[發明專利]太陽能電池元件及太陽能電池模塊有效
| 申請號: | 201280014467.0 | 申請日: | 2012-03-29 |
| 公開(公告)號: | CN103430319A | 公開(公告)日: | 2013-12-04 |
| 發明(設計)人: | 伊藤憲和;村尾彰了;小野寺誠;井藤剛;稻葉真一郎 | 申請(專利權)人: | 京瓷株式會社 |
| 主分類號: | H01L31/04 | 分類號: | H01L31/04 |
| 代理公司: | 中科專利商標代理有限責任公司 11021 | 代理人: | 張寶榮 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 太陽能電池 元件 模塊 | ||
1.一種太陽能電池元件,具有:
p型半導體層位于最上方的多晶硅基板;
配置于所述p型半導體層上的氧化鋁層,
該氧化鋁層主要為非晶態物質。
2.根據權利要求1所述的太陽能電池元件,其中,
所述氧化鋁層具有第一區域、與該第一區域相比離開所述硅基板的第二區域,
所述第一區域的結晶度比所述第二區域的結晶度小。
3.根據權利要求2所述的太陽能電池元件,其中,
在所述氧化鋁層中,隨著離開所述硅基板而所述結晶度逐漸地或階段性地變大。
4.根據權利要求1~3中任一項所述的太陽能電池元件,其中,
在所述p型半導體層和所述氧化鋁層之間存在有氧化硅層。
5.根據權利要求1~4中任一項所述的太陽能電池元件,其中,
所述氧化鋁層的方塊電阻值ρs為20~80Ω/□。
6.根據權利要求1~5中任一項所述的太陽能電池元件,其中,
所述硅基板具有第一主面和第二主面,所述第一主面具有第一凹凸形狀,所述第二主面相當于該第一主面的背面,且所述第二主面配置有所述氧化鋁層并且具有第二凹凸形狀,
該第二主面的所述第二凹凸形狀的凸部間的平均距離比所述第一主面的所述第一凹凸形狀的凸部間的平均距離大。
7.一種太陽能電池模塊,
具有權利要求1~6中任一項所述的太陽能電池元件。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于京瓷株式會社,未經京瓷株式會社許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201280014467.0/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:一種框架式水箱總成
- 下一篇:一種柴油機用油底殼托塊組
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





