[發(fā)明專利]被膜形成用組合物

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201280015372.0
• 申請日: 2012-04-04
• 公開（公告）號: CN103443223A
• 公開（公告）日: 2013-12-11
• 發(fā)明（設計）人: 秋永惠一;大川直;西島一裕;北浦英二
• 申請（專利權）人: 道康寧東麗株式會社
• 主分類號: C09D183/04
• 分類號: C09D183/04;B32B27/00;C09D7/12;C09D183/05;F28F13/18
• 代理公司: 北京安信方達知識產(chǎn)權代理有限公司 11262
• 代理人: 高瑜;鄭霞

1.一種被膜形成用組合物，其含有：（A）有機烷氧基硅烷、（B）含有硅原子鍵合氫原子的有機聚硅氧烷、以及（C）縮合反應觸媒。

2.如權利要求1所述的被膜形成用組合物，其中，所述（B）含有硅原子鍵合氫原子的有機聚硅氧烷為下述平均單元式（1）表示的物質(zhì)：

[R¹R²R³SiO_1/2]₂[R⁴HSiO_2/2]_m[R⁵₂SiO_2/2]_n??(1)

式中，R¹、R²及R³分別單獨為一價烴基或氫原子，R⁴及R⁵分別單獨為一價烴基，m為0或正數(shù)，n為正數(shù)，（m+n）值為5～500，{m/（m+n）}值為0～0.3，但m>0時，與分子鏈末端甲硅烷基的硅原子鍵合的氫原子為0～2個，m=0時，與分子鏈末端甲硅烷基的硅原子鍵合的氫原子為1或2個。

3.如權利要求1或權利要求2所述的被膜形成用組合物，其中，所述平均單元式（1）中，m=0。

4.如權利要求1至權利要求3中任一項所述的被膜形成用組合物，其中，所述（C）縮合反應觸媒為鋅、錫、錳、鈷或鐵類觸媒。

5.如權利要求1至權利要求4中任一項所述的被膜形成用組合物，其中，以所述組合物的所有固體部分質(zhì)量為基準，所述（A）有機烷氧基硅烷的配伍量為1質(zhì)量%～90質(zhì)量%。

6.如權利要求1至權利要求5中任一項所述的被膜形成用組合物，其中，以所述組合物的所有固體部分質(zhì)量為基準，所述（B）含有硅原子鍵合氫原子的有機聚硅氧烷的配伍量為1質(zhì)量%～90質(zhì)量%。

7.如權利要求1至權利要求6中任一項所述的被膜形成用組合物，其中，以所述組合物的所有固體部分質(zhì)量為基準，所述（C）縮合反應觸媒的配伍量為0.001質(zhì)量%～8質(zhì)量%。

8.如權利要求1至權利要求7中任一項所述的被膜形成用組合物，其還含有（D）硅樹脂。

9.如權利要求8所述的被膜形成用組合物，其中，所述（D）硅樹脂為下述平均單元式（2）表示的物質(zhì)：

[R⁶SiO_3/2]_a[R⁷R⁸_pSiO_(3-p)/2]_b??(2)

式中，R⁶及R⁷分別單獨為一價烴基，R⁸為烷氧基或羥基，但R⁸中70摩爾%以上為烷氧基，p為1≤p<3范圍的數(shù)，a為0或正數(shù)，b為正數(shù)，0.5≤b/（a+b）≤1.0。

10.如權利要求1至權利要求9中任一項所述的被膜形成用組合物，其還含有（E）氫化硅烷化反應觸媒。

11.一種被膜形成方法，其包括將權利要求1至權利要求10中任一項所述的被膜形成用組合物應用于基體表面，然后加熱所述被膜形成用組合物。

12.如權利要求11所述的被膜形成方法，其中，所述基體表面由無機材料構成。

13.如權利要求11或權利要求12所述的被膜形成方法，其中，所述基體表面具有含硅被膜。

14.如權利要求11至權利要求13中任一項所述的被膜形成方法，其中，所述加熱在100℃～300℃溫度范圍內(nèi)進行。

15.一種基體，其具有通過權利要求11至權利要求14中任一項所述的被膜形成方法在表面形成的被膜。

16.如權利要求15所述的基體，其在含水蒸氣的氣體中使用。

17.一種散熱器，其具備權利要求15或權利要求16所述的基體。

18.一種熱交換器，其具備權利要求15或權利要求16所述的基體、或者權利要求17所述的散熱器。