[發明專利]靜電夾盤的氮化鋁電介質修復

有效

• 申請號: 201280020074.0
• 申請日: 2012-04-16
• 公開（公告）號: CN103493194A
• 公開（公告）日: 2014-01-01
• 發明（設計）人: 小溫德爾·G·博伊德;約瑟夫·F·薩默斯;威廉·M·呂;拉揚·巴勒森
• 申請（專利權）人: 應用材料公司
• 主分類號: H01L21/683
• 分類號: H01L21/683;H02N13/00;B23Q3/15
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國;趙靜

1.一種用于刷新靜電夾盤的方法，所述方法包含以下步驟：

測量在靜電夾盤主體的上表面下方的電極的深度；

回應于測量的所述深度，確定所述靜電夾盤主體的待移除部分的厚度；

移除所述靜電夾盤主體的所述部分，以暴露基部表面；

粗糙化所述基部表面；

在粗糙化基部表面上等離子體噴灑電介質材料，以于所述基部表面上形成噴灑材料的電介質層；

壓縮所述噴灑材料的電介質層；以及

選擇性移除壓縮的所述噴灑材料的電介質層中的材料，以建立新的上表面。

2.如權利要求1所述的方法，其中移除所述靜電夾盤主體的所述部分以暴露所述基部表面包含于所述上表面上執行拋光工藝。

3.如權利要求2所述的方法，其中粗糙化所述基部表面包含珠擊所述基部表面。

4.如權利要求3所述的方法，其中所述粗糙化基部表面具有介于約50微英寸與300微英寸之間的表面粗糙度。

5.如權利要求4所述的方法，其中移除所述靜電夾盤主體的所述部分以暴露所述基部表面包含在所述基部表面與所述電極之間留下約20微米至約25微米的靜電夾盤主體。

6.如權利要求5所述的方法，其中壓縮所述噴灑材料的電介質層包含使所述噴灑材料的電介質層暴露于高于約1托的壓力中。

7.如權利要求6所述的方法，其中選擇性移除壓縮的所述噴灑材料的電介質層中的材料以建立所述新的上表面包含以下步驟：

于壓縮的所述噴灑材料的電介質層上方形成掩模；以及

珠擊經由所述掩模而暴露的壓縮的所述噴灑材料的電介質層，以形成臺面。

8.如權利要求7所述的方法，所述方法還包含研磨所述新的上表面，其中研磨所述新的上表面包含移除所述臺面的毛邊。

9.如權利要求1所述的方法，其中所述噴灑材料的電介質層包含氮化鋁。

10.如權利要求9所述的方法，其中所述噴灑材料的電介質層另包含氧化釔、氧化鋁、氧化鈦、氧化釤或上述物質的組合。

11.如權利要求1所述的方法，其中測量在所述靜電夾盤的所述上表面下方的所述電極的深度包含測量所述靜電夾盤主體在所述電極與所述上表面之間的電容。

12.一種刷新的靜電夾盤，包含：

夾盤主體，所述夾盤主體具有一或多個電極及配置在所述夾盤主體上方的一或多層第一電介質層；

第二電介質層，所述第二電介質層配置在所述一或多層第一電介質層上方，所述第二電介質層具有上表面，所述上表面具有以遠離所述一或多層第一電介質層的方向而自所述上表面延伸的多個臺面，其中所述第二電介質層與所述一或多層第一電介質層是不同的層。

13.如權利要求12所述的夾盤，其中所述第二電介質層包含氮化鋁。

14.如權利要求13所述的夾盤，其中所述第二電介質層包含氧化釔、氧化鋁、氧化鈦、氧化衫或上述物質的組合。

15.如權利要求14所述的夾盤，其中所述一或多層第一電介質層包含氮化鋁。