[發明專利]乙酰輔酶A 衍生出的化合物的生產

無效

• 申請號: 201280022308.5
• 申請日: 2012-05-09
• 公開（公告）號: CN103502428A
• 公開（公告）日: 2014-01-08
• 發明（設計）人: A·梅多斯
• 申請（專利權）人: 阿邁瑞斯公司
• 主分類號: C12N1/12
• 分類號: C12N1/12
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 孫式洪

1.一種在宿主細胞中生產異源乙酰輔酶A衍生出的(HACD)化合物的方法，所述方法包括：

(a)在包含碳源和限制性量的泛酸鹽的培養基中培養能夠生產HACD化合物的遺傳修飾的宿主細胞群，其中所述限制性量的泛酸鹽會限制所述宿主細胞的HACD化合物生產；隨后

(b)在包含碳源和非限制性量的泛酸鹽的培養基中培養所述群或其亞群，其中所述泛酸鹽的非限制性量是大于所述泛酸鹽的限制性量的量，其中所述群或其亞群在有所述非限制性量的泛酸鹽存在下生產更大量的所述HACD化合物。

2.根據權利要求1所述的方法，其中通過進行泛酸鹽滴定，確定所述泛酸鹽的限制性量，其中在包含遞增濃度的泛酸鹽的生長培養基中培養所述宿主細胞，且在每種泛酸鹽濃度確定HACD化合物生產，其中所述泛酸鹽滴定包括：使泛酸鹽的量飽和，由此使HACD化合物生產處于它的最大值；

其中所述泛酸鹽的限制性量是使HACD化合物生產小于它的最大值時的任意泛酸鹽濃度。

3.根據權利要求1或權利要求2所述的方法，其中在步驟(a)期間的所述HACD化合物生產小于所述遺傳修飾的宿主細胞的最大HACD化合物生產的50、40、30、20或10%。

4.根據權利要求1或權利要求2所述的方法，其中在步驟(b)期間的所述HACD化合物生產大于所述遺傳修飾的宿主細胞的最大HACD化合物生產的50、60、70、80或90%。

5.根據權利要求1-4中的任一項所述的方法，其中所述步驟(a)的培養持續至少12、24、36、48、60、72、84、96小時或超過96小時的時間段。

6.根據權利要求1-4中的任一項所述的方法，其中所述步驟(a)的培養持續的時間段足以使所述群達到0.01至400的細胞密度(OD₆₀₀)。

7.根據權利要求1-6中的任一項所述的方法，其中所述步驟(b)的培養持續3-20天的時間段。

8.根據權利要求1-7中的任一項所述的方法，其中所述限制性量的泛酸鹽是0.2mg/L以下。

9.根據權利要求1-7中的任一項所述的方法，其中所述限制性量的泛酸鹽是0mg/L。

10.根據權利要求1-9中的任一項所述的方法，其中所述非限制性量的泛酸鹽是0.2mg/L以上。

11.根據權利要求1-9中的任一項所述的方法，其中所述非限制性量的泛酸鹽至少是使HACD化合物生產處于它的最大值時的最小泛酸鹽濃度。

12.根據權利要求1-9中的任一項所述的方法，其中所述泛酸鹽的非限制性量是至少1mg/L。

13.根據權利要求1-9中的任一項所述的方法，其中所述泛酸鹽的非限制性量是10mg/L。

14.根據權利要求1-13中的任一項所述的方法，其中步驟(b)包括：將泛酸鹽加入包含所述限制性量的泛酸鹽的培養基中，直到所述培養基包含非限制性量的泛酸鹽。

15.根據權利要求1-13中的任一項所述的方法，其中步驟(b)包括：將步驟(a)的群轉移至包含非限制性量的泛酸鹽的新培養基。

16.根據權利要求1-15中的任一項所述的方法，其中與不包括在限制性量的泛酸鹽中培養細胞的方法得到的生產相比，所述方法會導致所述遺傳修飾的宿主細胞群的HACD化合物生產增加。

17.根據權利要求1-16中的任一項所述的方法，其中以收率(每克碳底物產生的HACD克數)或生產力(每升培養基每小時生產的HACD化合物克數)的方式，測量所述HACD化合物生產。

18.根據權利要求1-17中的任一項所述的方法，所述方法進一步包括：回收所述HACD化合物。

19.根據權利要求1-18中的任一項所述的方法，其中所述泛酸鹽選自：2-脫氫泛解酸鹽、(R)-泛解酸鹽、(R)-泛酸鹽和它們的任意鹽或酯。

20.根據權利要求1-19中的任一項所述的方法，其中所述宿主細胞選自：真菌細胞、細菌細胞、植物細胞和動物細胞。