[發(fā)明專利]橫向半導(dǎo)體器件

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201280023653.0
• 申請日: 2012-05-10
• 公開（公告）號: CN103548147A
• 公開（公告）日: 2014-01-29
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 鈴木隆司;戶倉規(guī)仁;白木聰;高橋茂樹;蘆田洋一;山田明
• 申請（專利權(quán)）人: 株式會社電裝
• 主分類號: H01L29/861
• 分類號: H01L29/861;H01L21/329;H01L29/06;H01L29/868
• 代理公司: 永新專利商標(biāo)代理有限公司 72002
• 代理人: 陳松濤;夏青

相關(guān)申請的交叉引用

本申請基于2011年5月13日提交的日本專利申請No.2011-108485以及2012年4月9日提交的日本專利申請No.2012-88455，在這里通過引用將其公開內(nèi)容并入本文。

技術(shù)領(lǐng)域

本公開涉及一種包括電阻性場板的橫向半導(dǎo)體器件。

背景技術(shù)

例如使用絕緣體上硅（SOI）襯底來形成橫向半導(dǎo)體器件。作為橫向半導(dǎo)體器件的示例，橫向二極管是公知的。在橫向二極管的半導(dǎo)體層的表面部分處，形成陰極區(qū)和陽極區(qū)。陽極區(qū)構(gòu)成陰極區(qū)周圍的電路。

橫向二極管還包括硅（LOCOS）層的局部氧化物和電阻性場板。LOCOS層形成在半導(dǎo)體層的表面上并且布置在陰極區(qū)和陽極區(qū)之間。電阻性場板形成在LOCOS層的表面上。電阻性場板的端部與陰極區(qū)電連接，電阻性場板的另一端部與陽極區(qū)電連接。在電阻性場板中，微電流流動。因此，在陰極區(qū)和陽極區(qū)之間的半導(dǎo)體層的表面上的電勢分布相等并且使得半導(dǎo)體層的表面電場能夠發(fā)生弛豫。

如專利文件1中所述，當(dāng)在平面中觀察時，電阻性場板包括在陰極區(qū)和陽極區(qū)之間具有螺旋形或同心圓形的電阻性場板部分。

[現(xiàn)有文件]

[專利文件]

[專利文件1]JP-A-2000-22175

發(fā)明內(nèi)容

本公開的目的在于提供一種橫向半導(dǎo)體器件，其能夠增大電阻性場板部分的布設(shè)的自由度。

根據(jù)本公開的一方面的橫向半導(dǎo)體器件包括半導(dǎo)體層、絕緣層以及電阻性場板。所述半導(dǎo)體層包括第一半導(dǎo)體區(qū)和第二半導(dǎo)體區(qū)。所述第一半導(dǎo)體區(qū)形成在所述半導(dǎo)體層的表面部分中。所述第二半導(dǎo)體區(qū)形成在所述半導(dǎo)體層的表面部分中并且構(gòu)成所述第一半導(dǎo)體區(qū)周圍的電路。所述絕緣層形成在所述半導(dǎo)體層的表面上并且布置在所述第一半導(dǎo)體區(qū)和所述第二半導(dǎo)體區(qū)之間。所述電阻性場板形成在所述絕緣層的表面上。所述電阻性場板形成在所述絕緣層的表面上。所述電阻性場板的一個端部與所述第一半導(dǎo)體區(qū)電連接，并且所述電阻性場板的另一端部與所述第二半導(dǎo)體區(qū)電連接。當(dāng)在平面中觀察時，在所述第一半導(dǎo)體區(qū)和第二半導(dǎo)體區(qū)之間，第一部分和第二部分沿著所述第一半導(dǎo)體區(qū)周圍的外周方向彼此相鄰。所述電阻性場板包括第一電阻性場板部分和第二電阻性場板部分。所述第一電阻性場板部分形成在所述第一部分中并且沿著所述外周方向重復(fù)往返（repeats?a?round?trip）。所述第二電阻性場板部分形成在所述第二部分中并且沿著所述外周方向重復(fù)往返。形成在所述第一部分中的所述第一電阻性場板部分和形成在所述第二部分中的所述第二電阻性場板部分彼此分離。根據(jù)上述橫向半導(dǎo)體器件，不同的布設(shè)能夠應(yīng)用至所述第一部分中的所述第一電阻性場板部分以及所述第二部分中的所述第二電阻性場板部分。

附圖說明

從下面參考附圖給出的具體描述中，本公開的上述和其它目的、特征和優(yōu)點將變得更顯而易見。在附圖中：

[圖1]圖1是示出了根據(jù)本公開的實施例的橫向二極管的平面圖；

[圖2]圖2是沿著圖1的線II-II截取的橫向二極管的截面圖；

[圖3]圖3是沿著圖1的線III-III截取的橫向二極管的截面圖；

[圖4]圖4是示出了橫向二極管的拐角部分和線性部分的示意圖；

[圖5]圖5是示出了根據(jù)第一變型的橫向二極管的示意圖；

[圖6]圖6是示出了根據(jù)第二變型的橫向二極管的線性部分C和D的邊界的示意圖；

[圖7]圖7是示出了根據(jù)第三變型的橫向二極管的線性部分C和D的邊界的示意圖；

[圖8]圖8是示出了形成根據(jù)第四變型的橫向二極管的中間電阻性場板部分的每個部分的電阻值的概念的示意圖；以及

[圖9]圖9是示出了設(shè)置在根據(jù)第五變型的橫向二極管的每個部分中的中間電阻性場板部分的電阻值的概念的示意圖。

具體實施方式

本申請的發(fā)明人發(fā)現(xiàn)了常規(guī)橫向半導(dǎo)體器件中的以下幾點。當(dāng)在平面中觀察時，陰極區(qū)和陽極區(qū)之間的區(qū)域具有跑道形狀。因此，陰極區(qū)和陽極區(qū)之間的區(qū)域沿著外周方向是不一致的并且包括拐角部分、線性部分等等。已知電場通常不傾向于集中在對應(yīng)于拐角部分的半導(dǎo)體層處。因此，在對應(yīng)于拐角部分的半導(dǎo)體層中，期望徑向方向上的長度長于線性部分。