[發(fā)明專利]被膜形成用組合物

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201280015372.0
• 申請日: 2012-04-04
• 公開（公告）號: CN103443223A
• 公開（公告）日: 2013-12-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 秋永惠一;大川直;西島一裕;北浦英二
• 申請（專利權(quán)）人: 道康寧東麗株式會社
• 主分類號: C09D183/04
• 分類號: C09D183/04;B32B27/00;C09D7/12;C09D183/05;F28F13/18
• 代理公司: 北京安信方達(dá)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11262
• 代理人: 高瑜;鄭霞

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種被膜形成用組合物和被膜形成方法、以及表面形成有被膜的基體及其用途。

背景技術(shù)

眾所周知，在具備斥水性的各種基體表面鍍上具有硅原子鍵合氫原子的有機(jī)聚硅氧烷，可形成疏水性被膜。

例如，日本專利特開2000-119642號公報(bào)記載了一種斥水性被膜形成用組合物，其含有的有機(jī)聚硅氧烷具有硅原子鍵合氫原子；日本專利特開2010-60162號公報(bào)記載了一種熱泵式空調(diào)器，其具有的熱交換器具備散熱片，該散熱片具有由該組合物構(gòu)成的斥水性被膜。

現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)

【專利文獻(xiàn)1】日本專利特開2000-119642號公報(bào)

【專利文獻(xiàn)2】日本專利特開2010-60162號公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容

發(fā)明擬解決的問題

但是，具有上述斥水性被膜的表面，其疏水性不充分，例如散熱片表面具備上述斥水性被膜時，如果不以接近垂直的角度配置散熱片，則表面附著的水滴難以滑落。在水滴附著于散熱片上的狀態(tài)下，由于運(yùn)轉(zhuǎn)條件的原因，會導(dǎo)致散熱片表面結(jié)霜，熱交換器上的通風(fēng)阻力增大，通風(fēng)量降低，并且熱交換器的熱交換面上空氣一側(cè)的熱傳遞性能降低，從而熱交換器的能力下降。

本發(fā)明目的在于提供一種可形成具有高疏水性且具備充分水滑性能的斥水性被膜的組合物及其方法。此外，本發(fā)明目的還在于提供一種具備這種高疏水性的基體，例如散熱器。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明目的可通過含有

(A)有機(jī)烷氧基硅烷、

(B)含有硅原子鍵合氫原子的有機(jī)聚硅氧烷、以及

(C)縮合反應(yīng)觸媒。

的被膜形成用組合物而實(shí)現(xiàn)。

作為所述（B）含有硅原子鍵合氫原子的有機(jī)聚硅氧烷，優(yōu)選為下述平均單元式（1）表示的物質(zhì)：

[R¹R²R³SiO_1/2]₂[R⁴HSiO_2/2]_m[R⁵₂SiO_2/2]_n??(1)

式中，R¹、R²及R³分別單獨(dú)為一價(jià)烴基或氫原子，R⁴及R⁵分別單獨(dú)為一價(jià)烴基，m為0或正數(shù)，n為正數(shù)，（m+n）值為5～500，{m/（m+n）}值為0～0.3，但m>0時，與分子鏈末端甲硅烷基的硅原子鍵合的氫原子為0～2個，m=0時，與分子鏈末端甲硅烷基的硅原子鍵合的氫原子為1或2個。

所述平均單元式（1）中，優(yōu)選為m=0者。

作為所述（C）縮合反應(yīng)觸媒，優(yōu)選為鋅、錫、錳、鈷或鐵類觸媒。

以組合物的所有固體部分質(zhì)量為基準(zhǔn)，本發(fā)明的被膜形成用組合物中所述（A）有機(jī)烷氧基硅烷的配伍量優(yōu)選為1～90質(zhì)量%范圍。

以組合物的所有固體部分質(zhì)量為基準(zhǔn)，本發(fā)明的被膜形成用組合物中所述（B）含有硅原子鍵合氫原子的有機(jī)聚硅氧烷的配伍量優(yōu)選為1～90質(zhì)量%范圍。

以組合物的所有固體部分質(zhì)量為基準(zhǔn)，本發(fā)明的被膜形成用組合物中所述（C）縮合反應(yīng)觸媒的配伍量優(yōu)選為0.001～8質(zhì)量%范圍。

本發(fā)明的被膜形成用組合物優(yōu)選還含有（D）硅樹脂。

作為所述（D）硅樹脂，優(yōu)選為下述平均單元式（2）表示的物質(zhì)：

[R⁶SiO_3/2]_a[R⁷R⁸_pSiO_(3-p)/2]_b??(2)

式中，R⁶及R⁷分別單獨(dú)為一價(jià)烴基，R⁸分別單獨(dú)為烷氧基或羥基，但R⁸中70摩爾%以上為烷氧基，p為1≤p<3范圍的數(shù)，a為0或正數(shù)，b為正數(shù)，0.5≤b/（a+b）≤1.0。

本發(fā)明的被膜形成用組合物還可含有（E）氫化硅烷化反應(yīng)觸媒。

本發(fā)明還涉及一種將上述被膜形成用組合物應(yīng)用于基體表面，然后加熱的被膜形成方法。