[發(fā)明專利]用于使用離子轟擊修改基片表面的方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201280023271.8 | 申請日： | 2012-03-14 |
| 公開（公告）號： | CN103703061A | 公開（公告）日： | 2014-04-02 |
| 發(fā)明（設計）人： | U.舒爾茨;P.蒙策特;R.蒂爾施;W.舍恩貝格爾;M.法蘭;R.克萊因亨佩爾 | 申請（專利權(quán)）人： | 韶華歐洲有限責任公司 |
| 主分類號： | C08J7/12 | 分類號： | C08J7/12;B29C59/14 |
| 代理公司： | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 臧永杰;劉春元 |
| 地址： | 德國大勒*** | 國省代碼： | 德國;DE |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 用于 使用 離子 轟擊 修改 表面 方法 | ||
1.一種用于通過離子轟擊來修改基片（6）的表面的方法，其中
-通過磁場輔助的輝光放電在工藝氣體（10）中產(chǎn)生離子（7）；
-通過具有電極（1）和用于產(chǎn)生磁場（4）的至少一個磁體（3）的磁控管（8、9）產(chǎn)生磁場輔助的輝光放電；
-工藝氣體（10）具有至少一個電負性組分，使得在磁場輔助的輝光放電中產(chǎn)生負離子（7）；
-通過被施加到電極（1）的電壓，在電極（1）的表面處所產(chǎn)生的負離子（7）在基片（6）的方向上被加速；
-擊中基片（6）的負離子（7）造成基片（6）的表面的修改；和
-通過離子轟擊，在基片（6）的表面處產(chǎn)生表面結(jié)構(gòu)（15），所述表面結(jié)構(gòu)（15）延伸進基片（6）中至少50nm深。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述電壓具有在1kHz和250kHz之間的頻率。
3.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項所述的方法，其中工藝氣體（10）的電負性組分是氧。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其中工藝氣體（10）的電負性組分是氟或氯。
5.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項所述的方法，其中磁控管（8、9）的電極（1）包括元素Al、Mg、Si或Ti中至少之一或合金，所述合金以至少10%的重量比包括這些元素中至少之一。
6.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項所述的方法，其中磁控管具有至少一個平面磁控管（8）。
7.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項所述的方法，其中磁控管具有至少一個管狀磁控管（9）。
8.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項所述的方法，其中電壓不被施加到基片。
9.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項所述的方法，其中基片（6）是聚合物基片。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中基片（6）包括聚對苯二甲酸乙二醇酯（PET）、聚碳酸酯（PC）、聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）、乙烯-四氟乙烯（ETFE）、?聚萘二甲酸乙二醇酯（PEN）或三乙酰纖維素（TAC）。
11.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項所述的方法，其中用離子（7）照射基片（6）的表面不長于200s。
12.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項所述的方法，其中在離子轟擊期間以至少1m/min的速度移動基片（6）。
13.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項所述的方法，其中離子轟擊在基片（6）的表面處產(chǎn)生表面結(jié)構(gòu)（15），所述表面結(jié)構(gòu)（15）形成折射率梯度。
14.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項所述的方法，其中通過離子轟擊所產(chǎn)生的表面結(jié)構(gòu)（15）減少基片（6）的表面的反射。
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