[發(fā)明專利]用于制備MWT硅太陽能電池的方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201280012658.3
• 申請日: 2012-03-26
• 公開（公告）號: CN103415931A
• 公開（公告）日: 2013-11-27
• 發(fā)明（設(shè)計）人: K·W·杭;G·勞迪辛奧;J·M·奧列克辛;J·K·帕森斯;R·S·沃特
• 申請（專利權(quán)）人: E.I.內(nèi)穆爾杜邦公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01L31/0224;H01B1/16
• 代理公司: 上海專利商標事務(wù)所有限公司 31100
• 代理人: 朱黎明

1.用于制備MWT硅太陽能電池的方法，包括以下步驟：

(1)提供n型硅片，所述n型硅片具有(i)在晶片的正面和背面之間形成通路的空穴、(ii)在所述空穴的整個正面和內(nèi)側(cè)之上延伸的p型發(fā)射器、(iii)略過所述空穴的內(nèi)側(cè)的在所述正面上的ARC層、和(iv)呈底部組的細的導電金屬收集器線形式的正面金屬化，所述底部組的細的導電金屬收集器線不與所述空穴的內(nèi)側(cè)接觸，

(2)將導電金屬漿料施用到所述底部組的細的導電金屬收集器線之上并施用到硅片的空穴以形成連續(xù)的金屬化，所述連續(xù)的金屬化包括頂部組的細的導電金屬收集器線和所述空穴的內(nèi)側(cè)的金屬化，

(3)干燥所施用的導電金屬漿料，以及

(4)焙燒干燥的導電金屬漿料，從而使所述晶片達到700至900℃的峰值溫度，

其中所述頂部組的細的導電金屬收集器線疊加在所述底部組的細的導電金屬收集器線上，

其中所述導電金屬漿料不具有燒透能力或僅具有較差的燒透能力并且包含：(a)至少一種選自銀、銅和鎳的粒狀導電金屬，以及(b)有機載體。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述空穴圍繞它們的被所述ARC層略過的前邊緣具有窄邊，并且其中所述底部組的細的導電金屬收集器線不與所述邊緣接觸。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其中基于總導電金屬漿料組合物，所述有機載體含量為10至45重量%。

4.根據(jù)權(quán)利要求1、2或3所述的方法，其中所述導電金屬以50至92重量%的比例存在于所述導電金屬漿料中。

5.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項所述的方法，其中所述導電金屬為銀。

6.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項所述的方法，其中所述導電金屬漿料包含作為組分(c)的至少一種玻璃料，所述玻璃料選自：(i)無鉛玻璃料，其具有550至611℃范圍內(nèi)的軟化點溫度并且包含11至33重量%的SiO₂、>0至7重量%的Al₂O₃和2至10重量%的B₂O₃；以及(ii)含鉛玻璃料，其具有571至636℃范圍內(nèi)的軟化點溫度并且包含53至57重量%的PbO、25至29重量%的SiO₂、2至6重量%的Al₂O₃和6至9重量%的B₂O₃。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中所述無鉛玻璃料中的一種或多種包含40至73重量%的Bi₂O₃。

8.根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的方法，其中在所述導電金屬漿料中，選自類型(i)和類型(ii)的玻璃料的總含量為0.25至8重量%。

9.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項所述的方法，其中所述導電金屬漿料作為導電金屬層或作為導電金屬塞來施用。

10.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項所述的方法，其中所述導電金屬漿料通過印刷來施用。

11.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項所述的方法，其中焙燒作為連同背面銀漿一起的共焙燒來執(zhí)行，所述背面銀漿已被施用到所述背面以形成銀背面收集器觸點。

12.由根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項所述的方法制造的MWT硅太陽能電池。