[發明專利]基板處理裝置

無效

• 申請號: 201280015602.3
• 申請日: 2012-03-07
• 公開（公告）號: CN103460812A
• 公開（公告）日: 2013-12-18
• 發明（設計）人: 吉田達彥;長谷川雅己;長田智明
• 申請（專利權）人: 佳能安內華股份有限公司
• 主分類號: H05H1/46
• 分類號: H05H1/46;C23C16/507;H01L21/205;H01L21/3065;H01L21/31
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 袁玥

技術領域

本發明涉及以電漿處理基板的基板處理裝置。

背景技術

作為用于對基板以電漿進行預定的處理的基板處理裝置的實例，使用感應耦合電漿的電漿CVD裝置或電漿干蝕刻裝置被廣泛使用。感應耦合干蝕刻裝置是通過對被導入氣體反應用的反應室內的氣體施加高電壓并激發氣體，而產生感應耦合電漿（以下，稱為電漿），并干蝕刻被配置于基板處理室內的基板的表面的裝置。作為感應耦合干蝕刻裝置，例如專利文獻1如圖4所示公開了把天線41卷繞于鐘形罩42的周圍的配置。由高頻電源43施加高頻電壓，并且在鐘形罩42內的電漿生成空間生成電漿。

在感應耦合干蝕刻裝置中，由在電漿產生時使用的氣體從在反應室內產生的電漿放出紫外光，并且如果此紫外光從鐘形罩42往外漏出，則該紫外光可能與空氣中的氧氣作用而產生臭氧。在專利文獻1中，鐘形罩42是以比如石英玻璃的具有絕緣性的材料制成的，并且以用于阻擋紫外光的絕緣膜覆蓋鐘形罩42的外表面，從而阻擋由電漿放出的紫外光。

現有技術文檔

[專利文獻]

[專利文獻1]日本專利特開2009-26885號

發明內容

發明所要解決的問題

然而，在專利文獻1中公開的配置中，在從高頻電源43施加高頻電壓的供電點附近展現出電場強度局部較高的狀態（電場集中的狀態）。如果電場集中的狀態繼續下去，（1）會在供電點附近發生鐘形罩的局部侵蝕（LE），導致鐘形罩42的替換周期變短。（2）如果因為鐘形罩42的局部侵蝕（LE）而產生微粒，被置于基板處理室內的基板的表面可能會附著該微粒。（3）此外，鐘形罩42的局部侵蝕（LE）可能鐘形罩的產生阻抗高的部分與阻抗低的部分，使得鐘形罩42內產生的電漿分布不均勻。

在專利文獻1的配置，由于以比如石英玻璃的具有絕緣性的材料制成鐘形罩42，即使以絕緣膜覆蓋具有絕緣性的鐘形罩42，也不會改變鐘形罩42的電特性。因此，在供電點附近電場強度局部較高的狀態即使通過用絕緣膜鐘形罩42也無法消除，從而所述（1）～（3）的問題依然未被解決。

[解決問題的手段]

本發明是有鑒于所述問題而完成的，并且本發明的目的在于提供一種生產率優異、防止處理基板的空間內產生微粒，或者是能夠提高電漿生成的均勻性的技術。

根據本發明的一個方面的基板處理裝置是用于以電漿處理基板的基板處理裝置，包括：

容器，其包括形成處理基板的處理空間的第一容器部件以及第二容器部件，第二容器部件形成電漿生成空間，電漿在該電漿生成空間中生成，并且在第二容器部件安裝于第一容器部件上的狀態下，電漿生成空間與處理空間連通；

氣體導入單元，用于將氣體導入到所述容器；

電漿生成單元，包括天線，該天線設置在所述容器的外部空間并且被配置為使用饋送自電源的高頻電壓生成的電場來激發電漿生成空間內的氣體；以及

基板保持單元，其能夠在處理空間中保持所述基板；

其中，在被布置為接近所述天線的所述第二容器部件的表面上形成含有半導體材料的覆蓋膜。

[發明的效果]

根據本發明，提供了一種生產率優異、防止在處理基板的空間內產生微粒并且能夠提高電漿生成的均勻性的技術。

本發明的其它特征及優點將通過參照附圖的如下描述而變得明顯。注意在附圖中，相同或者同樣的原件給予相同的附圖標記。

附圖說明

附圖包含于說明書中，構成其一部份，說明本發明的實施例，并且與實施例的描述一起用于描述本發明的原理。

圖1是說明相按照一個實施例的基板處理裝置的配置的圖。

圖2是說明第二容器部件（鐘形罩）的覆蓋的圖。

圖3是說明第二容器部件（鐘形罩）的覆蓋的圖。

圖4是說明常規技術的圖。

圖5是說明實驗結果的圖。

具體實施方式

以下，參照附圖例示地詳細說明本發明的優選實施例。但是，此實施例所描述的組成元件只是例示，本發明的技術范圍是由權利要求來限定的，并且不被單個實施例限于以下的描述。

（基板處理裝置的配置）