[發明專利]靜電夾盤的氮化鋁電介質修復有效
| 申請號: | 201280020074.0 | 申請日: | 2012-04-16 |
| 公開(公告)號: | CN103493194A | 公開(公告)日: | 2014-01-01 |
| 發明(設計)人: | 小溫德爾·G·博伊德;約瑟夫·F·薩默斯;威廉·M·呂;拉揚·巴勒森 | 申請(專利權)人: | 應用材料公司 |
| 主分類號: | H01L21/683 | 分類號: | H01L21/683;H02N13/00;B23Q3/15 |
| 代理公司: | 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金國;趙靜 |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 美國;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 靜電 氮化 電介質 修復 | ||
發明背景
發明領域
本發明的實施例一般涉及一種刷新的靜電夾盤及一種用于刷新靜電夾盤的方法。
相關技術的描述
靜電夾盤用于半導體裝置制造中。通過使基板靜電夾置于夾盤,靜電夾盤可使基板在處理期間保持在靜電夾盤上的固定位置。
靜電夾盤一般具有嵌入在電介質材料中的電極。靜電夾盤的最上方表面具有多個臺面,其中基板將于處理期間座落在這些臺面上。隨著時間過去,這些臺面會磨損,且靜電夾盤將變得無法作用。此外,靜電夾盤的電氣特性會因電介質材料中的裂痕而受波及,或是因化學或等離子體侵襲而危及電介質材料,導致電介質材料損壞。
當臺面磨損時,在電介質材料中即會形成裂痕,或是電介質材料會損壞,靜電夾盤即無法使用,且一般會被丟棄。能刷新所述靜電夾盤以避免購買新的靜電夾盤的花費便是有幫助的。
發明內容
本發明一般涉及一種刷新的靜電夾盤與一種用于刷新已使用的靜電夾盤的方法。一開始,從已使用的靜電夾盤移除預定量的電介質材料,以留下基部表面。接著,粗糙化所述基部表面,以提高新的電介質材料對基部表面的粘著性。接著,在粗糙化表面上噴灑新的電介質材料,然后在新的電介質材料上方放置掩模,以助于形成臺面,其中在處理期間基板將座落在所述臺面上。接著移除一部分新的電介質層,以形成新的臺面。在移除掩模之后,臺面的邊緣可變得平滑,且經刷新的靜電夾盤在清潔之后準備返回作業。
在一個實施例中,一種用于刷新靜電夾盤的方法包含以下步驟:測量在靜電夾盤的上表面下方的電極的深度;回應于測量的所述深度,確定所述靜電夾盤的待移除部分的厚度;以及移除所述靜電夾盤的所述部分,以暴露基部表面。所述方法也包含以下步驟:粗糙化所述基部表面;在粗糙化基部表面上等離子體噴灑電介質材料,以于所述基部表面上形成噴灑材料的電介質層;以及壓縮所述噴灑材料的電介質層。所述方法另外包含以下步驟:選擇性移除壓縮的所述噴灑材料的電介質層中的材料,以建立新的上表面,并研磨所述新的上表面。
在另一實施例中,公開了一種用于刷新靜電夾盤的方法。所述方法包含以下步驟:測量在靜電夾盤主體的上表面下方的電極的深度;回應于測量的所述深度,確定所述靜電夾盤主體的待移除部分的厚度;移除所述靜電夾盤主體的所述部分,以暴露出基部表面;粗糙化所述基部表面;以及在粗糙化基部表面上配置電介質材料,以于所述基部表面上形成電介質層。
在另一實施例中,一種刷新的靜電夾盤包含:夾盤主體,所述夾盤主體具有一或多個電極及配置在所述夾盤主體上方的一或多層第一電介質層以及配置在所述一或多層第一電介質層上方的第二電介質層。所述第二電介質層具有上表面,所述上表面具有以遠離所述一或多層第一電介質層的方向而自所述上表面延伸的多個臺面。所述第二電介質層與所述一或多層第一電介質層是不同的層。
在另一實施例中,一種刷新的靜電夾盤包含多層式靜電夾盤主體,其中所述多層式靜電夾盤主體的第一層上嵌入有一或多個電極,其中所述多層式靜電夾盤主體的第二層選自由燒結電介質層以及以粘著劑接合至所述第一層的電介質層所組成的組,其中所述第二層具有上表面,所述上表面具有以遠離所述第一層的方向而自所述上表面延伸的多個臺面,且其中所述第二層與所述第一層是不同的層。
附圖簡要說明
為可詳細理解本發明的上述特征,如上簡述的本發明的更具體說明可參閱上述實施例而得知,其中部分實施例圖示于附圖中。然而,應注意附圖僅圖示本發明的典型實施例,且因此不應被視為限制發明的范圍,因為本發明可允許其它等效實施例。
圖1A是已使用的靜電夾盤在刷新之前的示意上視圖。
圖1B是圖1A的已使用的靜電夾盤的截面圖。
圖2至圖7是圖1A與圖1B的靜電夾盤在根據一個實施例的各個刷新階段的截面圖。
圖8是圖1A與圖1B的靜電夾盤在根據另一實施例的各個刷新階段的截面圖。
為幫助理解,在圖中已盡可能地使用了相同的元件符號來代表圖中相同的元件。應知在一個實施例中所公開的元件可有利地用于其它實施例,無須特別敘述。
具體描述
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





