[發(fā)明專利]用于通過固相擴(kuò)散形成超淺摻雜區(qū)域的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201280015501.6
• 申請日: 2012-03-30
• 公開（公告）號: CN103477419B
• 公開（公告）日: 2017-07-07
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 羅伯特·D·克拉克
• 申請（專利權(quán)）人: 東京毅力科創(chuàng)株式會社
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L21/70
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司11227
• 代理人: 顧晉偉,吳鵬章

1.一種用于在襯底中形成超淺硼(B)摻雜劑區(qū)域的方法，所述方法包括：

通過原子層沉積(ALD)來沉積直接接觸所述襯底的硼摻雜劑層，所述硼摻雜劑層包含通過硼酰胺前體和反應(yīng)物氣體的交替氣態(tài)性暴露而形成的氧化物、氮化物或氧氮化物；

對所述硼摻雜劑層進(jìn)行圖案化；以及

利用熱處理通過使硼從圖案化的硼摻雜劑層擴(kuò)散到所述襯底中而在所述襯底中形成所述超淺硼摻雜劑區(qū)域，

其中所述超淺硼摻雜劑區(qū)域的厚度在1nm和10nm之間。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括：

從所述襯底移除所述圖案化的硼摻雜劑層。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括：

在所述硼摻雜劑層上或在所述圖案化的硼摻雜劑層上沉積蓋層。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述硼摻雜劑層包含所述氧化物，并且所述反應(yīng)物氣體包括H₂O、O₂或O₃或者其兩種或更多種的組合。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述硼摻雜劑層包含所述氮化物，并且所述反應(yīng)物氣體包括NH₃。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述硼摻雜劑層包含所述氧氮化物，并且所述反應(yīng)物氣體包括：a)H₂O、O₂或O₃，以及NH₃；或者b)NO、NO₂或N₂O，以及任選地NH₃和H₂O、O₂、O₃中的一種或更多種。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述硼摻雜劑層的厚度為4nm或更小。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述襯底包括在所述襯底上方限定摻雜劑窗的圖案化掩模層，并且其中所述硼摻雜劑層沉積為在所述摻雜劑窗中直接接觸所述襯底。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述襯底包含Si、Ge、In、Ga、As、Sb、GaAs、InGaAs、InGaSb或Si_xGe_1-x，其中0<x<1。

10.一種用于在襯底中形成超淺硼(B)摻雜劑區(qū)域的方法，所述方法包括：

通過原子層沉積(ALD)來沉積直接接觸所述襯底的硼摻雜劑層，所述硼摻雜劑層包含通過硼酰胺前體或有機(jī)硼前體和反應(yīng)物氣體的交替氣態(tài)性暴露而形成的氧化物、氮化物或氧氮化物；

對所述硼摻雜劑層進(jìn)行圖案化；以及

利用熱處理通過使硼從所述圖案化的硼摻雜劑層擴(kuò)散到所述襯底中而在所述襯底中形成所述超淺硼摻雜劑區(qū)域，

其中所述超淺硼摻雜劑區(qū)域的厚度在1nm和10nm之間。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中所述硼摻雜劑層包含所述氧化物，并且所述反應(yīng)物氣體包括H₂O、O₂或O₃或者其兩種或更多種的組合。

12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中所述硼摻雜劑層包含所述氮化物，并且所述反應(yīng)物氣體包括NH₃。

13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中所述硼摻雜劑層包含氧氮化物，并且所述反應(yīng)物氣體包括：a)H₂O、O₂或O₃，以及NH₃；或者b)NO、NO₂或N₂O，以及任選地NH₃和H₂O、O₂、O₃中的一種或更多種。

14.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中所述襯底包括在所述襯底上方限定摻雜劑窗的圖案化掩模層，并且所述硼摻雜劑層沉積為在所述摻雜劑窗中直接接觸所述襯底。