[發明專利]阻氣層疊體、其制造方法、電子裝置用部件及電子裝置

有效

• 申請號: 201280015793.3
• 申請日: 2012-02-27
• 公開（公告）號: CN103534084A
• 公開（公告）日: 2014-01-22
• 發明（設計）人: 永繩智史
• 申請（專利權）人: 琳得科株式會社
• 主分類號: B32B9/00
• 分類號: B32B9/00
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 蔡曉菡;孟慧嵐

1.阻氣層疊體，其為在基材上具有阻氣層的阻氣層疊體，其特征在于，所述阻氣層為向有機硅化合物薄膜注入離子而得到的，所述有機硅化合物薄膜通過使用有機硅化合物作為成膜原料的CVD法形成。

2.阻氣層疊體，其為在基材上具有阻氣層的阻氣層疊體，其特征在于，所述阻氣層為向有機硅化合物薄膜注入離子而得到的，所述有機硅化合物薄膜通過使用有機硅化合物作為成膜原料的等離子體CVD法形成。

3.阻氣層疊體，其為在基材上具有阻氣層的阻氣層疊體，其特征在于，所述阻氣層為向有機硅化合物薄膜注入離子而得到的，所述有機硅化合物薄膜通過使用有機硅化合物作為成膜原料的CVD法形成，且折射率為1.46～1.60。

4.如權利要求1～3中任一項所述的阻氣層疊體，其特征在于，所述離子為選自氫、氮、氧、氬、氦、氖、氙、氪和硅化合物中的至少一種氣體離子化而成的。

5.如權利要求1～3中任一項所述的阻氣層疊體，其特征在于，所述離子的注入通過等離子體離子注入進行。

6.如權利要求1～3中任一項所述的阻氣層疊體，其特征在于，所述有機硅化合物薄膜的厚度為30～500nm。

7.如權利要求1～3中任一項所述的阻氣層疊體，其特征在于，在40℃、相對濕度90%氣氛下的水蒸氣透過率為1g/m²/day以下。

8.權利要求1所述的阻氣層疊體的制造方法，其特征在于，具有：在基材上，通過使用有機硅化合物作為成膜原料的CVD法，形成包含有機硅化合物的薄膜的工序；和向所形成的薄膜注入離子的工序。

9.權利要求3～7中任一項所述的阻氣層疊體的制造方法，其特征在于，具有：在基材上，通過使用有機硅化合物作為成膜原料的CVD法，形成包含有機硅化合物的、折射率為1.46～1.60的薄膜的工序；和向所形成的薄膜注入離子的工序。

10.電子裝置用部件，其包含權利要求1～7中任一項所述的阻氣層疊體。

11.電子裝置，其具備權利要求10所述的電子裝置用部件。