[發明專利]阻氣層疊體、其制造方法、電子裝置用部件及電子裝置

有效

• 申請號: 201280015793.3
• 申請日: 2012-02-27
• 公開（公告）號: CN103534084A
• 公開（公告）日: 2014-01-22
• 發明（設計）人: 永繩智史
• 申請（專利權）人: 琳得科株式會社
• 主分類號: B32B9/00
• 分類號: B32B9/00
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 蔡曉菡;孟慧嵐

技術領域

本發明涉及具有優異的阻氣性和撓性的阻氣層疊體、其制造方法、包含該阻氣層疊體的電子裝置用部件、以及具備該電子裝置用部件的電子裝置。

背景技術

近年，對于液晶顯示器、電致發光(EL)顯示器等顯示器，為了實現薄型化、輕量化、撓性化等，對使用透明塑料膜來替代玻璃板作為基板進行了研究。

但是，塑料膜與玻璃板相比，易透過水蒸氣、氧等，存在易產生顯示器內部的元件的劣化的問題。

為了解決這種問題，專利文獻1中提出了在透明塑料膜上層疊由金屬氧化物形成的透明阻氣層而成的撓性顯示器基板。

但是，該文獻記載的撓性顯示器基板，由于其為在透明塑料膜表面，通過蒸鍍法、離子鍍法、濺射法等，層疊由金屬氧化物形成的透明阻氣層而成的，因此若將該基板卷起來或彎曲，則存在阻氣層產生裂紋而阻氣性降低的問題。另外，這種方法由于使用固體原料作為靶(target)，還存在原料成本高的問題。

專利文獻2中公開了塑料膜、和在該塑料膜的至少一面層疊以聚有機倍半硅氧烷作為主要成分的樹脂層而成的阻氣性層疊體。

但是，為了得到氧、水蒸氣等的阻氣性，需要進一步層疊無機化合物層，因此存在工序繁雜、花費成本、或有使用具有毒性的氣體的危險性等問題。

與本發明相關，專利文獻3中公開了阻氣性膜的制造方法，其在高分子膜上，將在20～150℃的溫度區域中為液體的有機硅化合物作為成膜原料，通過使用在600～1520Torr的壓力下產生的等離子體的CVD法，形成以氧化硅為主要成分的薄膜。

但是，通過該方法得到的膜的阻氣性不能令人滿意。

另外，專利文獻4中公開了透明阻氣層疊膜，其在基材上，通過干式涂覆法依次層疊高氧化度氧化硅層、低氧化度氧化硅層，接著對低氧化度氧化硅層面實施利用氧等氣體進行的等離子體處理后，進而在該低氧化度氧化硅層的等離子體處理面層疊聚合物層而成。

但是，通過該方法得到的膜，需要層疊多層，存在制造工序繁雜、經濟上不利的問題。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開2000-338901號公報

專利文獻2：日本特開2006-123307號公報

專利文獻3：日本特開平11-256338號公報

專利文獻4：日本特開2004-351832號公報。

發明內容

發明要解決的技術問題

本發明是鑒于上述現有技術而提出的，其目的在于，提供無需繁雜的制造工序、與以往的無機膜成膜相比可以廉價地制造、并且具有優異的阻氣性和撓性的阻氣層疊體、其制造方法、包含該阻氣層疊體的電子裝置用部件、以及具備該電子裝置用部件的電子裝置。

本發明人等為了解決上述問題而進行深入研究，結果發現，下述阻氣層疊體具有優異的阻氣性和撓性，從而完成了本發明，所述阻氣層疊體為在基材上具有阻氣層的阻氣層疊體，前述阻氣層為向有機硅化合物薄膜注入離子而得到的，所述有機硅化合物薄膜通過使用有機硅化合物作為成膜原料的CVD法形成。

如此根據本發明的第一，提供下述(1)～(7)的阻氣層疊體。

(1)?阻氣層疊體，其為在基材上具有阻氣層的阻氣層疊體，其特征在于，所述阻氣層為向有機硅化合物薄膜注入離子而得到的，所述有機硅化合物薄膜通過使用有機硅化合物作為成膜原料的CVD法形成。

(2)?阻氣層疊體，其為在基材上具有阻氣層的阻氣層疊體，其特征在于，所述阻氣層為向有機硅化合物薄膜注入離子而得到的，所述有機硅化合物薄膜通過使用有機硅化合物作為成膜原料的等離子體CVD法形成。

(3)?阻氣層疊體，其為在基材上具有阻氣層的阻氣層疊體，其特征在于，所述阻氣層為向有機硅化合物薄膜注入離子而得到的，所述有機硅化合物薄膜通過使用有機硅化合物作為成膜原料的CVD法形成，且折射率為1.46～1.60。

(4)?如(1)～(3)中任一項記載的阻氣層疊體，其特征在于，所述離子為選自氫、氮、氧、氬、氦、氖、氙、氪和硅化合物中的至少一種氣體離子化而成的。

(5)?如(1)～(3)中任一項記載的阻氣層疊體，其特征在于，所述離子的注入通過等離子體離子注入進行。

(6)?如(1)～(3)中任一項記載的阻氣層疊體，其特征在于，所述有機硅化合物薄膜的厚度為30～500nm。

(7)?如(1)～(3)中任一項記載的阻氣層疊體，其特征在于，在40℃、相對濕度90%氣氛下的水蒸氣透過率為1g/m²/day以下。