[發明專利]基板處理裝置

無效

• 申請號: 201280015602.3
• 申請日: 2012-03-07
• 公開（公告）號: CN103460812A
• 公開（公告）日: 2013-12-18
• 發明（設計）人: 吉田達彥;長谷川雅己;長田智明
• 申請（專利權）人: 佳能安內華股份有限公司
• 主分類號: H05H1/46
• 分類號: H05H1/46;C23C16/507;H01L21/205;H01L21/3065;H01L21/31
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 袁玥

1.一種基板處理裝置，用于以電漿處理基板，包括：

容器，包括形成處理所述基板的處理空間的第一容器部件，以及第二容器部件，所述第二容器部件形成其中生成電漿的電漿生成空間，并且在第二容器部件安裝在第一容器部件上的狀態下，所述電漿生成空間與所述處理空間連通；

氣體導入單元，用于將氣體導入到所述容器中；

電漿生成單元，包括天線，該天線設置在所述容器的外部空間中并且被配置為使用由饋送自電源的高頻電壓生成的電場來激發所述電漿生成空間中的所述氣體；以及

基板保持單元，其能夠在所述處理空間中保持所述基板；

其中，在被布置為接近所述天線的所述第二容器部件的表面上形成包含半導體材料的覆蓋膜。

2.如權利要求1所述的基板處理裝置，其中

所述覆蓋膜的體積電阻率R的范圍為1.5×10^-5Ωm≤R≤4000Ωm。

3.如權利要求1或2所述的基板處理裝置，

其中，所述第二容器部件由絕緣材料制成，并且其外表面經過噴砂處理，以及

所述覆蓋膜形成在經過所述噴砂處理的所述第二容器部件的外表面上。

4.如權利要求1-3中任一項所述的基板處理裝置，

其中，所述覆蓋膜包含硅。