[發明專利]橫向半導體器件

無效

• 申請號: 201280023653.0
• 申請日: 2012-05-10
• 公開（公告）號: CN103548147A
• 公開（公告）日: 2014-01-29
• 發明（設計）人: 鈴木隆司;戶倉規仁;白木聰;高橋茂樹;蘆田洋一;山田明
• 申請（專利權）人: 株式會社電裝
• 主分類號: H01L29/861
• 分類號: H01L29/861;H01L21/329;H01L29/06;H01L29/868
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 陳松濤;夏青

1.一種橫向半導體器件，包括：

半導體層（16），所述半導體層（16）包括表面部分處的第二半導體區（23）和第一半導體區（28），所述第二半導體區（23）構成所述第一半導體區周圍的電路；

絕緣層（37），所述絕緣層（37）形成在所述半導體層（16）的表面上并且布置在所述第一半導體區（28）和所述第二半導體區（23）之間；以及

電阻性場板（30），所述電阻性場板（30）形成在所述絕緣層（37）的表面上，所述電阻性場板（30）的一個端部與所述第一半導體區（28）電連接，所述電阻性場板（30）的另一端部與所述第二半導體區（23）電連接，其中

當在平面中觀察時，在所述第一半導體區（28）和所述第二半導體區（23）之間，第一部分和第二部分沿著所述第一半導體區（28）周圍的外周方向彼此相鄰，

所述電阻性場板（30）包括第一電阻性場板部分（34）和第二電阻性場板部分（34），所述第一電阻性場板部分（34）形成在所述第一部分中并且沿著所述外周方向重復往返，所述第二電阻性場板部分（34）形成在所述第二部分中并且沿著所述外周方向重復往返，并且

形成在所述第一部分中的所述第一電阻性場板部分（34）與形成在所述第二部分中的所述第二電阻性場板部分（34）彼此分離。

2.根據權利要求1所述的橫向半導體器件，其中

形成在所述第一部分中的所述第一電阻性場板部分（34）的往返次數與形成在所述第二部分中的所述第二電阻性場板部分（34）的往返次數不同。

3.根據權利要求2所述的橫向半導體器件，其中

當在平面中觀察時，所述第一半導體區（28）和所述第二半導體區之間的區域（23）包括拐角部分和線性部分，

所述第一部分被包括在所述拐角部分中，

所述第二部分被包括在所述線性部分中，并且

形成在所述第一部分中的所述第一電阻性場板部分（34）的往返次數大于形成在所述第二部分中的所述第二電阻性場板部分（34）的往返次數。

4.根據權利要求3所述的橫向半導體器件，其中

沿著所述外周方向延伸的所述第一電阻性場板部分（34）的各部分的電阻值基本彼此相等。

5.根據權利要求1-4中的任一項所述的橫向半導體器件，其中

所述第一電阻性場板部分（34）包括朝著所述第二部分突出的第一電阻性場板突出部分（34a），

所述第二電阻性場板部分（34）包括朝著所述第一部分突出的第二電阻性場板突出部分（34a），并且

當在平面中觀察時，沿著連接所述第一半導體區（28）和所述第二半導體區（23）的方向重復形成所述第一電阻性場板突出部分（34a）和所述第二電阻性場板突出部分（34a）。

6.根據權利要求1-5中的任一項所述的橫向半導體器件，其中

所述第一電阻性場板部分（34）的電阻值和所述第二電阻性場板部分（34）的電阻值基本彼此相等。