所述第二晶體管的第二端子與所述第一晶體管的所述柵極電連接，

并且所述第二晶體管包括氧化物半導體。

12.?根據權利要求11所述的半導體裝置，其中所述第一晶體管包括單晶半導體。

13.?根據權利要求11所述的半導體裝置，還包括與所述第二晶體管的所述第二端子電連接的電容器。

14.?根據權利要求11所述的半導體裝置，還包括電連接于所述第二晶體管的所述第二端子與所述第一晶體管的所述柵極之間的緩沖器。

15.?根據權利要求11所述的半導體裝置，還包括電連接于所述第二晶體管的所述第二端子與所述第一晶體管的所述柵極之間的反相器。

16.?根據權利要求11所述的半導體裝置，還包括包括第一端子、第二端子及柵極的第三晶體管，其中所述第三晶體管的所述第一端子及所述第二端子各自與所述第一布線及所述第二布線電連接。

17.?根據權利要求16所述的半導體裝置，其中所述第一晶體管與所述第三晶體管的極性互不相同。

18.?根據權利要求16所述的半導體裝置，還包括電連接于所述第二晶體管的所述第二端子與所述第三晶體管的所述柵極之間的反相器。

19.?根據權利要求16所述的半導體裝置，還包括與所述第二晶體管的所述第二端子電連接的電容。

20.?根據權利要求16所述的半導體裝置，還包括電連接于所述第二晶體管的所述第二端子與所述第一晶體管的所述柵極之間的緩沖器。

21.?根據權利要求11所述的半導體裝置，還包括包括第一端子、第二端子及柵極的第四晶體管，其中所述第四晶體管的所述柵極電連接于所述第二晶體管的所述柵極。