[發明專利]熒光體、其制備方法以及發光裝置

有效

• 申請號: 201280007856.0
• 申請日: 2012-02-03
• 公開（公告）號: CN103347979A
• 公開（公告）日: 2013-10-09
• 發明（設計）人: 廣崎尚登;吉松良;渡邊真太郎
• 申請（專利權）人: 獨立行政法人物質·材料研究機構;電氣化學工業株式會社
• 主分類號: C09K11/64
• 分類號: C09K11/64;C09K11/08;F21S2/00;H01L33/50
• 代理公司: 北京同達信恒知識產權代理有限公司 11291
• 代理人: 楊黎峰

1.一種熒光體，其用通式：Me_aRe_bSi_cAl_dN_eO_f表示，Me以Sr為必需元素且可以含有選自Na、Li、Mg、Ca、Ba、Sc、Y以及La中的一種以上元素；Re以Eu為必需元素且可以含有選自Mn、Ce、Tb、Yb以及Sm中的一種以上元素，其中，

當將組成比a、b、c、d、e以及f設為a＝1－x、b＝x、c＝(2+2p)×(1－y)、d＝(2+2p)×y、e＝(1+4p)×(1－z)、f＝(1+4p)×z時，

參數p、x、y以及z為1.620＜p＜1.635、0.005＜x＜0.300、0.200＜y＜0.250、0.070＜z＜0.110。

2.根據權利要求1所述的熒光體，其中，組成比c、d、e以及f為0.250＜d/c＜0.320、0.080＜f/e＜0.200。

3.根據權利要求1所述的熒光體，其中，Me僅由Sr組成。

4.根據權利要求1所述的熒光體，其中，Re僅由Eu組成。

5.根據權利要求1所述的熒光體，其中，p＝1.625。

6.根據權利要求1所述的熒光體，其中，所述熒光體被波長300nm以上至500nm以下的光激發，并在波長495nm以上至530nm以下具有發光峰值波長。

7.根據權利要求1所述的熒光體，其中，所述熒光體是用(Me_1-xRe_xM₂X)_m(M₂X₄)_n表示的晶體結構模型進行描述，m和n是滿足1.620＜n/m＜1.635的整數值；Me以Sr為必需元素且可以含有選自Na、Li、Mg、Ca、Ba、Sc、Y以及La中的一種以上元素；Re以Eu為必需元素且可以含有選自Mn、Ce、Tb、Yb以及Sm中的一種以上元素；M是選自Si、Ge、Al以及Ga中的一種以上元素；X是選自氧和氮中的一種以上元素。

8.一種熒光體的制備方法，其用于制備權利要求1所述的熒光體，其中，

所述制備方法具有：混合原料的混合工序；以及對混合工序后的混合物進行燒成的燒成工序，

原料包括：

(1)用Me表示的元素的氮化物、碳化物、氫化物、硅化物、碳酸鹽或氧化物中的一種或多種，Me以Sr為必需元素且可以含有選自Na、Li、Mg、Ca、Ba、Sc、Y以及La中的一種以上元素；

(2)用Re表示的元素的氮化物、氫化物、碳化物、鹵化物或氧化物中的一種或多種，Re以Eu為必需元素且可以含有選自Mn、Ce、Tb、Yb以及Sm中的一種以上元素；

(3)Si氮化物、Si氧化物、Si氮氧化物或Si金屬中的一種或多種；

以及(4)Al氮化物、Al氧化物、Al氮氧化物或Al金屬中的一種或多種。

9.根據權利要求8所述的熒光體的制備方法，其中，燒成工序是在0.1MPa以上的環境壓力下于1600℃以上至2000℃以下進行燒成的工序。

10.根據權利要求8所述的熒光體的制備方法，其中，所述制備方法具有：在1200℃以上至1900℃以下對燒成工序后的熒光體進行退火處理的退火工序。

11.根據權利要求8所述的熒光體的制備方法，其中，在混合工序的原料中，包含由所述燒成工序所得到的熒光體。

12.一種發光裝置，其具備：發光元件和權利要求1至7中任意一項所述的熒光體。

13.根據權利要求12所述的發光裝置，其中，所述發光裝置還具備：發光峰值波長比權利要求1至7中任意一項所述的熒光體的發光峰值波長更長的一種以上的熒光體。

14.根據權利要求12所述的發光裝置，其中，所述發光元件是具有340nm以上至500nm以下的發光的無機發光元件或有機發光元件中的任一種。

15.根據權利要求12所述的發光裝置，其中，所述發光裝置是液晶TV用背光源、投影儀的光源裝置、照明裝置或信號裝置。