[發(fā)明專利]用于制備MWT硅太陽能電池的方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201280012658.3 | 申請日: | 2012-03-26 |
| 公開(公告)號: | CN103415931A | 公開(公告)日: | 2013-11-27 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | K·W·杭;G·勞迪辛奧;J·M·奧列克辛;J·K·帕森斯;R·S·沃特 | 申請(專利權(quán))人: | E.I.內(nèi)穆爾杜邦公司 |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18;H01L31/0224;H01B1/16 |
| 代理公司: | 上海專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 31100 | 代理人: | 朱黎明 |
| 地址: | 美國特*** | 國省代碼: | 美國;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 用于 制備 mwt 太陽能電池 方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及用于制備具有n型硅基板的MWT(金屬穿孔卷繞)硅太陽能電池的方法。本發(fā)明還涉及相應(yīng)的MWT硅太陽能電池。
背景技術(shù)
當(dāng)前生產(chǎn)的大部分太陽能電池均基于結(jié)晶硅。
具有p型(p摻雜)硅基板的常規(guī)太陽能電池在其正面上具有n型擴(kuò)散層形式的n型(n摻雜)發(fā)射器。此類常規(guī)的硅太陽能電池結(jié)構(gòu)使用負(fù)極來接觸電池的正面或光照面、以及背面上的正極。眾所周知,在半導(dǎo)體主體的p-n結(jié)上入射的適當(dāng)波長的輻射用作在該主體中產(chǎn)生電子-空穴對的外部能源。存在于p-n結(jié)處的電勢差會導(dǎo)致空穴和電子以相反的方向跨過該結(jié)移動(dòng),從而產(chǎn)生能夠向外部電路傳送電力的電流。大部分太陽能電池為金屬化的硅片形式,即設(shè)有導(dǎo)電的金屬觸點(diǎn)。通常,正面金屬化為所謂的H圖案的形式,即銀網(wǎng)格陰極的形式,其包含細(xì)的平行指狀線(收集器線)以及使指狀線成直角相交的匯流條,而背面金屬化是與銀或銀/鋁匯流條或插片電連接的鋁陽極。從正面匯流條以及背面匯流條或插片收集光電流。
作為另外一種選擇,具有n型硅基板的反向太陽能電池結(jié)構(gòu)也是已知的。此類電池在正面上具有帶正極的正面p型硅表面(正面p型發(fā)射器),并且具有負(fù)極以接觸電池的背面。由于n摻雜硅中的電子重組速度降低,因此與具有p型硅基板的太陽能電池相比較,具有n型硅基板的太陽能電池(n型硅太陽能電池)理論上可產(chǎn)生至多1%的絕對效率增益。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明涉及用于制備具有n型硅基板的MWT硅太陽能電池的方法。該方法包括以下步驟:
(1)提供n型硅片,所述硅片具有(i)在所述晶片的正面和背面之間形成通路的空穴、(ii)在空穴的整個(gè)正面和內(nèi)側(cè)之上延伸的p型發(fā)射器、(iii)略過空穴的內(nèi)側(cè)的在正面上的ARC層、和(iv)呈底部組的細(xì)的導(dǎo)電金屬收集器線形式的正面金屬化,所述底部組的細(xì)的導(dǎo)電金屬收集器線不與空穴的內(nèi)側(cè)接觸,
(2)將導(dǎo)電金屬漿料施用到所述底部組的細(xì)的導(dǎo)電金屬收集器線之上并施用到硅片的空穴以形成連續(xù)的金屬化,所述連續(xù)的金屬化包括頂部組的細(xì)的導(dǎo)電金屬收集器線和空穴的內(nèi)側(cè)的金屬化,
(3)干燥所施用的導(dǎo)電金屬漿料,以及
(4)焙燒干燥的導(dǎo)電金屬漿料,從而使晶片達(dá)到700至900℃的峰值溫度,
其中頂部組的細(xì)的導(dǎo)電金屬收集器線疊加在底部組的細(xì)的導(dǎo)電金屬收集器線上,
其中導(dǎo)電金屬漿料不具有燒透能力或僅具有較差的燒透能力并且包含:(a)至少一種選自銀、銅和鎳的粒狀導(dǎo)電金屬,以及(b)有機(jī)載體。相應(yīng)地,本發(fā)明還涉及如此制備的MWT硅太陽能電池。
具體實(shí)施方式
本文所用術(shù)語“連續(xù)的金屬化”是指頂部組的細(xì)的導(dǎo)電金屬收集器線和空穴的內(nèi)側(cè)的金屬化形成一個(gè)連續(xù)的,或換句話講不間斷的實(shí)體,并且因此頂部組的細(xì)的導(dǎo)電金屬收集器線與空穴的內(nèi)側(cè)的金屬化直接電接觸。
MWT硅太陽能電池為硅太陽能電池的例子,它們具有與“背景技術(shù)”中所述硅太陽能電池不同的另一種電池設(shè)計(jì)。MWT硅太陽能電池是技術(shù)人員所熟知的(參見例如網(wǎng)站“http://www.sollandsolar.com/IManager/Content/4680/qfl7/mt1537/mi30994/m?u1254913665/mv2341”和可從該網(wǎng)站下載的傳單“Preliminary?Datasheet?Sunweb”以及F.Clement等人的“Industrially?feasible?multi-crystalline?metal?wrap?through(MWT)silicon?solar?cells?exceeding16%efficiency”,SolarEnergy?Materials?&?Solar?Cells93(2009),第1051-1055頁)。MWT硅太陽能電池代表一種特殊類型的硅太陽能電池;它們是背面觸點(diǎn)電池,允許它們比標(biāo)準(zhǔn)的硅太陽能電池進(jìn)行較少的正面遮蔽。
正如上文所述的標(biāo)準(zhǔn)硅太陽能電池的情況一樣,MWT硅太陽能電池可制備為具有p型硅基板的MWT硅太陽能電池,或作為另外一種選擇,制備為具有n型硅基板的MWT硅太陽能電池。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件;專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個(gè)或多個(gè)電光源,如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的





