[發(fā)明專利]太陽能電池元件及太陽能電池模塊

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201280014467.0
• 申請(qǐng)日: 2012-03-29
• 公開（公告）號(hào): CN103430319A
• 公開（公告）日: 2013-12-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 伊藤憲和;村尾彰了;小野寺誠;井藤剛;稻葉真一郎
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 京瓷株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L31/04
• 分類號(hào): H01L31/04
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021
• 代理人: 張寶榮

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及太陽能電池元件及具有該太陽能電池元件的太陽能電池模塊。

背景技術(shù)

在具有硅基板的太陽能電池元件中，為了減少少數(shù)載流子的復(fù)合而在硅基板的表面設(shè)置有鈍化膜。作為該鈍化膜，使用由氧化硅或氧化鋁等構(gòu)成的氧化膜、或由氮化硅膜等構(gòu)成的氮化膜被作了研究(例如，參照日本特開2009-164544號(hào)公報(bào))。

發(fā)明內(nèi)容

發(fā)明要解決的課題

然而，在以往的太陽能電池元件中，存在有助于發(fā)電效率的改善不充分的情況。因此，期望與以往相比減少少數(shù)載流子的復(fù)合而更加提高輸出特性的太陽能電池元件及具有該太陽能電池元件的太陽能電池模塊。

用于解決課題的手段

在此，本發(fā)明的一方式涉及的太陽能電池元件的特征在于，具有：p型半導(dǎo)體層位于最上方的多晶硅基板；配置于所述p型半導(dǎo)體層上的氧化鋁層，該氧化鋁層主要為非晶態(tài)物質(zhì)。

進(jìn)而，本發(fā)明的一方式涉及的太陽能電池模塊的特征在于，具有上述太陽能電池元件。

發(fā)明效果

根據(jù)上述的太陽能電池元件及太陽能電池模塊，能夠提供一種開路電壓高、輸出特性優(yōu)異的太陽能電池元件及太陽能電池模塊。

附圖說明

圖1是從第一面?zhèn)扔^察的本發(fā)明的一方式涉及的太陽能電池元件的一例的俯視示意圖。

圖2是從第二面?zhèn)扔^察的本發(fā)明的一方式涉及的太陽能電池元件的一例的俯視示意圖。

圖3是表示本發(fā)明的一方式涉及的太陽能電池元件的一例的示意圖，是在圖1的A-A線剖切的剖視圖。

圖4是表示本發(fā)明的一方式涉及的太陽能電池元件的一例的示意圖，是在圖1的A-A線剖切的剖視圖。

圖5是表示本發(fā)明的一方式涉及的太陽能電池元件的一例的示意圖，(a)、(b)分別是從第二面?zhèn)扔^察的本發(fā)明的一方式涉及的太陽能電池元件的一例的俯視圖。

圖6是說明本發(fā)明的一方式涉及的太陽能電池模塊的一例的示意圖，(a)是太陽能電池模塊的局部截面放大圖，(b)是從第一面?zhèn)扔^察太陽能電池模塊的俯視圖。

圖7是示意性地說明本發(fā)明的一方式涉及的太陽能電池模塊的一例的局部截面放大圖。

具體實(shí)施方式

以下，參照附圖對(duì)本發(fā)明的一方式涉及的太陽能電池元件及具有該太陽能電池元件的太陽能電池模塊進(jìn)行詳細(xì)說明。需要說明的是，在附圖中，對(duì)具有相同的結(jié)構(gòu)及功能的部分標(biāo)注相同符號(hào)，且省略重復(fù)的說明。另外，附圖是示意性表示的圖，各結(jié)構(gòu)的尺寸及位置關(guān)系等不一定正確。

<太陽能電池元件的基本結(jié)構(gòu)>

在圖1～圖3中表示本發(fā)明的一方式涉及的太陽能電池元件10的整體或其一部分。如圖1～圖3所示那樣，太陽能電池元件10具有作為光入射的受光面(圖3的上表面)的第一面10a和相當(dāng)于該第一面10a的背面的作為非受光面(圖3的下表面)的第二面10b。另外，太陽能電池元件10具有板狀的多晶硅基板的半導(dǎo)體基板1。

如圖3所示那樣，半導(dǎo)體基板1具有作為一導(dǎo)電型的半導(dǎo)體層的第一半導(dǎo)體層(p型半導(dǎo)體層)2和設(shè)置于該第一半導(dǎo)體層2的第一面?zhèn)?0a側(cè)的作為反向?qū)щ娦偷陌雽?dǎo)體層的第二半導(dǎo)體層3。并且，在第一半導(dǎo)體層2上配置有主要為非晶態(tài)物質(zhì)的氧化鋁層的鈍化層8。

如此，太陽能電池元件10具有：第一半導(dǎo)體層2位于最上方的多晶硅基板的半導(dǎo)體基板1；配置于第一半導(dǎo)體層2上的、主要包括非晶質(zhì)的氧化鋁的鈍化層8。

<太陽能電池元件的具體例>

下面，對(duì)本發(fā)明的一方式涉及的太陽能電池元件的具體例進(jìn)行說明。如圖3所示那樣，在太陽能電池元件10中，在第一面10a側(cè)的半導(dǎo)體基板1(第一半導(dǎo)體層2及第二半導(dǎo)體層3)上配置有防反射層5及第一電極6，在第一半導(dǎo)體層2的第二面10b側(cè)配置有第三半導(dǎo)體層4及鈍化層8，進(jìn)而在它們之上配置有第二電極7。

如上述那樣，半導(dǎo)體基板1為多晶硅基板，具有第一半導(dǎo)體層2和設(shè)置于該第一半導(dǎo)體層2的第一面10a側(cè)的、與第一半導(dǎo)體層2相反的導(dǎo)電型的第二半導(dǎo)體層3。

如上述那樣，作為第一半導(dǎo)體層2能夠使用呈p型的多晶硅基板。第一半導(dǎo)體層2的厚度例如能夠設(shè)為250μm以下，進(jìn)一步設(shè)為150μm以下。第一半導(dǎo)體層2的形狀并不特別限定，但從制法的觀點(diǎn)出發(fā)，可以設(shè)為俯視四邊形狀。在使第一半導(dǎo)體層2呈p型的情況下，作為摻雜元素，例如能夠使用硼或鎵。