[發(fā)明專利]基板處理裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201280007251.1 | 申請(qǐng)日: | 2012-04-20 |
| 公開(公告)號(hào): | CN103380483B | 公開(公告)日: | 2016-11-02 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 鈴木智也;西川仁 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 株式會(huì)社尼康 |
| 主分類號(hào): | H01L21/02 | 分類號(hào): | H01L21/02;H05B33/10;H05B33/14 |
| 代理公司: | 北京三友知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11127 | 代理人: | 董惠石 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 處理 裝置 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明是關(guān)于基板處理裝置。
本申請(qǐng)是根據(jù)2011年4月25日申請(qǐng)的日本特愿2011-097122號(hào)主張優(yōu)先權(quán),并將其內(nèi)容援引于此。
背景技術(shù)
作為構(gòu)成顯示器裝置等顯示裝置的顯示元件,例如有液晶顯示元件、有機(jī)電致發(fā)光(有機(jī)EL)元件等。目前,此等顯示元件是以對(duì)應(yīng)各畫素在基板表面形成被稱為薄膜電晶體(Thin?Film?Transistor:TFT)的主動(dòng)元件(Active?device)漸為主流。
近年來,提出了一種在片狀的基板(例如薄膜構(gòu)件等)上形成顯示元件的技術(shù)。作為此種技術(shù),例如有一種被稱為卷軸對(duì)卷軸(roll?to?roll)方式(以下,簡記為「卷軸方式」)的手法廣為人知(例如,參照專利文獻(xiàn)1)。卷軸方式,是將卷繞在基板供應(yīng)側(cè)的供應(yīng)用滾筒的1片片狀基板(例如,帶狀的薄膜構(gòu)件)送出且一邊將送出的基板以基板回收側(cè)的回收用滾筒加以卷取,一邊藉由設(shè)置于供應(yīng)用滾筒與回收用滾筒間的處理部(單元)對(duì)基板施以所欲加工。
又,在基板送出至被卷取為止的期間,例如一邊使用多個(gè)搬送滾筒等搬送基板、一邊使用多個(gè)處理部來形成構(gòu)成TFT的閘極電極、閘極絕緣膜、半導(dǎo)體膜、源極-汲極電極等,在基板的被處理面上依序形成顯示元件的構(gòu)成要件。
先行技術(shù)文獻(xiàn)
專利文獻(xiàn)
專利文獻(xiàn)1:國際公開第2006/100868號(hào)小冊(cè)子
發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明所要解決的課題
然而,上述步驟,有可能需要全長數(shù)百公尺的長搬送路徑,而例如被要求在工廠等的有限空間內(nèi)有效率地配置各處理部。
本發(fā)明的態(tài)樣,其目的在于提供能有效率地配置處理部的基板處理裝置。
解決課題的技術(shù)手段
依據(jù)本發(fā)明的態(tài)樣,提供一種基板處理裝置,其具備:多個(gè)處理部,對(duì)形成為帶狀的基板分別進(jìn)行處理;第一處理室,收容多個(gè)處理部中能執(zhí)行共通次程序的第一處理部;第二處理室,收容多個(gè)處理部中的第二處理部;以及搬送部,將基板分別搬送至第一處理室及第二處理室。
發(fā)明效果
根據(jù)本發(fā)明的態(tài)樣,能有效率地利用處理部的空間。
附圖說明
圖1顯示本實(shí)施形態(tài)的基板處理裝置的整體構(gòu)成的圖。
圖2顯示本實(shí)施形態(tài)的基板處理裝置的基板處理部構(gòu)成的剖面圖。
圖3顯示本實(shí)施形態(tài)的加熱單元的構(gòu)成的剖面圖。
圖4顯示本實(shí)施形態(tài)的加熱單元的構(gòu)成的立體圖。
圖5顯示本實(shí)施形態(tài)的加熱裝置的構(gòu)成的立體圖。
圖6顯示本實(shí)施形態(tài)的配置于處理室的加熱裝置的配置例的圖。
圖7顯示加熱裝置的配置例的比較圖。
圖8顯示本實(shí)施形態(tài)的振動(dòng)除去裝置的構(gòu)成的側(cè)視圖。
圖9顯示振動(dòng)除去裝置的其他構(gòu)成的側(cè)視圖。
圖10顯示振動(dòng)除去裝置的其他構(gòu)成的側(cè)視圖。
圖11顯示振動(dòng)除去裝置的其他構(gòu)成的側(cè)視圖。
圖12顯示振動(dòng)除去裝置的其他構(gòu)成的側(cè)視圖。
圖13顯示振動(dòng)除去裝置的其他構(gòu)成的側(cè)視圖。
圖14顯示本實(shí)施形態(tài)的處理室彼此間的構(gòu)成的圖。
圖15顯示本實(shí)施形態(tài)的流體除去裝置的構(gòu)成的圖。
主要元件標(biāo)號(hào)說明:
S??基板
CONT??控制部
EX??曝光裝置
R(R1~R30)??導(dǎo)引滾筒(導(dǎo)引部)
3??基板處理部(處理部)
10??處理裝置
41??涂布裝置
42??顯影裝置
43??洗凈裝置
44??鍍敷裝置
11~13??處理室(第一處理室、第二處理室、第三處理室)
15~19??連接部
20??搬送裝置(搬送部)
45???廢液回收部(回收管、回收部)
51~53??加熱裝置
60??筐體
61??基板搬入口(搬入口)
62??基板收容室(收容室)
63??基板搬出口(搬出口)
70??加熱部
84??異物移動(dòng)抑制裝置
85??流體移動(dòng)限制裝置
86??調(diào)溫裝置(基板調(diào)溫部)
91??振動(dòng)除去裝置(調(diào)整機(jī)構(gòu))
92、93??張力消除機(jī)構(gòu)
96??旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)部
100??基板處理裝置
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





