[發明專利]正特性熱敏電阻元件

有效

• 申請號: 201280010257.4
• 申請日: 2012-02-21
• 公開（公告）號: CN103403814A
• 公開（公告）日: 2013-11-20
• 發明（設計）人: 后藤正人;吉田健司;松永達也
• 申請（專利權）人: 株式會社村田制作所
• 主分類號: H01C7/02
• 分類號: H01C7/02
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 翟赟琪

1.一種正特性熱敏電阻元件，其特征在于，其具備：

含有BaTiO₃作為主要成分的半導體陶瓷，其中，Ba的一部分也可以用Ca、Sr、以及稀土元素中的至少1種元素置換；和

在所述半導體陶瓷的兩個主面形成的一對電極，

所述半導體陶瓷具有與所述一對電極分別相接的一對外側區域、和被所述一對外側區域夾持的內側區域，

所述外側區域的氣孔含有率大于所述內側區域的氣孔含有率。

2.根據權利要求1所述的正特性熱敏電阻元件，其特征在于，

所述主要成分是由通式(Ba_1-x-y-zCa_xSr_yLn_z)TiO₃來表示的化合物，

其中，Ln是稀土元素，所述x、y、z滿足0≤x≤0.20、0≤y≤0.20、0.0035≤z≤0.0085的各條件。

3.根據權利要求1或2所述的正特性熱敏電阻元件，其特征在于，

所述外側區域的氣孔含有率是12.5％以上且25.0％以下，所述外側區域與內側區域的氣孔含有率之差為5％以上。

4.根據權利要求1～3中任一項所述的正特性熱敏電阻元件，其特征在于，

所述外側區域的比電阻高于所述內側區域的比電阻，

在將所述外側區域的比電阻表示為高ρ、將所述內側區域的比電阻表示為低ρ、將高ρ與低ρ的比電阻比即(高ρ-低ρ)/低ρ表示為Rρ時，滿足0.05≤Rρ≤0.50，并且

在將所述一對外側區域的總厚度表示為t₁、將所述內側區域的厚度表示為t₂、將外側區域的厚度占整體厚度的比例即t₁/(t₁+t₂)表示為Rt₁時，滿足-0.8889×Rρ+49.444≤Rt₁≤-0.8889×Rρ+89.444。