[發(fā)明專利]正特性熱敏電阻元件有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201280010257.4 | 申請日: | 2012-02-21 |
| 公開(公告)號: | CN103403814A | 公開(公告)日: | 2013-11-20 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 后藤正人;吉田健司;松永達也 | 申請(專利權(quán))人: | 株式會社村田制作所 |
| 主分類號: | H01C7/02 | 分類號: | H01C7/02 |
| 代理公司: | 中科專利商標代理有限責(zé)任公司 11021 | 代理人: | 翟赟琪 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 特性 熱敏電阻 元件 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及正特性熱敏電阻元件,尤其涉及用于電動機用途的正特性熱敏電阻元件。
背景技術(shù)
鈦酸鋇(BaTiO3)系的半導(dǎo)體陶瓷具有如下的PTC特性,即,通過施加電壓而發(fā)熱,若超過從正方晶相變?yōu)榱⒎骄У木永稂cTc,則電阻值急劇增大。利用該PTC特性,半導(dǎo)體陶瓷被廣泛使用于加熱器用途、電動機起動用途等。
可是,例如在將正特性熱敏電阻元件使用于電動機用途的情況下,除了施加所使用的電壓之外,還要在電動機起動時施加電磁感應(yīng)所產(chǎn)生的電動勢,因此,尤其要求具有對瞬間高電壓的耐性(耐壓性)。于是,作為能夠獲得高耐壓性的正特性熱敏電阻元件,例如在專利文獻1中記載了具備內(nèi)側(cè)區(qū)域和外側(cè)區(qū)域、并且外側(cè)區(qū)域的氣孔(pore)占有率被設(shè)定得比內(nèi)側(cè)區(qū)域大的正特性熱敏電阻元件。
現(xiàn)有技術(shù)文獻
專利文獻
專利文獻1:日本特開平9-17606號公報
發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明要解決的課題
但是,在專利文獻1中記載的正特性熱敏電阻元件中使用的半導(dǎo)體陶瓷含有鉛。由于鉛是環(huán)境負荷物質(zhì),因此若考慮環(huán)境方面,則需要開發(fā)實質(zhì)上不含鉛的非鉛系半導(dǎo)體陶瓷。
本發(fā)明鑒于上述課題而完成,其目的在于提供一種耐壓性優(yōu)異的正特性熱敏電阻元件,其在半導(dǎo)體陶瓷的主要成分中不含有環(huán)境負荷物質(zhì)。
用于解決課題的手段
本發(fā)明所涉及的正特性熱敏電阻元件,其特征在于,其具備含有BaTiO3(其中,Ba的一部分也可以用Ca、Sr、以及稀土元素中的至少1種元素置換)作為主要成分的半導(dǎo)體陶瓷、和在所述半導(dǎo)體陶瓷的兩個主面形成的一對電極,所述半導(dǎo)體陶瓷具有與所述一對電極分別相接的一對外側(cè)區(qū)域、和被所述一對外側(cè)區(qū)域夾持的內(nèi)側(cè)區(qū)域,所述外側(cè)區(qū)域的氣孔含有率大于所述內(nèi)側(cè)區(qū)域的氣孔含有率。
此外,在本發(fā)明所涉及的正特性熱敏電阻元件中,優(yōu)選所述主要成分是由通式(Ba1-x-y-zCaxSryLnz)TiO3(其中,Ln是稀土元素,所述x、y、z滿足0≤x≤0.20、0≤y≤0.20、0.0035≤z≤0.0085的各條件)表示的化合物。
此外,在本發(fā)明所涉及的正特性熱敏電阻元件中,優(yōu)選所述外側(cè)區(qū)域的氣孔含有率為12.5%以上且25.0%以下,所述外側(cè)區(qū)域與內(nèi)側(cè)區(qū)域的氣孔含有率之差為5%以上。
此外,本發(fā)明所涉及的正特性熱敏電阻元件中,優(yōu)選外側(cè)區(qū)域的比電阻高于內(nèi)側(cè)區(qū)域的比電阻,在將外側(cè)區(qū)域的比電阻表示為高ρ、將內(nèi)側(cè)區(qū)域的比電阻表示為低ρ、將高ρ與低ρ的比電阻比即(高ρ-低ρ)/低ρ表示為Rρ時,滿足0.05≤Rρ≤0.50,并且在將一對外側(cè)區(qū)域的總厚度表示為t1、將內(nèi)側(cè)區(qū)域的厚度表示為t2、將外側(cè)區(qū)域的厚度占整體厚度的比例即t1/(t1+t2)表示為Rt1時,滿足-0.8889×Rρ+49.444≤Rt1≤-0.8889×Rρ+89.444。
發(fā)明效果
根據(jù)本發(fā)明,能夠提供一種耐壓性優(yōu)異的正特性熱敏電阻元件。
附圖說明
圖1是表示本發(fā)明所涉及的正特性熱敏電阻元件的剖面圖。
圖2是在耐壓試驗中被破壞的半導(dǎo)體陶瓷的外觀照片,是層裂開模式的例子。
圖3是在耐壓試驗中被破壞的半導(dǎo)體陶瓷的外觀照片,是縱裂開模式的例子。
圖4是表示實驗例3中的試樣編號41~59的外側(cè)區(qū)域的厚度占整體厚度的比例Rt1、和高ρ與低ρ的比電阻比即Rρ的圖表。
具體實施方式
以下,對本發(fā)明的實施方式進行說明。
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