[發(fā)明專利]存儲器單元、形成存儲器單元的方法及形成存儲器陣列的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201280017915.2
• 申請日: 2012-03-06
• 公開（公告）號: CN103503142A
• 公開（公告）日: 2014-01-08
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 劉峻;約翰·K·查胡瑞
• 申請（專利權(quán)）人: 美光科技公司
• 主分類號: H01L27/115
• 分類號: H01L27/115;H01L21/8247
• 代理公司: 北京律盟知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11287
• 代理人: 孫寶成

1.一種存儲器單元，其包含直接在一對電極之間的可編程材料且經(jīng)配置以具有不直接接觸所述電極中的任一者的切換體積；其中所述可編程材料包含一對可編程材料板，所述對可編程材料板沿著所述板的邊緣彼此鄰近，且其中所述切換體積沿著所述鄰近邊緣的界面。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲器單元，其中所述對板中的個別板相對于彼此具有不同組成。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲器單元，其中所述對板中的所述個別板具有相同組成。

4.一種存儲器單元，其包含直接在一對電極之間的至少兩個可編程材料結(jié)構(gòu)；所述可編程材料結(jié)構(gòu)中的第一可編程材料結(jié)構(gòu)具有主要沿著第一軸延伸的第一邊緣；所述可編程材料結(jié)構(gòu)中的第二可編程材料結(jié)構(gòu)具有直接抵靠所述第一邊緣且主要沿著與所述第一軸相交的第二軸延伸的第二邊緣。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的存儲器單元，其中所述第一邊緣的直接抵靠所述第二邊緣的區(qū)具有不大于約10nm²的面積。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的存儲器單元，其中所述第一可編程材料結(jié)構(gòu)及所述第二可編程材料結(jié)構(gòu)兩者均包含硫?qū)倩衔铩?/p>

7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的存儲器單元，其中所述第一可編程材料結(jié)構(gòu)及所述第二可編程材料結(jié)構(gòu)為在頂部電極與底部電極之間沿邊緣定向的板。

8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的存儲器單元，其中：

所述第二可編程材料結(jié)構(gòu)在所述第一可編程材料結(jié)構(gòu)上方；

所述第一邊緣為所述第一可編程材料結(jié)構(gòu)的上部邊緣；

所述第二邊緣為所述第二可編程材料結(jié)構(gòu)的下部邊緣；

所述第二材料結(jié)構(gòu)具有與其下部邊緣呈相對關(guān)系的上部邊緣；且

所述存儲器單元包括第三可編程材料結(jié)構(gòu)，所述第三可編程材料結(jié)構(gòu)具有在所述第二可編程材料結(jié)構(gòu)的所述上部邊緣上方且直接抵靠所述上部邊緣的下部邊緣。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的存儲器單元，其中所述第三可編程材料結(jié)構(gòu)主要沿著所述第一軸延伸。

10.根據(jù)權(quán)利要求4所述的存儲器單元，其中：

所述第二可編程材料結(jié)構(gòu)在所述第一可編程材料結(jié)構(gòu)上方；

所述第一邊緣為所述第一可編程材料結(jié)構(gòu)的上部邊緣；

所述第二邊緣為所述第二可編程材料結(jié)構(gòu)的下部邊緣；

所述第二材料結(jié)構(gòu)具有與其下部邊緣呈相對關(guān)系的上部邊緣；且

所述存儲器單元包括第三可編程材料結(jié)構(gòu)，所述第三可編程材料結(jié)構(gòu)具有在所述第二可編程材料結(jié)構(gòu)的所述上部邊緣上方的下部邊緣；

所述第三可編程材料結(jié)構(gòu)具有與其下部邊緣呈相對關(guān)系的上部邊緣；且

所述存儲器單元包括第四可編程材料結(jié)構(gòu)，所述第四可編程材料結(jié)構(gòu)具有在所述第三可編程材料結(jié)構(gòu)的所述上部邊緣上方且直接抵靠所述上部邊緣的下部邊緣。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的存儲器單元，其中所述第三可編程材料結(jié)構(gòu)的所述下部邊緣通過勢壘材料與所述第二可編程材料結(jié)構(gòu)的所述上部邊緣間隔開。

12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的存儲器單元，其中所述第三可編程材料結(jié)構(gòu)的所述下部邊緣直接抵靠所述第二可編程材料結(jié)構(gòu)的所述上部邊緣。

13.一種存儲器單元，其包含：

底部電極，其具有帶有上部表面區(qū)域的上部表面；

第一可編程材料板，其沿邊緣支撐于所述底部電極上方且直接抵靠所述底部電極的所述上部表面區(qū)域的僅一部分；

第二可編程材料板，其沿邊緣支撐于所述第一可編程材料板上方；及

頂部電極，其在所述第二可編程材料板上方。

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的存儲器單元，其中所述第一可編程材料板沿著第一軸線性延伸，且其中所述第二可編程材料板沿著與所述第一軸相交的第二軸線性延伸。

15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的存儲器單元，其中所述第二可編程材料板直接抵靠所述第一可編程材料板的重疊區(qū)，且其中所述重疊區(qū)具有不大于約10nm²的面積。

16.根據(jù)權(quán)利要求13所述的存儲器單元，其中所述第一可編程材料板及所述第二可編程材料板兩者均包含相變材料。