[發明專利]可配置存儲器陣列

無效

• 申請號: 201280010159.0
• 申請日: 2012-02-27
• 公開（公告）號: CN103403806A
• 公開（公告）日: 2013-11-20
• 發明（設計）人: 金正丕;哈里·M·拉奧;朱曉春;李霞;升·H·康
• 申請（專利權）人: 高通股份有限公司
• 主分類號: G11C11/16
• 分類號: G11C11/16
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 宋獻濤

1.一種存儲器陣列，其包括：

安置成列的多個位線和多個源極線；

安置成行的多個字線；

多個存儲元件，所述多個存儲元件具有從所述存儲器陣列電解耦的存儲元件的第一子集和耦合到所述存儲器陣列的存儲元件的第二子集；以及

多個位單元，每一位單元包含耦合到至少兩個晶體管的來自存儲元件的所述第二子集的一個存儲元件，其中所述多個位單元耦合到所述多個位線和所述多個源極線，且其中每一晶體管耦合到一個字線。

2.根據權利要求1所述的存儲器陣列，其進一步包括：

經配置以將至少兩個字線選擇性地耦合到共同字線的邏輯，且

其中所述至少兩個晶體管中的每一者耦合到所述至少兩個字線中的一者。

3.根據權利要求2所述的存儲器陣列，其中所述至少兩個晶體管耦合到一個源極線。

4.根據權利要求2所述的存儲器陣列，其中所述邏輯包括：

多路復用器，其具有耦合到所述共同字線的輸入和耦合到所述至少兩個字線中的第一字線的輸出；以及

緩沖器，其具有耦合到所述共同字線的輸入和耦合到所述至少兩個字線中的第二字線的輸出。

5.根據權利要求1所述的存儲器陣列，其中存儲元件的所述第一子集的存儲元件與所述多個位線之間的電連接切斷。

6.根據權利要求1所述的存儲器陣列，其進一步包括：

金屬線和/或通孔，其經配置以將所述存儲器陣列從高密度配置變換到高性能配置。

7.根據權利要求1所述的存儲器陣列，其中所述多個存儲元件是非易失性存儲元件。

8.根據權利要求7所述的存儲器陣列，其中所述多個存儲元件是磁性隧道結MTJ存儲元件。

9.根據權利要求1所述的存儲器陣列，其中所述存儲器陣列集成在至少一個半導體裸片中。

10.根據權利要求1所述的存儲器陣列，其進一步包括選自由機頂盒、音樂播放器、視頻播放器、娛樂單元、導航裝置、通信裝置、個人數字助理PDA、固定位置數據單元和計算機組成的群組的裝置，所述存儲器陣列集成到所述裝置中。

11.根據權利要求1所述的存儲器陣列，其進一步包括：

用以分別將鄰近列的至少兩個位線和至少兩個源極線選擇性地耦合到共同位線和共同源極線的邏輯。

12.根據權利要求11所述的存儲器陣列，其中所述至少兩個晶體管耦合到一個字線，且每一晶體管耦合到所述至少兩個源極線中的一者。

13.根據權利要求11所述的存儲器陣列，其中所述邏輯進一步經配置以激活所述至少兩個源極線中的僅一者。

14.一種測試存儲器陣列的方法，其包括：

選擇高性能模式；

依據單一字線控制信號激活第一字線和第二字線，其中所述第一字線耦合到第一晶體管且所述第二字線耦合到第二晶體管，每一晶體管耦合到存儲元件；以及

選擇耦合到位單元的位線和源極線，所述位單元包含所述存儲元件以及所述第一晶體管和所述第二晶體管。

15.根據權利要求14所述的方法，其中選擇所述高性能模式包括：

選擇多路復用器的第一輸入，其中所述第一輸入耦合到所述單一字線控制信號，且所述多路復用器的輸出耦合到所述第一字線。

16.根據權利要求15所述的方法，其進一步包括：

經由耦合到所述第二字線的緩沖器緩沖所述單一字線控制信號以平衡所述多路復用器的延遲。

17.根據權利要求14所述的方法，其進一步包括：

選擇高密度模式；

將所述第一字線從所述單一字線控制信號解耦；

使用所述單一字線控制信號激活所述第二字線；以及

選擇耦合到所述位單元的所述位線和所述源極線，所述位單元包含所述存儲元件以及所述第一晶體管和所述第二晶體管。

18.根據權利要求14所述的方法，其中所述位單元進一步包括從所述存儲器陣列電解耦的第二存儲元件。