[發明專利]基板處理裝置有效
| 申請號: | 201280007251.1 | 申請日: | 2012-04-20 |
| 公開(公告)號: | CN103380483B | 公開(公告)日: | 2016-11-02 |
| 發明(設計)人: | 鈴木智也;西川仁 | 申請(專利權)人: | 株式會社尼康 |
| 主分類號: | H01L21/02 | 分類號: | H01L21/02;H05B33/10;H05B33/14 |
| 代理公司: | 北京三友知識產權代理有限公司 11127 | 代理人: | 董惠石 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 處理 裝置 | ||
1.一種基板處理裝置,其具備:
多個處理部,對形成為帶狀的基板分別進行處理;
第一處理室,收容前述多個處理部中能執行共通次程序的第一處理部;
第二處理室,收容前述多個處理部中的第二處理部;以及
搬送部,將前述基板分別搬送至前述第一處理室及前述第二處理室。
2.如權利要求1所述的基板處理裝置,其中,前述共通次程序包含加熱處理步驟、曝光處理步驟及濕式處理步驟中的至少一個。
3.如權利要求1或2所述的基板處理裝置,其中,前述共通次程序包含加熱處理步驟;
前述第一處理部具有:
搬入口,搬入被搬送的前述基板;
筐體,具有收容從前述搬入口搬入的前述基板的收容室與搬出前述基板的搬出口;以及
加熱部,加熱收容于前述收容室的前述基板。
4.如權利要求3所述的基板處理裝置,其中,前述第一處理部具有多個前述筐體;
前述加熱部對多個前述筐體共通地設置。
5.如權利要求3或4所述的基板處理裝置,其中,前述第一處理部具有調整機構,該調整機構就前述筐體的各個調整前述收容室中的前述基板的搬送速度及搬送路徑中的至少一方。
6.如權利要求3至5中任一項所述的基板處理裝置,其中,前述第一處理部具有在前述收容室內將前述基板翻折多次的翻折部。
7.如權利要求6所述的基板處理裝置,其中,前述加熱部具有對前述基板照射電磁波的照射部。
8.如權利要求1至7中任一項所述的基板處理裝置,其進一步具備連接前述第一處理室與前述第二處理室的連接部;
前述搬送部具有導引前述基板使前述基板通過前述連接部的導引部。
9.如權利要求8所述的基板處理裝置,其中,前述導引部具有調整前述基板的溫度的基板調溫部。
10.如權利要求1至9中任一項所述的基板處理裝置,其中,前述第一處理室及前述第二處理室于重力方向排列配置。
11.如權利要求10所述的基板處理裝置,其進一步具備收容能執行濕式處理步驟的多個第三處理部的第三處理室;
前述第三處理室,設有在前述重力方向配置于前述第一處理室及前述第二處理室下方且回收在前述濕式處理步驟產生的廢棄物的回收部。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





